Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2011, выпуск 8 » Статья стр. 1095
<<<>>>
Оптическое поглощение в сверхрешетках квантовых точек InAs/GaAs в электрическом поле при комнатной температуре
Соболев М.М.1, Гаджиев И.М.1, Бакшаев И.О.1, Неведомский В.Н.1, Буяло М.С.1, Задиранов Ю.М.1, Портной Е.Л.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 25 января 2011 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2011 г.
PDF версия
Мы сообщаем о результатах экспериментальных исследований при комнатной температуре спектров электролюминесценции и поглощения 10-слойной сверхрешетки квантовых точек InAs/GaAs, встроенной в двухсекционный лазер с секциями одинаковой длины. Толщина прослойки GaAs между слоями КТ InAs, определенная с помощью просвечивающей электронной микроскопии, была около 6 нм. В отличие от туннельно-связанных КТ, сверхрешетки КТ демонстрируют усиление оптической поляризации интенсивности излучения и волноводного поглощения ТМ-моды по сравнению с TE-модой. Было установлено, что изменения мультимодального периодического спектра дифференциального поглощения структуры со сверхрешеткой квантовых точек находятся в сильной линейной зависимости от величины приложенного к структуре электрического поля. Наблюдаемое поведение спектров дифференциального поглощения является демонстрацией эффекта Ваннье-Штарка в сверхрешетке квантовых точек InAs/GaAs, в которой наличие внешнего электрического поля приводит к подавлению связывания волновых функций состояний электронов мини-зон и к образованию серии дискретных уровней, называемых состояниями лестницы Ваннье-Штарка.
  1. N.N. Ledentsov, V.A. Shchukin, M. Grundmann, N. Kirstaedter, J. Bohrer, O. Schmidt, D. Bimberg, V.M. Usitnov, A.Yu. Egorov, A.E. Zhukov, P.S. Kop'ev, S.V. Zaitsev, N.Yu. Gordeev, Zh.I. Alferov, A.I. Borovkov, A.O. Kosogov, S.S. Ruvimov, P. Werner, U. Gosele, J. Heydenrech. Phys. Rev. B, 54, 8743 (1996)
  2. D. Bimberg, M. Grundmann, N.N. Ledentsov. Quantum Dot Heterostructures (Wiley, Chichester, 1998)
  3. B. Partoens, F.M. Peeters. Phys. Rev. Lett., 84, 4433 (2000)
  4. F. Troiani, U. Hohenester, E. Molinari. Phys. Rev. B, 65, 161 301 (2002)
  5. W. Sheng, J.-P. Leburton. Phys. Rev. Lett., 86 (16), 167 401 (2002)
  6. M. Bayer, P. Hawrylak, K. Hinzer, S. Fafard, M. Korkusinski, Z.R. Wasilewski, O. Stern, A. Forchel. Science, 291, 451 (2001)
  7. G. Ortner, I. Yugova, G. Baldassarri, Hoger von Hogersthal, A. Larionov, H. Kurtze, D.R. Yakovlev, M. Bayer, S. Fafard, Z. Wasilewski, P. Hawrylak, Y.B. Lyanda-Geller, T.L. Reinecke, A. Babinski, M. Potemski, V.B. Timofeev, A. Forchel. Phys. Rev. B, 71, 125 335 (2005)
  8. М.М. Соболев, Г.Э. Цырлин, Ю.Б. Самсоненко, Н.К. Поляков, А.А. Тонких, Ю.Г. Мусихин. ФТП, 39, 131 (2005)
  9. М.М. Соболев, А.Е. Жуков, А.П. Васильев, Е.С. Семенова, В.С. Михрин, Г.Э. Цырлин, Ю.Г. Мусихин. ФТП, 40, 84 (2006)
  10. V.G. Talalaev, G.E. Cirlin, A.A. Tonkikh, N.D. Zakharov, J.W. Tomm, P. Werner, U. Gosele. Nanoscale Res. Lett., 1 (2), 137 (2006)
  11. M.M. Sobolev, G.E. Cirlin, A.A. Tonkikh. Physica B: Condens. Matter, 401--402, 576 (2007)
  12. М.М. Соболев, Г.Э. Цырлин, А.А. Тонких, Н.Д. Захаров. ФТП, 42, 311 (2008)
  13. М.М. Соболев, А.П. Васильев, В.Н. Неведомский. ФТП, 44, 790 (2010)
  14. М.М. Соболев, Е.Л. Портной, И.М. Гаджиев, И.М. Бакшаев, В.С. Михрин, В.Н. Неведомский, М.С. Буяло, Ю.М. Задиранов. ФТП, 43, 512 (2009)
  15. V.V. Nikolaev, N.S. Averkiev, M.M. Sobolev, I.M. Gadzhiyev, I.O. Bakshaev, M.S. Buyalo, E.L. Portnoi. Phys. Rev. B, 80, 205 304 (2009)
  16. A. Gubenko, D. Livshits, I. Krestnikov, S. Mikhrin, A. Kozhukhov, A. Kovsh, N. Ledentsov, A. Zhukov, E. Portnoi. Electron. Lett., 41, 1124 (2005)
  17. Е.Л. Портной, И.М. Гаджиев, А.Е. Губенко, М.М. Соболев, А.Р. Ковш, И.О. Бакшаев. Письма ЖТФ, 33 (16), 28 (2007)
  18. A.M. Adawi, E.A. Zibik, L.R. Wilson, A. Lema\^itre, W.D. Sheng, J.W. Cockburn, M.S. Skilnick, J.P. Leburton, M. Hopkinson, G. Hill, S.L. Liew, A.G. Cullis. Phys. Status Solidi B, 238, 341 (2003)
  19. T.T. Chen, Y.F. Chen, J.S. Wang, Y.S. Huang, R.S. Hsiao, J.F. Chen, C.M. Lai, J.Y. Chi. Semicond. Sci. Technol., 22, 1077 (2007)
  20. Tomoya Inoue, Masaki Asada, Nami Yasuoka, Osamu Kojima, Takashi Kina, Osamu Wada. J. Appl. Phys., 96, 211 906 (2010)
  21. Toshio Saito, Hiroji Ebe, Yasuhiko Arakawa, Takaaki Kakitsuka, Mitsuru Sugawara. Phys. Rev. B, 77, 195 318 (2008)
  22. E.A. Avrutin, I.E. Chebunina, I.A. Eliachevitch, S.A. Gurevich, M.E. Portnoi, G.E. Stengel. Semicond. Sci. Technol., 8, 80 (1993)
  23. V.V. Nikolaev, N.S. Averkiev. Appl. Phys. Lett., 95, 263 107 (2009)
  24. F. Agullo-Rueda, E.E. Mendez, J.M. Hong. Phys. Rev. B, 40, 1357 (1989-I).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2023 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme