"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Интенсивность излучения внутрицентровых 4f-переходов в пленках a-Si : H, ZnO и GaN, легированных редкоземельными ионами
Мездрогина М.М.1, Еременко М.В.1, Теруков Е.И.1, Кожанова Ю.В.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 28 декабря 2011 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2012 г.

Показано, что интенсивность излучения внутрицентровых 4f-переходов в аморфных пленках a-Si : H, кристаллических пленках GaN, ZnO, легированных редкоземельными ионами, определяется локальным окружением ионов легирующих примесей. В случае a-Si : H наличие псевдооктаэдрона точечной группы C4V реализуется за счет нанокристаллитов, что обеспечивает локальное окружение редкоземельных ионов. В случае гексагональной кристаллической решетки в кристаллических пленках GaN, ZnO реализация локальной симметрии редкоземельных ионов, введенных в полупроводниковую матрицу методом диффузии, с псевдооктаэдром точечной группы C4V происходит вследствие напряжений, вызываемых встраиванием в узлы кристаллической решетки комплекса редкоземельный ион--O с большим радиусом, чем замещаемые ими ионы исходной решетки. В пленках ZnO в отличие от пленок GaN имеет место интенсивное излучение как в длинноволновой области спектра, характрное для внутрицентровых 4f-переходов редкоземельных ионов, так и существенное увеличение интенсивности излучения при легировании Tm, Sm, Yb в коротковолновой области спектра (lambda=368-370 нм). В пленках GaN в этой области спектра при легировании редкоземельными ионами имеется лишь наличие неоднородно уширенной полосы излучения, обусловленной наличием полосы излучения, характерной для донорно-акцепторной рекомбинации.
  1. J.H. Park, A.J. Steckel. Appl. Phys. Lett., 85, 4588 (2004)
  2. Y. Fujywara, A. Nishikawa, Y. Terray. Advanced Display Technologies International Symposium, St. Petersburg State of Technology (Technical University), Sept. 27--Oct. 1 (St. Petersburg, 2010) p. 210
  3. M. Zamfierscu, A. Kavokin, B. Gil, G. Malpuech, M. Kaliteevski. Phys. Rev. B, 65, 165 205 (2002)
  4. M.K. Chong, A.P. Abiyassa, K. Pita, S.F. Yu. Appl. PHys. Lett., 95, 151 105 (2008)
  5. Y. Liu, Ch. Xu, Q. Jang. J. Appl. Phys., 105, 084 701 (2009)
  6. В.Ф. Мастеров, Ф.С. Насрединов, П.П. Серегин, Е.И. Теруков, М.М. Мездрогина. ФТП, 32 (6), 708 (1998)
  7. М.М. Мездрогина, М.П. Аннаоразова, Е.И. Теруков, И.Н. Трапезникова, Н. Назаров. ФТП, 33 (10), 1260 (1999)
  8. М.М. Мездрогина, Г.Н. Мосина, Е.И. Теруков, И.Н. Трапезникова. ФТП, 35 (6), 714 (2001)
  9. Ж. Атаев, В.А. Васильев, И.А. Елизаров, М.М. Мездрогина. ФТП, 29 (7), 799 (1995)
  10. P.H. Citrin, P.A. Northrup, R. Birkhahn, A.J. Steckel. Appl. Phys. Lett., 78, 2865 (2000)
  11. Ю.В. Жиляев, В.В. Криволапчук, М.М. Мездрогина, С.Д. Раевский, Ш.А. Юсупова. Тез. докл. Междунар. конф. "Фото- и электролюминесценция в полупроводниках и изоляторах" (СПб., 2001) с. 21
  12. T. Andreev, N.Q. Liem, Y. Hori, M. Tanaka, O. Oda, D.L.S. Dang, B. Daulnet. Phys. Rev. B, 73, 195 203 (2006)
  13. M.M. Mezdrogina, E.Yu. Danilovskii, R.V. Kuzmin. Inorg. Mater., 47 (13), 1450 (2011)
  14. J.-S. Filhol, R. Jones, M.J. Shaw, P.R. Briddon. Appl. Phys. Lett., 84 (15), 2841 (2004)
  15. H.J. Lozykowski. Phys. Rev. B, 48, 17 758 (1993)
  16. В.В. Криволапчук, М.М. Мездрогина. ФТТ, 46 (12), 2129 (2004)
  17. S.O. Kucheyev, J.E. Bradly, S. Ruffelt, C.P. Li, T.E. Felter, A.V. Hamza. Appl. Phys. Lett., 90, 221 901 (2007)
  18. М.М. Мездрогина, В.В. Криволапчук. ФТТ, 48 (7), 1182 (2006)
  19. М.М. Мездрогина, В.В. Криволапчук, В.Н. Петров, С.Н. Родин, А.В. Черенков. ФТП, 40 (12), 1412 (2006)
  20. P.D. Dapkus, W.H. Hackett, Jr.O.G. Lorimor, R.Z. Bachrach. J. Appl. Phys., 45, 4290 (1974)
  21. H.W. Moos. J. Luminecs., 1--2, 106 (1970)
  22. B.A. Wilson, W.M. Yen, J. Hagarty, G.F. Imbusch. Phys. Rev. B, 19, 4238 (1979)
  23. H. Wu, C.B. Poitras, M. Lipson, M.G. Spenser, J. Hunting, F.J. DiSalvo. Appl. Phys. Lett., 88, 011 921 (2006)
  24. R. Wang, A.J. Steckel, E.E. Brown, U. Hommerlich, J. Zavada. J. Appl. Phys., 105, 043 107 (2009)
  25. H. Bang, S. Morishima, J. Sawahata, J. Seo, M. Takigushi, M. Tsunemi, K. Okamoto, M. Nomura. Appl. Phys. Lett., 85, 227 (2004)
  26. М.М. Мездрогина, В.В. Криволапчук, В.Н. Петров, С.Н. Родин, Ю.В. Кожанова, Э.Ю. Даниловский, Р.В. Кузьмин. ФТП, 43 (4), 467 (2009)
  27. R. Birkahn, M. Garter, A.J. Steckel. Appl. Phys. Lett., 74 (12), 2161 (1999)
  28. L. Huang. J. Labis, S.C. Ray. Appl. Phys. Lett., 96, 062 112 (2010)
  29. Zh. Zhou, N. Matsunami. Appl. Phys. Lett., 86, 041 107 (2005)
  30. М. Мездрогина, В.В. Криволапчук, Н.А. Феоктистов, Э.Ю. Даниловский, Р.В. Кузьмин, С.В. Разумов, С.А. Кукушкин, А.В. Оспиов. ФТП, 42 (9), 782 (2008)
  31. М.М. Мездрогина, М.В. Еременко, С.М. Голубенко, С.В. Разумов. ФТТ, 54 (6), (2012)
  32. Y. Liu, Ch. Xu, Q. Yang. J. Appl. Phys., 104, 064 701 (2008)
  33. A.S.S. deCamargo, E.R. Botero, E.R.M. Andreeta, D. Garcia, J.A. Eiras, L.A.O. Nunes. Appl. Phys. Lett., 86, 241 112 (2005)
  34. М.М. Мездрогина, Э.Ю. Даниловский, Р.В. Кузьмин. ФТП, 44 (3), 328 (2010).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.