Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Электронные состояния эпитаксиального графена, сформированного на карбиде кремния
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 24 января 2011 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2011 г.
Получено аналитическое выражение для плотности состояний монослоя графена, взаимодействующего с поверхностью карбида кремния (эпитаксиальный графен). Плотность состояний карбида кремния описывается в рамках модели Халдейна-Андерсона. Показано, что в результате взаимодействия графена с подложкой в его плотности состояний возникает узкая щель ~0.01-0.06 эВ. Приведены оценки заряда атомов графена: показано, что на один атом графена из подложки переходит заряд ~10-3-10-2e.
- A.H. Castro Neto, F. Guinea, N.M.R. Peres, K.S. Novoselov, A.K. Gleim. Rev. Mod. Phys., 81 (1), 109 (2008)
- D.V. Badami. Carbon, 3, 53 (1965)
- A.J. Van Bommel. Surf. Sci., 48, 463 (1975)
- A. Charrier, A. Coati, T. Argunova, F. Thibaudau, Y. Garreau, R. Pinchaux, I. Forbeaux, J.-M. Debever, M. Sauvage-Simkin, J.-M. Themlin. J. Appl. Phys., 92, 2479 (2002)
- C. Berger, Z. Song, T. Li, A.Y. Ogbazghi, R. Feng, Z. Dai, A.N. Marchenkov, E.H. Conrad, P.N. First, W.A. de Heer. J. Phys. Chem. B, 108, 19 912 (2004)
- E. Rollings, G.-H. Gweon, S.Y. Zhou, B.S. Mun, J.L. McChesney, B.S. Hussain, A.V. Fedorov, P.N. First, W.A. de Heer, A. Lanzara. arXiv: cond-mat/0512226, v. 2, 2 Oct., 2006
- С.Ю. Давыдов, А.А. Лебедев, Н.Ю. Смирнова. ФТТ, 51 (3), 452 (2009)
- C. Riedel, C. Coletri, T. Iwasaki, A.A. Zakharov, U. Starke, U. Starke. Phys. Rev. Lett., 103, 246 804 (2009)
- J. Soltys. J. Piechota, M. Lopuszynski, S. Krukowski. arXiv: 1002.4717
- С.Ю. Давыдов, А.А. Лебедев. Письма ЖТФ, 36 (18), 55 (2010)
- W. Chen, S. Chen, D. Chen Qj, X.Y. Gao, A.T.S. Wee. J. Amer. Chem. Soc., 129 (34), 10422 (2007)
- H. Pinto, R. Jones, J.P. Gross, P.R. Briddon. J. Phys.: Condens. Matter., 21, 402001 (2009)
- C. Coleti, C. Riedel, D.S. Lee, B. Krauss, L. Patthey, K. von Klitzing, J.H. Smet, U. Starke. Phys. Rev. B, 81, 235 401 (2010)
- С.Ю. Давыдов. ФТП, 45(5), 629 (2011)
- P.W. Anderson. Phys. Rev., 124 (1), 41 (1961)
- D.M. Newns. Phys. Rev., 178 (3), 1123 (1969)
- F.D.M. Haldane, P.W. Anderson. Phys. Rev. B, 13 (6), 2553 (1976)
- С.Ю. Давыдов, С.В. Трошин. ФТТ, 49(8), 1508 (2007)
- С.Ю. Давыдов. ФТП, 31 (10), 1236 (1997)
- С.Ю. Давыдов. ФТП, 41 (6), 718 (2007)
- A. Mattausch, O. Pankratov. Phys. Rev. Lett., 99, 076 802 (2007)
- W. Chen, S. Chen, D. Chen Qj, X.Y. Gao, A.T.S. Wee. J. Amer. Chem. Soc., 129 (34), 10 422 (2007)
- I. Giertz, C. Riedl, U. Starke, C.R. Ast, K. Kern. Nano Lett., 8 (12), 4603 (2008)
- Y.-J. Yu, Y. Zhao, S. Ryu, L.E. Brus, K.S. Kin, P. Kim. Nano Lett., 9 (10), 3430 (2009)
- N. Park, B.-K. Kim, J.-O. Lee, J.-J. Kim. Appl. Phys. Lett., 95, 243 105 (2009)
- С.Ю. Давыдов, Г.И, Сабирова. ФТТ. 53 (3), 608 (2011)
- С.Ю. Давыдов, Г.И. Сабирова. Письма ЖТФ, 36 (24), 77 (2010)
- S.Y. Zhou, G.-H. Gweon, A.V. Fedorov, P.N. First, W.A. de Heer, D.-H. Lee, F. Guinea, A.H. Castro Neto, A. Lanzara Nature Mater., 6, 770 (2007)
- L. Vitalis, C. Riedl, R. Ohmann, I. Brihuega, U. Starake, K. Kern. Surf. Sci., 602, L127 (2008)
- T. Seyller, A. Bostwick, K.V. Emtsev, K. Horn, L. Ley, J.L. McChesney, T. Ohta, J.D. Riley, E. Rotenberg, F. Speck. Phys. Status Solidi B 245, 1436 (2008).
- O. Pankratov, S. Hendel, M. Bockstedte. arXiv: 1009.2185
- S. Kopylov, A. Tzalenchuk, S. Kubatkin, V.I. Val'ko. Appl. Phys. Lett., 97, 112 109 (2010).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
