Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2012, выпуск 3 » Статья стр. 356
<<<>>>
Морфология поверхности и электрические свойства гибридных структур, сформированных на основе слоистого полупроводника с наноразмерными сегнетоэлектрическими включениями Au/Ni/<C>/n-Ga2O3/p -GaSe<KNO3>
Бахтинов А.П.1, Водопьянов В.Н.1, Нетяга В.В.1, Кудринский З.Р.1, Литвин О.С.2
1Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, Черновцы, Украина
2Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 20 июля 2011 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2012 г.
PDF версия
Методом атомно-силовой микроскопии исследованы особенности формирования гибридных наноструктур Au/Ni/<C>/n-Ga2O3 на ван-дер-ваальсовой поверхности (0001) композитных наноструктур "слоистый полупроводник-сегнетоэлектрик" (p-GaSe<KNO3>). При комнатной температуре исследованы вольт-амперные характеристики и зависимость импедансного спектра гибридных структур от напряжения смещения. На вольт-амперной характеристике наблюдаются резонансный пик и участок с отрицательным дифференциальным сопротивлением. Ток на этой характеристике достигает максимальногоо значения при определенном значении приложенного напряжения смещения, когда происходит переключение электрической поляризации в наноразмерных трехмерных включениях в слоистой матрице GaSe. В области высоких частот (f>106 Гц) обнаружен импеданс индуктивного типа (большая отрицательная емкость структур, ~10-6 Ф/мм2). Этот эффект связан с транспортом спин-поляризованных электронов в последовательно соединенных между собой полупроводниковой композитной наноструктуре с множественными квантовыми ямами p-GaSe<KNO3> и прямо смещенном поляризаторе "ферромагнитный металл-полупроводник" (Au/Ni/<C>/n+-Ga2O3 /n-Ga2O3). На вольт-амперных характеристиках структур обнаружен сдвиг максимума (гистерезис тока) при разных направлениях изменения напряжения смещения.
  1. I. Zutic, J. Fabian, S. Das Sarma. Rev. Mod. Phys., 76, 323 (2004)
  2. A.M. Bratkovsky. Rep. Progr. Phys., 71, 026 502 (2008)
  3. А. Ферт. Успехи физ. наук, 178, 1336 (2008)
  4. K. Reimann. Rep. Progr. Phys., 70, 1597 (2007)
  5. M. Eddrief, Y. Wang, V.H. Etgens, D.H. Mosca, J.-L. Maurice, J.M. Jeorge, A. Fert, S. Bourgognou. Phys. Rev. B, 63, 094 428 (2001)
  6. А.П. Бахтинов, В.Н. Водопьянов, З.Д. Ковалюк, В.В. Нетяга. О.С. Литвин. ФТП, 44, 180 (2010)
  7. Z.D. Kovalyuk, V.M. Katerynchuk, A.I. Savchuk, O.S. Lytvyn. Superlatt. Mictrostr., 44, 416 (2008)
  8. С.И. Драпак, С.В. Гаврилюк, З.Д. Ковалюк, О.С. Литвин. ФТП, 42, 423 (2008)
  9. А.И. Дмитриев, В.В. Вишняк, Г.В. Лашкарев, В.Л. Карбовский, З.Д. Ковалюк, А.П. Бахтинов. ФТТ, 53, 579 (2011)
  10. С.И. Драпак, З.Д. Ковалюк, ФТП, 41, 312 (2007)
  11. Z. Li, C. de Groot, J.H. Moodera. Appl. Phys. Lett., 77, 3630 (2000)
  12. J.C. Le Breton, H. Saito, S. Yuasa, K. Ando. Appl. Phys. Lett., 94, 152101 (2009)
  13. V.I. Litvinov. Phys. Rev. B. 76, 245 305 (2007)
  14. А.П. Бахтинов, В.Н. Водопьянов, З.Д. Ковалюк, В.В. Нетяга, Д.Ю. Коноплянко. ФТП, 45, 348 (2011)
  15. M.K. Li, N.M. Kim, T.W. Kang. Appl. Phys. Lett., 91, 103 103 (2007)
  16. A.G. Petukhov, J. Niggemann, V.N. Smelyanskiy, V.V. Osipov. J. Phys.: Condens. Matter, 19, 315 205 (2007)
  17. Z.D. Kovalyuk, A.P. Bakhtinov, V.N. Vodop'yanov, A.V. Zaslonkin, V.V. Netyaga. In: Carbon Nonomaterials in Clean Energy Hydrogen Systems, ed. by B. Baranowski, S.Yu. Zaginaichenko, D.V. Schur, V.V. Skorokhod, A. Veziroglu (Springer, Netherlands, 2009)
  18. C.H. Li, G. Kioseoglou, O.M.J. van't Erve, P.E. Thompson, B.T. Jonker. Appl. Phys. Lett., 95, 172 102 (2009)
  19. Q.H. Li, S. Sakai. Appl. Phys. Lett., 89, 222 910 (2006)
  20. O.A. Balitskii, V.P. Savchyn, V.O. Yukhymchuk. Semicond. Sci. Technol., 17, L1 (2002)
  21. M. Orita, H. Ohta, M. Hirano. Appl. Phys. Lett., 77 (25), 4166 (2000)
  22. В.М. Калыгина, А.Н. Зарубина, Е.П. Найден, В.А. Новиков, Ю.С. Петрова, О.П. Толбанов, А.В. Тяжев, Т.М. Яскевич. ФТП, 45, 1130 (2011)
  23. А.П. Бахтинов, В.Н. Водопьянов, Е.И. Слынько, З.Д. Ковалюк, О.С. Литвин. Письма ЖТФ, 33 (2) 80 (2007)
  24. M. Kanoun, R. Benabderrahmane, C. Duluard, C. Baraduc, N. Bruyant, A. Bsiesy, H. Achard. Appl. Phys. Lett., 90, 192 508 (2007)
  25. M. Tran, H. Jaffres, C. Deranlot, J-M. George, A. Fert, A. Miard, A. Lemaitre. Phys. Rev. Lett., 102, 036 601 (2009)
  26. М.В. Дорохин, С.В. Зайцев, А.С. Бричкин, О.В. Вихрова, Ю.А. Данилов, Б.Н. Звонков, В.Д. Кулаковский, М.М. Прокофьева, А.Е. Шолина. ФТП, 52, 2147 (2010)
  27. T.I. Shin, H.J. Lee, W.Y. Song, S.-W. Kim, M.H. Park, C.W. Yang, D.H. Yoon. Nanotechnology, 18, 345 305 (2007)
  28. G.-H. Lee. Jpn. J. Appl. Phys., 50, 91BJ14 (2011)
  29. X. Gao, Y. Xia, J. Ji, H. Xu, Y. Su, H. Li, C. Yang, H. Guo, J. Yin, Z. Liu. Appl. Phys. Lett., 97, 193 501 (2010)
  30. E.I. Rashba. Appl. Phys. Lett., 80, 2329 (2002)
  31. J. Stakhira, V. Sachyn, V. Kytsai. Mol. Phys. Reports, 23, 184 (1999)
  32. O.V. Pupysheva, A.V. Dmitriev, A.A. Farajian, H. Mizuseki, Y. Kawazoe. J. Appl. Phys., 100, 033 718 (2006)
  33. В.М. Осадчий, В.Я. Принц. Письма ЖЭТФ, 72 (6), 451 (2000)
  34. A. Humberta, F. Salvana, C. Moutteta. Surf. Sci., 181, 307 (1987)
  35. Yu.V. Pershin, M. Di Ventra. Phys. Rev. B, 77, 073 301 (2008)
  36. A.K. Jonscher. Sol. St. Electron., 33, 139 (1990)
  37. J. Werner, A.F.J. Levi, R.T. Tung, M. Anzlowar, M. Pinto. Phys. Rev. Lett., 60 (1), 53 (1988)
  38. M. Ershov, H.C. Liu, L. Li, M. Buchanan, Z.R. Wasilewski, V. Ruzhii. Appl. Phys. Lett., 70, 1828 (1997)
  39. M. Ershov, B. Yaldiz, A.G.U. Perera, S.G. Matsik, H.C. Liu, M. Buchanan, Z.R. Wasilewski, M.D. Williams. Infr. Phys. Technol., 42, 259 (2001)
  40. Q. Liu, A. Seabaugh, P. Shahal, F.J. Morris. IEEE Trans. Electron Dev., 51 (5), 653 (2004)
  41. O.S. Wibbelhoff, A. Lorke, D. Reuter, A.D. Wieck. Appl. Phys. Lett., 86, 092 104 (2005)
  42. А.Я. Шик, Л.Г. Бакуева, С.Ф. Мусихин, А.С. Рыков. Физика низкоразмерных систем (СПб., Наука, 2001)
  43. S.-H. Han, D.-Y. Lee, H.-W. Shim, G.-C. Kim, Y.S. Kim, S.-T. Kim, S.-J. Lee, C.-Y Cho, S.-J. Park. J. Phys. D: Appl. Phys., 43, 354 004 (2010)
  44. M. Ershov, H.C. Liu, L. Li, M. Buchanan, Z.R. Wasilewski, A.K. Jonscher. IEEE Trans. Electron Dev., 45, 2196 (1998)
  45. R.A. Oliver, S.E. Bennett, T. Zhu, D.J. Beesley, M.J. Kappers, D.W. Saxey, A. Cerezo, C.J. Humphreys. J. Phys. D: Appl. Phys., 43, 354 003 (2010).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme