"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Генерация терагерцового излучения поверхностным баллистическим фототоком при субпикосекундном лазерном возбуждении полупроводников
Зезюля П.А.1, Малевич В.Л.2, Манак И.С.1, Кроткус А.3
1Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
2Институт физики им. Б.И. Степанова Национальной академии наук Беларуси, Минск, Беларусь
3Центр физических и технологических исследований, L Вильнюс, Литва
Поступила в редакцию: 20 июня 2011 г.
Выставление онлайн: 20 января 2012 г.

Построена аналитическая модель формирования поверхностного баллистического фототока при лазерном фемтосекундном возбуждении кубических полупроводников. Показано, что вклад параллельного поверхностного фототока в генерацию терагерцовых импульсов может быть сравним с вкладом нормальной компоненты фототока. Учет кубической симметрии полупроводникового кристалла приводит к азимутальной анизотропии терагерцовой генерации.
  1. Semicond. Sci. Technol. (Special issue), 20, S121--S306 (2005)
  2. K. Reimann. Rep. Progr. Phys., 70, 1597 (2007)
  3. X.-C. Zhang, D.H. Auston. J. of Appl. Phys., 71 (1), 326 (1992)
  4. Proc. of the NATO advanced research workshop on terahertz frequency detection and identification of materials and objects (Spiez, Switzerland, July 7--11, 2006) ed. by R.E. Miles, X.-C. Zhang, H. Eisele and A. Krotkus (Dordrecht, the Netherlands, Springer, 2007)
  5. Б.П. Захарченя, Д.Н. Мирлин, В.И. Перель, И.И. Решина. УФН, 136, 459 (1982)
  6. В.Л. Альперович, В.И. Белиничер, В.Н. Новиков, А.С. Терехов. ЖЭТФ, 80, 2298 (1981)
  7. В.Ф. Гантмахер, И.Б. Левинсон. Рассеяние носителей тока в металлах и полупроводниках (М., Наука, 1984)
  8. В.Д. Дымников. ФТП, 11, 1478 (1977)
  9. Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц. Теория поля (М., Наука, 1967) с. 229
  10. R. Adomaviv cius, A. Urbanowicz, G. Molis, A. Krotkus, E. v Satkovskis. Appl. Phys. Lett., 85, 2463 (2004)
  11. M. Reid, I.V. Cravetchi, R. Fedosejevs. Phys. Rev. B, 72, 035 201 (2005)
  12. A. Dargys, J. Kundrotas. Handbook on Physical Properties of Ge, Si, GaAs and InP (Vilnius, Science and Encyclopedia Publishers, 1994)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.