"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Фотолюминесцентное исследование структурной эволюции аморфных и кристаллических нанокластеров кремния при термическом отжиге слоев субоксида кремния различной стехиометрии
Жигунов Д.М.1, Швыдун Н.В.1, Емельянов А.В.1, Тимошенко В.Ю.1, Кашкаров П.К.1,2, Семиногов В.Н.3
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
2Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
3Институт проблем лазерных и информационных технологий Российской академии наук, Шатура, Россия
Поступила в редакцию: 17 августа 2011 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2012 г.

Методом фотолюминесценции изучено влияние стехиометрии тонких пленок субоксида кремния SiOx на процессы формирования и эволюции кремниевых нанокластеров при термическом отжиге. Образцы получены путем термического распыления мишени SiO в атмосфере кислорода с последующим осаждением слоя SiOx толщиной 500 нм на подложку из кремния. Морфология и размер кремниевых нанокластеров определялись путем анализа спектров и кинетики фотолюминесценции. Проведено сравнительное исследование люминесцентных свойств тонких слоев SiOx с параметрoм стехиометрии x=1.10, 1.29, 1.56 и 1.68, отожженных при различных температурах в диапазоне от 850 до 1200oC. Изучено влияние температуры отжига, параметра стехиометрии исходной пленки субоксида кремния, а также размеров нанокластеров кремния на времена спада фотолюминесценции.
  • P.M. Fauchet. Mater. Today, 8, 26 (2005)
  • A.G. Cullis, L.T. Canham, P.D.J. Calcott. Appl. Phys. Lett., 82, 909 (1997)
  • I. Umezu, K. Shibata, S. Yamaguchi, A. Sugimura, Yu. Yamada, T. Yoshida. J. Appl. Phys., 84, 6448 (1998)
  • F. Iacona, C. Bongiorno, C. Spinella, S. Boninelli, F. Priolo. J. Appl. Phys., 95, 3723 (2004)
  • M. Lopez, B. Garrido, C. Bonafos, A. Perez-Rodriguez, J.R. Morante, A. Claverie. Nucl. Instrum. Meth. A, 178, 89 (2001)
  • U. Kahler, H. Hofmeister. Appl. Phys. A, 74, 13 (2002)
  • R.K. Soni, L.F. Fonseca, O. Resto, M. Buzaianu, S.Z. Weisz. J. Luminesc., 83--84, 187 (1999)
  • X. Portier, C. Ternon, F. Gourbilleau, C. Dufour, R. Rizk. Physica E, 16, 439 (2003)
  • M. Zacharias, J. Heitmann, R. Scholz, U. Kahler, M. Schmidt, J. Blasing. Appl. Phys. Lett., 80, 661 (2002)
  • L.X. Yi, J. Heitmann, R. Scholz, M. Zacharias. Appl. Phys. Lett., 81, 4248 (2002)
  • В.Н. Семиногов, В.И. Соколов, В.Н. Глебов, А.М. Малютин, Е.В. Троицкая, С.И. Молчанова, А.С. Ахманов, В.Я. Панченко, В.Ю. Тимошенко, Д.М. Жигунов, П.А. Форш, О.А. Шалыгина, Н.Е. Маслова, С.С. Абрамчук, П.К. Кашкаров. Динамика сложных систем, 2 (3), 3 (2009)
  • B. Garrido, M. Lopez, A. Perez-Rodriguez, C. Garcia, P. Pellegrino, R. Ferre, J.A. Moreno, J.R. Morante, C. Bonafos, M. Carrada, A. Claverie, J. de la Torre, A. Souifi. Nucl. Instrum. Meth. B., 213 (2004)
  • M. Zacharias, P. Streitenberger. Phys. Rev. B, 62, 8391 (2000)
  • В.И. Емельянов, В.Н. Семиногов. Письма ЖТФ, 32 (24), 18 (2006)
  • S. Takeoka, M. Fujii, S. Hayashi. Phys. Rev. B, 62, 16820 (2000)
  • M. Nakamura, Y. Mochizuki, K. Usami, Y. Itoch, T. Nozaki. Sol. St. Commun., 50, 1079 (1984)
  • Аморфные полупроводники, пер. с англ. под ред. М. Бродски (М., Мир, 1982)
  • C. Garcia, B. Garrido, P. Pellegrino, R. Ferre, J.A. Moreno, J.R. Morante, L. Pavesi, M. Cazzanelli. Appl. Phys. Lett., 82, 1595 (2003)
  • L. Tsybeskov, K.D. Hirschman, S.P. Duttagupta, M. Zacharias, P.M. Fauchet, J.P. McCaffrey, D.J. Lochwood. Appl. Phys. Lett., 72 (1), 43 (1998)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.