Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2011, выпуск 11 » Статья стр. 1481
<<<>>>
Оптические свойства эпитаксиальных слоев твердых растворов AlxIn1-xSb
Комков О.С.1, Семенов А.Н.2, Фирсов Д.Д.1, Мельцер Б.Я.2, Соловьев В.А.2, Попова Т.В.2, Пихтин А.Н.1, Иванов С.В.2
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 28 апреля 2011 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2011 г.
PDF версия
Проведены оптические исследования ненапряженных слоев узкозонных полупроводниковых твердых растворов AlxIn1-xSb, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках полуизолирующего GaAs с использованием буферного слоя AlSb. Состав твердых растворов изменялся в пределах x=0-0.52 и контролировался методом рентгеноспектрального микроанализа. Ширина запрещенной зоны Eg определялась по краю фундаментального поглощения с учетом непараболичности зоны проводимости. Уточненный коэффициент нелинейности полученной зависимости Eg(x) для AlxIn1-xSb составил 0.32 эВ, что на 0.11 эВ ниже общепринятого значения.
  1. Asahi Kasei Corporation, http://www.asahi-kasei.co.jp
  2. T. Ashley, L. Buckle, S. Datta, M.T. Emeny, D.G. Hayes, K.P. Hilton, R. Jefferies, T. Martin, T.J. Phillips, D.J. Wallis, P.J. Wilding, R. Chau. Electron. Lett., 43, 777 (2007)
  3. K.J. Goldammer, S.J. Chung, W.K. Liul, M.B. Santos, J.L. Hicks, S. Raymond, S.Q. Murphy. J. Cryst. Growth 201/202, 753 (1999)
  4. Landolt-Bornstein: Numerical Data and Functional relationships in Science and Technology, ed. by O. Madelung, M. Schulz, H. Wiess. (N.Y. Springer, 1982) v. 17a, 336, 612
  5. Я. Агаев, Н.Г. Бекмедова. ФТП, 5, 1523 (1971)
  6. S. Isomura, F.G.D. Prat, J.C. Woolley. Phys. Status. Solidi B, 65, 213 (1974)
  7. I. Vurgaftman, J.R. Meyer, L.R. Ram-Mohan. J. Appl. Phys., 89, 5831 (2001)
  8. S. Adachi. Properties of semiconductor alloys. Group--IV, III--V and II--VI Semiconductors (WILEY, 2009) 166
  9. N. Dai, F. Brown, R.E. Doezema, S.J. Chung, K.J. Goldammer, M.B. Santos. Appl. Phys. Lett., 73, 3132 (1998)
  10. А.Н. Пихтин, Х.Х. Хегази. ФТП, 43, 1301 (2009)
  11. А.Н. Семенов, Б.Я. Мельцер, В.А. Соловьев, Т.А. Комиссарова, А.А. Ситникова, Д.А. Кириленко, А.М. Надточий, Т.В. Попова, П.С. Копьев, С.В. Иванов. ФТП, 45, 1379(2011)
  12. J.W. Matthews, A.E. Blakeslee. J. Cryst. Growth 27, 118 (1974)
  13. R. People, J.C. Bean. Appl. Phys. Lett., 47, 322 (1985)
  14. А.Н. Пихтин, А.Д. Яськов. ФТП, 22, 969 (1988)
  15. А.В. Раков. Спектрофотометрия тонкопленочных полупроводниковых структур (М., Сов. Радио, 1975)
  16. P.K. Chakraborty, L.J. Singh, K.P. Ghatak. J. Appl. Phys., 95, 5311 (2004)
  17. A. Joullie, B. Girault, A.M. Joullie, A. Zien-Eddine. Phys. Rev. B, 25, 7830 (1982).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme