"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
О возможностях экспериментального определения величины спонтанной поляризации политипов карбида кремния
Давыдов С.Ю.1, Лебедев А.А.1, Посредник О.В.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 19 октября 2011 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2012 г.

Рассматриваются гетеропереход вида NH-SiC/3C-SiC и гетероструктура типа NH-SiC/3C-SiC/NH-SiC (N=2,4,6,8), сфабрикованные на основе политипов карбида кремния. Для гетеропереходов рассматриваются две возможности: контактной плоскостью политипа NH является Si-, либо С-плоскость. При этом энергии квазилокальных уровней, возникающих в квантовых ямах на интерфейсе, будут отличаться. Измерив различие этих энергий, можно определить величину спонтанной поляризации Psp, присущей политипу NH. При наличии поля спонтанной поляризации квазилокальные уровни в левой и правой квантовых ямах гетероструктуры имеют различные энергии. Показано, что если поместить гетероструктуру во внешнее электрическое поле, то можно, вычислив разность энергий этих уровней, определить величину спонтанной поляризации. Обсуждаются экспериментальные возможности определения Psp по предложенному теоретическому сценарию.
  1. A. Qteich, V. Heine, R.J. Needs. Phys. Rev. B, 45, 6376 (1992).
  2. A. Qteich, V. Heine, R.J. Needs. Phys. Rev. B, 45, 6534 (1992)
  3. С.Ю. Давыдов. ФТТ, 48, 1407 (2006)
  4. С.Ю. Давыдов, А.В. Трошин. ФТТ, 49, 723 (2007)
  5. A. Fissel. Phys. Rep., 379, 149 (2003)
  6. A.A. Lebedev. Semicond. Sci. Technol., 21, R17 (2006)
  7. С.Ю. Давыдов, А.А. Лебедев, О.В. Посредник. ФТТ, 39, 1440 (2005)
  8. С.Ю. Давыдов, А.А. Лебедев, О.В. Посредник. ФТТ, 40, 563 (2006)
  9. С.Ю. Давыдов, А.В. Трошин. ФТП, 41, 307 (2007)
  10. С.Ю. Давыдов, А.В. Трошин. ФТП, 42, 1318 (2008)
  11. С.Ю. Давыдов, О.В. Посредник. ФТТ, 53, 814 (2011)
  12. W.A. Harrison. Phys. Rev. B, 24, 5835 (1981)
  13. В.М. Галицкий, Б.М. Карнаков, В.И. Коган. Задачи по квантовой механике (М., Наука, 1992)
  14. В.Я. Демиховский, Г.А. Вугальтер. Физика квантовых низкоразмерных структур (М., Логос, 2000)
  15. В.И. Гавриленко, А.М. Грехов, Д.В. Корбутяк, В.Г. Литовченко. Оптические свойства полупроводников. Справочник (Киев, Наук. думка, 1987)
  16. A. Fissel, U. Kaizer, B. Schroter, W. Richter, F. Bechstedt. Appl. Surf. Sci., 184, 37 (2001)
  17. J. Cammasel, S. Juillaguet. Mater. Sci. Forum, 483-485, 331 (2005)
  18. А.А. Лебедев, Г.Н. Мосина, И.П. Никитина, Н.С. Савкина, Л.М. Сорокин, А.С. Трегубова. Письма ЖТФ, 27, 57 (2001)
  19. С.М. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Энергия, 1973).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.