"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Электролюминесценция на длине волны 1.54 мкм от структуры Si : Er/Si, состоящей из ряда p-n-переходов
Кузнецов В.П.1,2, Степихова М.В.2, Шмагин В.Б.2, Марычев М.О.3, Алябина Н.А., Кузнецов М.В., Андреев Б.А.2, Корнаухов А.В., Горшков О.Н., Красильник З.Ф.2
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
3Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 12 апреля 2011 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2011 г.

Демонстрируется способ соединения нескольких p+-n-переходов в одной структуре Si : Er/Si, позволяющий увеличить интенсивность электролюминесценции на длине волны 1.54 мкм. Структуры выращены методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии.
  1. М.В. Степихова, А.М. Шаронов, В.П. Кузнецов. Патент РФ2407109, HOIL 33/04, опубликован 20.12.2010 приоритет от 5.10.2009
  2. В.П. Кузнецов, З.Ф. Красильник. ФТП, 44, 413 (2010)
  3. В.П. Кузнецов, М.В. Кузнецов, З.Ф. Красильник. ФТП, 44, 402, (2010)
  4. В.П. Кузнецов, Д.Ю. Ремизов, И.Б. Шмагин, К.Е. Кудрявцев, В.Н. Шабанов, С.В. Оболенский, О.В. Белова, М.В. Кузнецов, А.В. Корнаухов, Б.А. Андреев, З.Ф. Красильник. ФТП, 41, 1329, (2007)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.