"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Оценка эффективности преобразования тонкопленочных однопереходных a-Si : H и тандема mu c-Si:H+a-Si:H солнечных элементов из анализа экспериментальных темновых и нагрузочных I-V-характеристик
Андреев А.А.1, Андреев В.М.1, Калиновский В.С.1, Покровский П.В.1, Теруков Е.И.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 28 декабря 2011 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2012 г.

Целью работы являлось применение к такому нестандартному полупроводниковому материалу, как аморфный кремний, метода определения эффективности, (кпд) наногетероструктурных многопереходных AIIIBV солнечных элементов из анализа темновых вольт-амперных характеристик. Исследовались a-Si : H и a-Si : H/mu c-Si : H структуры, без светорассеивающего подслоя и антиотражающего покрытия. Измерения темновых вольт-амперных характеристик показали, что зависимость тока от напряжения содержит несколько экспоненциальных участков. Расчеты эффективности преобразования оптического излучения СЭ были выполнены для каждого участка темновой вольт-амперной характеристики. Это позволило получить зависимость потенциальной эффективности солнечного элемента от плотности тока генерации или потока фотонов. Наблюдаемое соответствие данных из экспериментальных характеристик и расчетов можно считать удовлетворительным и приемлемым, а методика измерения и анализа темновых вольт-амперных характеристик, предложенная и апробированная для СЭ на основе кристаллических соединений AIIIBV, приобретает универсальный характер. Проведенный анализ характеристик p-i-n-структур из аморфного кремния и основанный на этом расчет потенциальных эффективностей расширяют наше понимание этого класса приборов, позволяют улучшить технологию и эффективность фотопреобразования таких СЭ.
  1. A. Mitiga, P. Fiorini, M. Falconieri, F. Evangelisti. J. Appl. Physics, 66 (6), 2667 (1989)
  2. T.J. McMahon, B.G. Yacobi, A. Madan. J. Non-Cryst. Solids, 66, 375 (1984)
  3. V.S. Kalinovsky, V.M. Andreev. Proc. 25th Europ. Phovolt. Solar Energy Conf. and 5th World Conf. on Photovolt. Energy Coversion, (Valencia, Spain, 2010, p. 979)
  4. В.М. Андреев, В.В. Евстропов, В.С. Калиновский, В.М. Лантратов, В.П. Хвостиков. ФТП, 43 (5), 671 (2009)
  5. A.A. Andreev, A.V. Andrianov, B.Y. Averbouch. R. Mavljanov, S.B. Aldabergeniva, M.Albrecht, H.P. Strunk. J. Solid State Phenomena. 51-- 52, 249 (1996). Scitec Publications, Switzerland
  6. A. Roth. F.J. Comes, W. Beyer. Proc. 11th Energy Conversion Photovoltaic Solar Energy Conf., Montereux, Swizerland, 1992, p. 594
  7. W. Shockley, H.J. Queisser. J. Appl. Phys., 32 510 (1961)
  8. C. Зи. Физика полупроводниковых приборов, ч. 1, 2. Пер. с англ. (М., Мир, 1984) с. 110
  9. А. Фаренбрух, Р. Бьюб. Солнечные элементы: Теория и эксперимент. Пер. с англ. под ред. М.М. Колтуна (М., Энергоатомиздат, 1987) с. 280
  10. М. Ламперт, П. Марк. Инжекционные токи в твердых телах. Пер. с англ. (М., Мир, 1973) с. 244
  11. Б.Л. Шарма, Р.К. Пурохит. Полупроводниковые гетеропереходы, (М., Сов. радио, 1979)
  12. А.А. Андреев. ФТП, 42 (11), 1363 (2008)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.