"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Структуры с вертикально совмещенными квантовыми точками Ge/Si для логических операций
Мороков Ю.Н.1, Федорук М.П.1, Двуреченский А.В.2, Зиновьева А.Ф.2, Ненашев А.В.2
1Институт вычислительных технологий Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 28 декабря 2011 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2012 г.

Представлены результаты моделирования Ge/Si структур с вертикально совмещенными квантовыми точками для реализации базовых элементов квантового компьютера, ориентированных на работу с электронными спиновыми состояниями. Для моделирования полей упругих деформаций использовался метод сопряженных градиентов и атомистическая модель на основе потенциала Китинга. Расчеты проведены в кластерном приближении с использованием кластеров, содержащих около 3 миллионов атомов, принадлежащих 150 координационным сферам. Рассчитаны пространственные распределения плотности энергии деформации и потенциальной энергии электронов для разных долин, формирующих дно зоны проводимости кремния. Показано, что создание многослойных структур с вертикально совмещенными квантовыми точками позволяет создать глубокие потенциальные ямы для электронов с возможностью организации туннельной связи по вертикали.
  1. M.H. Devoret, A. Wallraff, J.M. Martinis. arXiv:cond-mat/0411174 (2004)
  2. M.V. Gurudev Dutt, L. Childress, L. Jiang, E. Togan, J. Maze, F. Jelezko, A.S. Zibrov, P.R. Hemmer, M.D. Lukin. Science, 316, 1312 (2007)
  3. B.E. Kane. Nature, 393, 133 (1998)
  4. D. Loss, D.P. DiVincenzo. Phys. Rev. A, 57, 120 (1998)
  5. L. Fedichkin, M. Yanchenko, K.A. Valiev. Nanotechnology, 11, 387 (2000)
  6. Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов, В.А. Щукин, П.С. Копьев, Ж.И. Алфёров, Д. Бимберг. ФТП, 32, 385 (1998)
  7. О.П. Пчеляков, Ю.Б. Болховитянов, А.В. Двуреченский, Л.В. Соколов, А.И. Никифоров, А.И. Якимов, Б. Фойxтлендер. ФТП, 34, 1281 (2000)
  8. O. Stier, M. Grundmann, D. Bimberg. Phys. Rev. B, 59, 5688 (1999)
  9. M. Califano, P. Harrison. J. Appl. Phys., 91, 389 (2002)
  10. A.V. Dvurechenskii, A.V. Nenashev, A.I. Yakimov. Nanotechnology, 13, 75 (2002)
  11. K. Brunner. Rep. Progr. Phys., 65, 27 (2002)
  12. T. Saito, Y. Arakawa. Physica E, 15, 169 (2002)
  13. H. Fu, A. Zunger. Phys. Rev. B, 56, 1496 (1997)
  14. J. Tersoff, C. Teichert, M.G. Lagally. Phys. Rev. Lett., 76, 1675 (1996)
  15. А.И. Якимов, А.В. Двуреченский, А.А. Блошкин, А.В. Ненашев. Письма ЖЭТФ, 83, 189 (2006)
  16. D. Grutzmacher, T. Fromherz, C. Dais, J. Stangl, E. Muller, Y. Ekinci, H.H. Solak, H. Sigg, R.T. Lechner, E. Wintersberger, S. Birner, V. Holy, G. Bauer. Nano Lett., 7, 3150 (2007)
  17. А.В. Ненашев, А.В. Двуреченский. ЖЭТФ, 118, 570 (2000)
  18. P.N. Keating. Phys. Rev., 145, 637 (1966)
  19. C.G. Van de Walle. Phys. Rev. B, 39 1871 (1989)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.