Показано, что интенсивность излучения внутрицентровых 4f-переходов в аморфных пленках a-Si : H, кристаллических пленках GaN, ZnO, легированных редкоземельными ионами, определяется локальным окружением ионов легирующих примесей. В случае a-Si : H наличие псевдооктаэдрона точечной группы C_4V реализуется за счет нанокристаллитов, что обеспечивает локальное окружение редкоземельных ионов. В случае гексагональной кристаллической решетки в кристаллических пленках GaN, ZnO реализация локальной симметрии редкоземельных ионов, введенных в полупроводниковую матрицу методом диффузии, с псевдооктаэдром точечной группы C_4V происходит вследствие напряжений, вызываемых встраиванием в узлы кристаллической решетки комплекса редкоземельный ион-O с большим радиусом, чем замещаемые ими ионы исходной решетки. В пленках ZnO в отличие от пленок GaN имеет место интенсивное излучение как в длинноволновой области спектра, характрное для внутрицентровых 4f-переходов редкоземельных ионов, так и существенное увеличение интенсивности излучения при легировании Tm, Sm, Yb в коротковолновой области спектра (lambda=368-370 нм). В пленках GaN в этой области спектра при легировании редкоземельными ионами имеется лишь наличие неоднородно уширенной полосы излучения, обусловленной наличием полосы излучения, характерной для донорно-акцепторной рекомбинации.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.