Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние структурных особенностей поликристаллических пленок полупроводников на формирование эффекта аномального фотонапряжения. I. Механизм явления
1Ферганский государственный университет, Фергана, Республика Узбекистан 
2Ферганский политехнический институт, Фергана, Узбекистан
2Ферганский политехнический институт, Фергана, Узбекистан
Поступила в редакцию: 16 февраля 2011 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2012 г.
Предолжена модель поликристаллического полупроводника, соответствующая его реальной структуре, и на основе этой модели развит механизм аномальных фотовольтаических эффектов (возникновение аномального фотонапряжения, его зависимость от угла освещения, аномальный фотомагнитный эффект). Считается, что потенциальные барьеры, вносящие неоднородность в пространственное распределение фотоносителей, возникают вследствие захвата основных носителей заряда на поверхностные состояния границ кристаллитов. Эффект существенно зависит от амплитуды барьера: если изгиб зон у границ кристаллитов истощающий, эффект определяется пространственным разделением основных фотоносителей барьером, в противном случае (инверсионный изгиб зон) эффект формируется за счет разделения неосновных фотоносителей. В основе механизма лежат анизотропия поглощения света объемом поликристалла (истощающий изгиб зон) или геометрическая неоднородность пленок, вызванная косым напылением при получении (инверсионный изгиб зон). Причиной анизотропного поглощения света является отражение света границами кристаллитов.
- T. Starkievich, L. Sosnowski, O. Simpson. Nature, 158, 26 (1946)
- L. Pensak, B. Goldstein. Phys. Rev., 109, 601 (1958)
- Э.И. Адирович. УФН, 105, 746 (1971)
- Э.И. Адирович и др. В сб.: Фотоэлектрические явления в полупроводниках и оптоэлектроника (Ташкент, Изд-во ФАН, 1972)
- L. Pankove. Phys. Status Solidi A, 61, 127 (1980)
- Г.А. Набиев. ФТП, 43, 926 (2009)
- В.Н. Агарев, Н.А. Степанова. ФТП, 34, 452 (2000)
- К.М. Дощанов. ФТП, 24, 1251 (1990)
- К.М. Дощанов, В.Д. Соколов. ФТП, 24, 1407 (1990)
- H. Kallman, B. Kramer, E. Haidemenakis, W.I. McAller, H. Barkemayer, P.E. Pollak. J. Electrochem. Soc., 108, 247 (1961)
- Ф.Т. Новик. ФТТ, 4, 3334 (1962)
- V.G. Schwabe. Z. Naturforsch., 10a, 78 (1955)
- В.Н. Овсюк. ФТП, 2, 1185 (1968)
- П.П. Коноров, К. Любитц, И. Ортлер. Уч. записи ЛГУ, 336, 98 (1968)
- Р.Я. Берлага, Т.Т. Быкова и др. Уч. записи ЛГУ, 336, 92 (1968)
- Sh.B. Atakulov. Sol. St. Commun., 51, 415 (1984)
- Ш.Б. Атакулов. ФТП, 18, 1862 (1984)
- Л.Н. Неустроев, В.В. Осипов. ФТП, 20, 59 (1986); ФТП, 20, 66 (1986)
- Л. Казмерски. В кн.: Тонкие поликристаллические и аморфные пленки (М., Мир, 1983) с. 67
- Ш.Б. Атакулов, И.М. Коканбаев. Термические и радиационно-стимулированные процессы в поликристаллических пленках халькогенидов свинца (Ташкент, Изд-во ФАН, 1992)
- Е.З. Мейлихов. УФН, 163, 27 (1993)
- А.Н. Орлов. В сб.: Атомная структура межзеренных границ (М., Мир, 1978) с. 5
- E.F. Pocza. Acta Phys. Acad. Sci. Hung., 15, 89 (1968)
- Я.Е. Гегузин. Очерки о диффузии в кристаллах (М., Наука, 1970)
- Д.С. Кемпбелл. В кн.: Технология тонких пленок (М., Радио, 1977) с. 461
- В.А. Погребняк, В.М. Яковенко, И.В. Яковенко. ФТТ, 39, 1975 (1995)
- Н.К. Бородкина, Л.П. Страхов. ФТТ, 8, 2260 (1966)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
