Вышедшие номера
Оптическое поглощение в сверхрешетках квантовых точек InAs/GaAs в электрическом поле при комнатной температуре
Соболев М.М.1, Гаджиев И.М.1, Бакшаев И.О.1, Неведомский В.Н.1, Буяло М.С.1, Задиранов Ю.М.1, Портной Е.Л.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 25 января 2011 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2011 г.

Мы сообщаем о результатах экспериментальных исследований при комнатной температуре спектров электролюминесценции и поглощения 10-слойной сверхрешетки квантовых точек InAs/GaAs, встроенной в двухсекционный лазер с секциями одинаковой длины. Толщина прослойки GaAs между слоями КТ InAs, определенная с помощью просвечивающей электронной микроскопии, была около 6 нм. В отличие от туннельно-связанных КТ, сверхрешетки КТ демонстрируют усиление оптической поляризации интенсивности излучения и волноводного поглощения ТМ-моды по сравнению с TE-модой. Было установлено, что изменения мультимодального периодического спектра дифференциального поглощения структуры со сверхрешеткой квантовых точек находятся в сильной линейной зависимости от величины приложенного к структуре электрического поля. Наблюдаемое поведение спектров дифференциального поглощения является демонстрацией эффекта Ваннье-Штарка в сверхрешетке квантовых точек InAs/GaAs, в которой наличие внешнего электрического поля приводит к подавлению связывания волновых функций состояний электронов мини-зон и к образованию серии дискретных уровней, называемых состояниями лестницы Ваннье-Штарка.