"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Пикосекундная динамика фотолюминесценции гетероструктуры InGaAs/GaAs с квантовыми ямами
Алешкин В.Я.1, Дубинов А.А.1, Гавриленко Л.В.1, Красильник З.Ф.1, Курицын Д.И.1, Крыжков Д.И.1, Морозов С.В.1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 26 декабря 2011 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2012 г.

Представлены результаты экспериментального исследования субпикосекундной динамики релаксации фотоносителей в гетероструктуре In0.22Ga0.78As/GaAs с квантовыми ямами. На основе исследования фотолюминесценции структуры методом ап-конверсии была определена скорость "остывания" носителей в квантовой яме, а также время захвата носителей в яму, составляющее ~1 пс при 300 K и 6.5 пс при 10 K.
  • A. Othonos. J. Appl. Phys., 83, 1789 (1998)
  • V.M. Axt, T. Kuhn. Rep. Progr. Phys., 67, 433 (2004)
  • J. Wang, H.C. Schweizer. IEEE J. Select. Topics Quant. Electron., 3, 218 (1997)
  • W.H. Fan, S.M. Olaiz-3.5pt-ola, J.-P.R. Wells, A.M. Fox, T. Wang, P.J. Parbrook, D.J. Mowbray, M.S. Skolnick. Appl. Phys. Lett., 84, 3052 (2004)
  • L.V. Dao, M.B. Johnston, M. Gal, L. Fu, H.H. Tan, C. Jagadish. Appl. Phys. Lett., 73, 3408 (1998)
  • P.W.M. Blom, C. Smit, J.E.M. Haverkort, J.H. Wolter. Phys. Rev. B, 47, 2072 (1993)
  • В.Ф. Гантмахер, И.Б. Левинсон. Рассеяние носителей тока в металлах и полупроводниках (М., Наука, 1984)
  • A. Amo, M.D. Martin, L. Vina, A.I. Toropov, K.S. Zhuravlev. Phys. Rev. B, 73, 035 205 (2006)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.