"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Спинодальный распад четверных твердых растворов GaxIn1-xAsyP1-y
Середин П.В.1, Глотов А.В.1, Терновая В.Е.1, Домашевская Э.П.1, Арсентьев И.Н.2, Вавилова Л.С.2, Тарасов И.С.2
1Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 25 апреля 2011 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2011 г.

Методами рентгеноструктурного анализа, растровой электронной и атомно-силовой микроскопии и фотолюминесцентной спектроскопии показана возможность получения на поверхности жидкофазных эпитаксиальных гетероструктур мелкомасштабной доменной структуры, возникающей в результате спинодального распада четверного твердого раствора GaxIn1-xAsyP1-y по причине несмешиваемости его компонентов и релаксации параметра его кристаллической решетки к окружающим слоям.
  1. T.P. Pearsall. GaInAsP alloy semiconductors (N.Y., Wiley, 1982)
  2. Л.С. Вавилова, А.В. Иванова, В.А. Капитонов, А.В. Мурашова, И.С. Тарасов, И.Н. Арсентьев, Н.А. Бурт, Ю.Г. Мусихин, Н.А. Пихтин, Н.Н. Фалеев. ФТП, 32 (6), 658 (1998)
  3. Л.С. Вавилова, В.А. Капитонов, Д.А. Лившиц, А.В. Лютецкий, А.В. Мурашова, Н.А. Пихтин, Г.В. Скрынников, И.С. Тарасов. ФТП, 34 (3), 325 (2000)
  4. N.A. Bert, A.T. Gorelenok, A.G. Dzigasov, S.G. Konnikov, T.B. Popova, V.K. Tiblov. J. Cryst. Growth, 52, 716 (1981)
  5. L.S. Vavilova, V.A. Kapitonov, A.V. Murashova, N.A. Pikhtin, I.S. Tarasov, I.P. Ipatova, V.A. Shchukin, N.A. Bert, A.A. Sitnikova. ФТП, 33 (9), 1010 (1999)
  6. O. Ueda, S. Isozumi, S. Komiya. Jap. J. Appl. Phys., 23 (4), L241 (1984)
  7. C. Mendorf, G. Brockt, Q. Liu, F. Schulze, E. Kubalek, I. Rechenberg, A. Knauer, A. Behres, M. Heuken, K. Heime, H. Lakner. Inst. Phys. Conf. Ser. N 157; Microsc. Semicond. Mater. Conf., Oxford, 7--10 April, 251 (1997)
  8. P. Henoc, A. Izrael, M. Quillec, H.L. Launois. Appl. Phys. Lett., 40 (11), 963 (1982)
  9. F. Gals, M.M.J. Treacy, M. Quillec, H. Launois. Journal de physique, C5 (43), 5 (1982)
  10. I.P. Ipatova, V.G. Malyshkin. ФТП, 27 (2), 285 (1993)
  11. S. Mukai. J. Appl. Phys., 54 (5), 2635 (1983)
  12. A. Knauer, G. Erbert, S. Gramlich, A. Oster, E. Richter, U. Zeimer, M. Weyers. J. Electron. Mater., 24 (11), 1655 (1995)
  13. Э.П. Домашевская, П.В. Середин, Э.А. Долгополова, И.Е. Занин, И.Н. Арсентьев, Д.В. Винокуров, А.Л. Станкевич, Arsent'ev, D.A. Vinokurov, A.L. Stankevich. ФТП, 39 (3), 336 (2005)
  14. Yu.A. Goldberg. Handbook Series on Semiconductor Parameters, ed. by M. Levinshtein, S. Rumyantsev, M. Shur. (World Scientific, London, 1999) 2, 1
  15. V.L. Alperovich, Yu.B. Bolkhovityanov, S.I. Chikichev, A.G. Paulish, A.S. Terekhov, A.S. Yaroshevich. ФТП 35 (9), 1054 (2001)
  16. C. Lamberti. Surface Science Reports, 53 (2004)
  17. N. Nakajima, A. Yamaguchi, K. Akita, T. Kotani. J. Electrochem. Soc. 125, 123 (1978)
  18. И.Н. Арсентьев, Д.З. Гарбузов, С.Г. Конников, К.Ю. Погребицкий, А.Е. Свелокузов, Н.Н. Фалеев, А.В. Чудинов. ФТП, 20 (12), 2206 (1986)
  19. И.Н. Арсентьев. Автореф. докт. дис. (Л., ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, 1989)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.