Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Оптические свойства эпитаксиальных слоев твердых растворов Al_xIn_1-xSb

Комков О.С.¹, Семенов А.Н.², Фирсов Д.Д.¹, Мельцер Б.Я.², Соловьев В.А.², Попова Т.В.², Пихтин А.Н.¹, Иванов С.В.²

¹Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия St. Petersburg State Electrotechnical University “LETI", St. Petersburg, Russia

St. Petersburg State Electrotechnical University “LETI", St. Petersburg, Russia

²Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 28 апреля 2011 г.

Выставление онлайн: 20 октября 2011 г.

PDF версия

Проведены оптические исследования ненапряженных слоев узкозонных полупроводниковых твердых растворов Al_xIn_1-xSb, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках полуизолирующего GaAs с использованием буферного слоя AlSb. Состав твердых растворов изменялся в пределах x=0-0.52 и контролировался методом рентгеноспектрального микроанализа. Ширина запрещенной зоны E_g определялась по краю фундаментального поглощения с учетом непараболичности зоны проводимости. Уточненный коэффициент нелинейности полученной зависимости E_g(x) для Al_xIn_1-xSb составил 0.32 эВ, что на 0.11 эВ ниже общепринятого значения.

Asahi Kasei Corporation, http://www.asahi-kasei.co.jp
T. Ashley, L. Buckle, S. Datta, M.T. Emeny, D.G. Hayes, K.P. Hilton, R. Jefferies, T. Martin, T.J. Phillips, D.J. Wallis, P.J. Wilding, R. Chau. Electron. Lett., 43, 777 (2007)
K.J. Goldammer, S.J. Chung, W.K. Liul, M.B. Santos, J.L. Hicks, S. Raymond, S.Q. Murphy. J. Cryst. Growth 201/202, 753 (1999)
Landolt-Bornstein: Numerical Data and Functional relationships in Science and Technology, ed. by O. Madelung, M. Schulz, H. Wiess. (N.Y. Springer, 1982) v. 17a, 336, 612
Я. Агаев, Н.Г. Бекмедова. ФТП, 5, 1523 (1971)
S. Isomura, F.G.D. Prat, J.C. Woolley. Phys. Status. Solidi B, 65, 213 (1974)
I. Vurgaftman, J.R. Meyer, L.R. Ram-Mohan. J. Appl. Phys., 89, 5831 (2001)
S. Adachi. Properties of semiconductor alloys. Group--IV, III--V and II--VI Semiconductors (WILEY, 2009) 166
N. Dai, F. Brown, R.E. Doezema, S.J. Chung, K.J. Goldammer, M.B. Santos. Appl. Phys. Lett., 73, 3132 (1998)
А.Н. Пихтин, Х.Х. Хегази. ФТП, 43, 1301 (2009)
А.Н. Семенов, Б.Я. Мельцер, В.А. Соловьев, Т.А. Комиссарова, А.А. Ситникова, Д.А. Кириленко, А.М. Надточий, Т.В. Попова, П.С. Копьев, С.В. Иванов. ФТП, 45, 1379(2011)
J.W. Matthews, A.E. Blakeslee. J. Cryst. Growth 27, 118 (1974)
R. People, J.C. Bean. Appl. Phys. Lett., 47, 322 (1985)
А.Н. Пихтин, А.Д. Яськов. ФТП, 22, 969 (1988)
А.В. Раков. Спектрофотометрия тонкопленочных полупроводниковых структур (М., Сов. Радио, 1975)
P.K. Chakraborty, L.J. Singh, K.P. Ghatak. J. Appl. Phys., 95, 5311 (2004)
A. Joullie, B. Girault, A.M. Joullie, A. Zien-Eddine. Phys. Rev. B, 25, 7830 (1982).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель