"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Картирование усиления двухфотонной люминесценции в микроструктурах оксида цинка
Семин С.В.1,2, Шерстюк Н.Э.1, Мишина Е.Д.1, Герман К.3, Кулюк Л.3, Расинг Т.2, Пенг Л.-Х.4
1Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики, Москва, Россия
2Институт молекул и материалов, Университет Наймегена, НР Наймеген, Нидерланды
3Институт прикладной физики АН Молдовы, Кишинев, Молдова
4Факультет электротехники и Институт фотоники и оптоэлектроники, Национальный университет Тайваня, Тайпей, Тайвань (КНР)
Поступила в редакцию: 5 сентября 2011 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2012 г.

Приведены результаты экспериментального исследования в режиме картирования образца при комнатной температуре двухфотонной люминесценции в микроструктурах оксида цинка, представляющих собой свободно стоящие совокупности микростержней. Получены спектры двухфотонной люминесценции в экситонной области для отдельных микростержней. Степенная зависимость роста интенсивности люминесценции от мощности оптической накачки с показателем степени n>2 и наличие пороговой мощности, характеризующейся отклонением от квадратичной зависимости в экситонной области, свидетельствуют о возникновении усиления света в отдельном микростержне оксида цинка и условий, предшествующих лазерной генерации.
  1. H. Piller, R. Hauschild, J. Zeller, C. Klingshirn, H. Kalt, R. Kling, F. Reuss, C. Kircher, A. Waag. J. Luminesc., 112, 173 (2005)
  2. B.P. Zhang, N.T. Binh, Y. Segawa, Y. Kashiwaba, K. Haga. Appl. Phys. Lett., 84, 586 (2004)
  3. T. Hirai, Y. Harada, S. Hashimoto, T. Itoh, N. Ohno. J. Luminesc., 112, 196 (2005)
  4. A.L. Pan, R.B. Liu, S.Q. Wang, Z.Y. Wu, L. Cao, S.S. Xie, B.S. Zou. J. Cryst. Growth, 282, 125 (2005)
  5. V.V. Zalamai, V.V. Ursaki, C. Klingshirn, H. Kalt, G.A. Emelchenko, A.N. Redkin. Appl. Phys. B, 97, 817 (2009)
  6. M.A. Zimmler, J. Bao, F. Capasso, S. Muller, C. Ronning. Appl. Phys. Lett., 93, 051101 (2008)
  7. А.Н. Грузинцев, А.Н. Редькин, З.И. Маковей, Е.Е. Якимов, К. Бартхоу (C. Barthou), П. Беналул (P. Benalloul). ФТП, 41 (6), 735 (2007)
  8. V.M. Markushev, V.V. Ursaki, M.V. Ryzhkov, C.M. Briskina, I.M. Tiginyanu, E.V. Rusu, A.A. Zakhidov. Appl. Phys. B, 93, 231 (2008)
  9. L.E. Li, L.N. Demianets. Optical Mater., 30, 1074 (2008)
  10. C.F. Zhang, F. Zhang, T. Xia, N. Kumar, J. Hahm, J. Liu, Z.L. Wang, J. Xu. Opt. Express, 17, 7893 (2009)
  11. G.P. Zhu, C.X. Xu, J. Zhu, C.G. Lv, Y.P. Cui. Appl. Phys. Lett., 94, 051106 (2009)
  12. A. Burlacu, V.V. Ursaki, V.A. Skuratov, D. Lincot, T. Pauporte, H. Elbelghiti, E.V. Rusu, I.M. Tiginyanu. Nanotechlogy, 19, 215 714 (2008)
  13. Zhong Lin Wang. J. Phys.: Condens. Matter, 16, R829 (2004)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.