"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Определение энергии ионизации уровней ванадия в селениде цинка
Махний В.П.1, Кинзерская О.В.1
1Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича, Черновцы, Украина
Поступила в редакцию: 1 июня 2011 г.
Выставление онлайн: 20 января 2012 г.

Сопоставлением экспериментальных спектров оптического поглощения и фотопроводимости с формулами Луковского установлено, что примесь V в ZnSe образует акцепторные уровни с энергией ионизации 0.62 эВ.
  1. В.И. Фистуль. Атомы легирующих примесей в полупроводниках ( состояние и поведение) (М., Изд-во физ.-мат. лит., 2004)
  2. G. Lucovsky. Sol. St. Commun., 3, 299 (1965)
  3. V.P. Makhniy, O.V. Kinzerskaya, P.P. Horley. Telecommunications Radio Engin, 69 (15), 1401 (2010)
  4. V.P. Makhniy, O.V. Kinzerskaya, K.S. Ul'yanitsriy. Telecommunications Radio Engin., 68 (19), 1735 (2009)
  5. I.C. Inkson. J. Phys. C, 14, (7), 1093 (1981)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.