"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Фоточувствительные тонкопленочные барьеры Шоттки In/p-PbxSn1-xS: создание и свойства
Гременок В.Ф.1, Рудь В.Ю.2, Рудь Ю.В.3, Башкиров С.А.1, Иванов В.А.1
1Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению, Минск, Беларусь
2Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 12 января 2011 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2011 г.

Методом "горячей стенки" при температурах подложки 210-330oC получены тонкие пленки PbxSn1-xS. Исследованы микроструктура, элементный состав, морфология и электрические характеристики пленок. На основе полученных пленок впервые созданы фоточувствительные барьеры Шоттки In/p-PbxSn1-xS. Исследованы спектры фоточувствительности этих структур, из которых определены характер межзонных переходов и значения ширины запрещенной зоны. Сделан вывод о возможностях применения тонких поликристаллических пленок PbxSn1-xS в фотопреобразователях солнечного излучения.
  1. D. Bonnet, P. Meyers. J. Mater. Res., 13, 2740 (1998)
  2. M.Y. Versavel, J.A. Haber. Thin Sol. Films 515, 5767 (2007)
  3. M.A. Green, K. Emery, Y. Hishikawa, W. Warta. Progr. Photovolt.: Res. Appl., 18, 346 (2010)
  4. B.A. Anderson. Progr. Photovolt.: Res. Appl., 8, 61 (2000)
  5. K. Matsune, H. Oda, T. Toyama, H. Okamoto, Y. Kudriavysevand, R. Asomoza. Sol. Energy Mater. Solar Cells, 90, 18 (2006)
  6. H. Dittrich, D.J. Vaughan, R.A.D. Pattrick, S. Graeser, M. Lux-Steiner, R. Kunst, D. Lincot (eds). Proc 13th Eur. Photovoltaic Solar Emergy Conf. (Nice, France, October 23-27, 1995) p. 1299
  7. K.N. Reddy, K. Ramesh, R. Ganesan, R.K.T. Reddy, K.R. Gunasekhar, E.S.R. Gopal. Appl. Phys. A, 83, 133 (2006)
  8. A. Luque, A. Marti. Handbook of Photovoltaic Science and Engineering (John Wiley and Sons Ltd., Chichester, West Sussex, England, 2003)
  9. J.J. Loferski. J. Appl. Phys., 27, 777 (1956)
  10. K.T.R. Reddy, N.K. Reddy, R.W. Miles. Sol. Energy Mater. Solar Cells, 90, 3041 (2006)
  11. W. Albers, C. Haas, H.J. Vink, J.D. Wasscher. J. Appl. Phys., 32, 2220 (1961)
  12. A. Rau. J. Phys. Chem. Sol., 27, 761 (1966)
  13. H.A. Lichanot, S. Gromb. J. Chem. Phys. et Phys.-Chem. Biol., 67, 1239 (1970)
  14. M. Devika, N. Koteeswara Reddy, D. Sreekantha Reddy, S. Venkatramana Reddy, K. Ramesh, E.S.R. Gopal, K.R. Gunasekhar, V. Ganesan, Y.B. Hahn. J. Phys.: Condens. Matter, 19, 306 003 (2007)
  15. A. Ghazali, Z. Zainal, M.Z. Hussein, A. Kassim. Sol. Energy Mater. Solar Cells, 55, 237 (1998)
  16. B. Subramanian, C. Sanjeeviraja, M. Jayachandran. Sol. Energy Mater. Solar Cells, 79, 57 (2003)
  17. M. Sugiyama, K. Miyauchi, T. Minemura, K. Ohtsuka, K.I. Noguchi, H.I. Nakanishi. Jpn. J. Appl. Phys., 47, 4494 (2008)
  18. E.P. Zaretskaya, V.F. Gremenok, V.A. Ivanov, S.A. Bashkirov, V.B. Zalesski, B.I. Kovalevski. Proc. EPSEC-24, Hamburg, Germany, 21-25 September (2009) p. 262
  19. A. Ortiz, J.C. Alonso, M. Garcia, J. Toriz. Semicond. Sci. Technol., 11, 243 (1996)
  20. A. Tanuvsevski, D. Poelman. Sol. Energy Mater. SWolar Cells, 80, 297 (2003)
  21. N.K. Reddy, K.T.R. Reddy. Thin Sol. Films, 325, 4 (1998)
  22. M. Devika, K.T.R. Reddy, N.K. Reddy, K. Ramesh, R. Ganesan, E.S.R. Gopal, K.R. Gunasekhar. J. Appl. Phys., 100, 023 518 (2006)
  23. M. Devika, N.K. Reddy, K. Ramesh, K.R. Gunasekhar, E.S.R. Gopal, K.T.R. Reddy. Semicond. Sci. Technol., 21, 1125 (2006)
  24. M. Devika, N.K. Reddy, D.S. Reddy, S.V. Reddy, K. Ramesh, E.S.R. Gopal, K.R. Gunasekhar, V. Ganesan, Y.B. Hahn. J. Phys.: Condens. Matter, 19, 306 003 (2007)
  25. M. Devika, N.K. Reddy, K. Ramesh, V. Ganesan, E.S.R. Gopal, K.T.R. Reddy. Appl. Surf. Sci., 253, 1673 (2006)
  26. A. Lopez-Otero. Thin Sol. Films, 49, 3 (1978)
  27. D.M. Unuchak, K. Bente, G. Kloess, W. Schmitz, V.F. Gremenok, V.A. Ivanov, V. Ukhov. Phys. Status Solidi C, 6, 1191 (2009)
  28. D.M. Unuchak, K. Bente, V.A. Ivanov, V.F. Gremenok. Cryst. Res. Technol., 1--4, / DOI 10.1002/crat.201000440 (2010)
  29. K. Bente, D.M. Unuchak, V.F. Gremenok, V.A. Ivanov, S.A. Bashkirov. Proc. EPSEC-25, Valencia, Spain, 6-10 September (2010)
  30. V. Gremenok, D. Unuchak, V. Lazenka, K. Bente, V. Ivanov, S. Bashkirov, I. Tashlykov, A. Turovets. Proc. ICTMC17, Baku, Azerbaijan, 27-30 September (2010) p. 24
  31. K. Hayashi, A. Kitakaze, A. Sugaki. Mineral. Magazine, 65, 645 (2001)
  32. И.В. Боднарь, Т.Л. Кушнер, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь, М.В. Якушев. ЖПС, 69, 520 (2002)
  33. A. Shileika. Surf. Sci., 37, 730 (1973)
  34. А.А. Вайполин, Ф.М. Гашимзаде, Н.А. Горюнова, Ф.П. Кесаманлы, Д.Н. Наследов, Э.О. Османов, Ю.В. Рудь. Изв. АН СССР. Сер. физ., 38, 1085 (1964)
  35. V.Yu. Rud', Yu.V. Rud', M. Serginov. ФТП, 26, 506 (1992)
  36. Ю.И. Уханов. Оптические свойства полупроводников (М., Наука, 1977)
  37. S.M. Sze. Physics of Semiconductors Devices (N. Y., Willey Interscience Publ., 1981).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.