"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Пикосекундная динамика фотолюминесценции гетероструктуры InGaAs/GaAs с квантовыми ямами
Алешкин В.Я.1, Дубинов А.А.1, Гавриленко Л.В.1, Красильник З.Ф.1, Курицын Д.И.1, Крыжков Д.И.1, Морозов С.В.1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 26 декабря 2011 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2012 г.

Представлены результаты экспериментального исследования субпикосекундной динамики релаксации фотоносителей в гетероструктуре In0.22Ga0.78As/GaAs с квантовыми ямами. На основе исследования фотолюминесценции структуры методом ап-конверсии была определена скорость "остывания" носителей в квантовой яме, а также время захвата носителей в яму, составляющее ~1 пс при 300 K и 6.5 пс при 10 K.
  1. A. Othonos. J. Appl. Phys., 83, 1789 (1998)
  2. V.M. Axt, T. Kuhn. Rep. Progr. Phys., 67, 433 (2004)
  3. J. Wang, H.C. Schweizer. IEEE J. Select. Topics Quant. Electron., 3, 218 (1997)
  4. W.H. Fan, S.M. Olaiz-3.5pt-ola, J.-P.R. Wells, A.M. Fox, T. Wang, P.J. Parbrook, D.J. Mowbray, M.S. Skolnick. Appl. Phys. Lett., 84, 3052 (2004)
  5. L.V. Dao, M.B. Johnston, M. Gal, L. Fu, H.H. Tan, C. Jagadish. Appl. Phys. Lett., 73, 3408 (1998)
  6. P.W.M. Blom, C. Smit, J.E.M. Haverkort, J.H. Wolter. Phys. Rev. B, 47, 2072 (1993)
  7. В.Ф. Гантмахер, И.Б. Левинсон. Рассеяние носителей тока в металлах и полупроводниках (М., Наука, 1984)
  8. A. Amo, M.D. Martin, L. Vina, A.I. Toropov, K.S. Zhuravlev. Phys. Rev. B, 73, 035 205 (2006)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.