"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Формирование одиночных GaAs нитевидных нанокристаллов на вольфрамовом острие и исследование их электрических характеристик
Голубок А.О.1,2, Самсоненко Ю.Б.1,3,4, Мухин И.С.2,3, Буравлев А.Д.3,4, Цырлин Г.Э.1,3,4
1Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики (Университет ИТМО), Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 12 января 2011 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2011 г.

Предложен метод формирования одиночных полупроводниковых GaAs-нановискеров и их ансамблей на вершине химически заточенного вольфрамового острия в установке молекулярно-пучковой эпитаксии. Для выделения одиночного нановискера использовалась техника сфокусированного ионного пучка. Электронные свойства одиночных нановискеров исследовались с помощью упругой туннельной спектроскопии в условиях сверхвысокого вакуума. Измеренные вольт-амперные характеристики позволили оценить ширину запрещенной зоны GaAs-вискеров и степень легирования структуры.
  1. N.N. Ledentsov, J. Bohrer, D. Bimberg. MRS Symposia Proc., 421, 133 (1996)
  2. А.Е. Жуков, А.Р. Ковш. Квант. электрон., 38 (5), 409 (2008)
  3. E. Kapon. Semiconductor Lasers (San Diego, Academic Press, 1999)
  4. Y. Li, J. Xiang, F. Quang, S. Gradecak, Y. Wu, H. Yan, D.A. Blom, C.M. Lieber. NanoLett., 6, 1468 (2006)
  5. V.G. Dubrovskii, I.P. Soshnikov, N.V. Sibirev, G.E. Cirlin, A.A. Tonkikh, Yu.B. Samsonenko, V.M. Ustinov. Phys. Rev. B, 71 (105), 325 (2005)
  6. P. Poncharal, Z.L. Wang, D. Ugarte, W.A. de Heer. Science, 283, 1513 (1999)
  7. А.М. Кривцов, Н.Ф. Морозов. ФТТ, 44 (12), 2158 (2002)
  8. X. Duan, Yu Huang, Yu Cui, J. Wang, Ch.M. Lieber. Nature, 409, 66 (2001)
  9. K. Haraguchi, T. Katsuyama, K. Hiruma, K. Ogawa. Appl. Phys. Lett., 60, 745 (1991)
  10. П.А. Дементьев, М.С. Дунаевский, Ю.Б. Самсоненко, Г.Э. Цырлин, А.Н. Титков. ФТП, 44 (5), 636 (2010)
  11. A.O. Golubok, D.N. Davydov, S.A. Rykov. Ultramicroscopy, 42--44, 878 (1992)
  12. Г.Э. Цырлин, В.Г. Дубровский, Н.В. Сибирев, И.П. Сошников, Ю.Б. Самсоненко, А.А. Тонких, В.М. Устинов. ФТП, 39, 587 (2005)
  13. Э. Бурштейн, С. Лундквист. Туннельные явления в твердых телах (М., Мир, 1973)
  14. С.В. Вонсовский. Современная естественно-научная картина мира (РХД, 2006)
  15. В. Гуртов. Твердотельная электроника (Техносфера, 2005)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.