Вышедшие номера
Оптические переходы в MnGa2Se4
Тагиев Б.Г.1, Керимова Т.Г.1, Тагиев О.Б.1, Асадуллаева С.Г.1, Мамедова И.А.1
1Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
Поступила в редакцию: 8 ноября 2011 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2012 г.

В интервале температур 110-295 K исследована зависимость коэффициента поглощения от энергии падающих фотонов в монокристалле MnGa2Se4. С использованием теоретико-группового анализа симметрии электронных состояний и сопоставления симметрии энергетического спектра MnGa2Se4 и его изоэлектронных аналогов сделан вывод о характере оптических переходов. Показано, что особенности при 2.31 и 2.45 эВ связаны с внутрицентровыми переходами 6A11->4T2(4G) и 6A21->4T2(4G). Состояние 6A1 расщеплено кристаллическим полем.