Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Фотолюминесцентное исследование структурной эволюции аморфных и кристаллических нанокластеров кремния при термическом отжиге слоев субоксида кремния различной стехиометрии

Жигунов Д.М.¹, Швыдун Н.В.¹, Емельянов А.В.¹, Тимошенко В.Ю.¹, Кашкаров П.К.^1,2, Семиногов В.Н.³

¹Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия Department of Physics, Lomonosov Moscow State University, Moscow, Russia

Department of Physics, Lomonosov Moscow State University, Moscow, Russia

²Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия National Research Center “Kurchatov Institute”, Moscow, Russia

³Институт проблем лазерных и информационных технологий РАН, Шатура, Россия Institute on Laser and Information Technologies, Branch of the Federal Scientific Research Centre “Crystallography and Photonics”, Russian Academy of Sciences, Shatura, Russia

Institute on Laser and Information Technologies, Branch of the Federal Scientific Research Centre “Crystallography and Photonics”, Russian Academy of Sciences, Shatura, Russia

Поступила в редакцию: 17 августа 2011 г.

Выставление онлайн: 18 февраля 2012 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Методом фотолюминесценции изучено влияние стехиометрии тонких пленок субоксида кремния SiO_x на процессы формирования и эволюции кремниевых нанокластеров при термическом отжиге. Образцы получены путем термического распыления мишени SiO в атмосфере кислорода с последующим осаждением слоя SiO_x толщиной 500 нм на подложку из кремния. Морфология и размер кремниевых нанокластеров определялись путем анализа спектров и кинетики фотолюминесценции. Проведено сравнительное исследование люминесцентных свойств тонких слоев SiO_x с параметрoм стехиометрии x=1.10, 1.29, 1.56 и 1.68, отожженных при различных температурах в диапазоне от 850 до 1200^oC. Изучено влияние температуры отжига, параметра стехиометрии исходной пленки субоксида кремния, а также размеров нанокластеров кремния на времена спада фотолюминесценции.

P.M. Fauchet. Mater. Today, 8, 26 (2005)
A.G. Cullis, L.T. Canham, P.D.J. Calcott. Appl. Phys. Lett., 82, 909 (1997)
I. Umezu, K. Shibata, S. Yamaguchi, A. Sugimura, Yu. Yamada, T. Yoshida. J. Appl. Phys., 84, 6448 (1998)
F. Iacona, C. Bongiorno, C. Spinella, S. Boninelli, F. Priolo. J. Appl. Phys., 95, 3723 (2004)
M. Lopez, B. Garrido, C. Bonafos, A. Perez-Rodriguez, J.R. Morante, A. Claverie. Nucl. Instrum. Meth. A, 178, 89 (2001)
U. Kahler, H. Hofmeister. Appl. Phys. A, 74, 13 (2002)
R.K. Soni, L.F. Fonseca, O. Resto, M. Buzaianu, S.Z. Weisz. J. Luminesc., 83--84, 187 (1999)
X. Portier, C. Ternon, F. Gourbilleau, C. Dufour, R. Rizk. Physica E, 16, 439 (2003)
M. Zacharias, J. Heitmann, R. Scholz, U. Kahler, M. Schmidt, J. Blasing. Appl. Phys. Lett., 80, 661 (2002)
L.X. Yi, J. Heitmann, R. Scholz, M. Zacharias. Appl. Phys. Lett., 81, 4248 (2002)
В.Н. Семиногов, В.И. Соколов, В.Н. Глебов, А.М. Малютин, Е.В. Троицкая, С.И. Молчанова, А.С. Ахманов, В.Я. Панченко, В.Ю. Тимошенко, Д.М. Жигунов, П.А. Форш, О.А. Шалыгина, Н.Е. Маслова, С.С. Абрамчук, П.К. Кашкаров. Динамика сложных систем, 2 (3), 3 (2009)
B. Garrido, M. Lopez, A. Perez-Rodriguez, C. Garcia, P. Pellegrino, R. Ferre, J.A. Moreno, J.R. Morante, C. Bonafos, M. Carrada, A. Claverie, J. de la Torre, A. Souifi. Nucl. Instrum. Meth. B., 213 (2004)
M. Zacharias, P. Streitenberger. Phys. Rev. B, 62, 8391 (2000)
В.И. Емельянов, В.Н. Семиногов. Письма ЖТФ, 32 (24), 18 (2006)
S. Takeoka, M. Fujii, S. Hayashi. Phys. Rev. B, 62, 16820 (2000)
M. Nakamura, Y. Mochizuki, K. Usami, Y. Itoch, T. Nozaki. Sol. St. Commun., 50, 1079 (1984)
Аморфные полупроводники, пер. с англ. под ред. М. Бродски (М., Мир, 1982)
C. Garcia, B. Garrido, P. Pellegrino, R. Ferre, J.A. Moreno, J.R. Morante, L. Pavesi, M. Cazzanelli. Appl. Phys. Lett., 82, 1595 (2003)
L. Tsybeskov, K.D. Hirschman, S.P. Duttagupta, M. Zacharias, P.M. Fauchet, J.P. McCaffrey, D.J. Lochwood. Appl. Phys. Lett., 72 (1), 43 (1998)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель