"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Четверные твердые растворы (FeIn2S4)x(MnIn2S4)1-x и фоточувствительные структуры на их основе
Боднарь И.В.1, Рудь В.Ю.2, Рудь Ю.В.3, Ложкин Д.В.1
1Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
2Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 15 декабря 2010 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2011 г.

Методом направленной кристаллизации расплава (FeIn2S4)x(MnIn2S4)1-x выращены гомогенные кристаллы аналогичного атомного состава во всем интервале показателя состава 1>= x>=0. Установлено, что кристаллы непрерывного ряда четверных твердых растворов в диапазоне x=0-1 кристаллизуются в структуре шпинели, причем параметр элементарной ячейки a обнаружил линейную зависимость от значения x. Установлена возможность получения фоточувствительных структур In(Al)/(FeIn2S4)x(MnIn2S4)1-x. Получены спектры относительной квантовой эффективности фотопреобразования впервые созданных структур In(Al)/(FeIn2S4)x(MnIn2S4)1-x при комнатной температуре. Из анализа этих спектров определены энергии прямых и непрямых межзонных переходов для кристаллов твердых растворов (FeIn2S4)x(MnIn2S4)1-x и обсуждается зависимость этих параметров от показателя состава позиционно-разупорядоченных фаз указанных твердых растворов. Сделан вывод о возможностях использования кристаллов растворов (FeIn2S4)x(MnIn2S4)1-x в широкополосных фотопреобразователях оптического излучения.
  1. Н.А. Горюнова. Сложные алмазоподобные полупроводники (М. Сов. радио, 1968)
  2. Ж.И. Алфёров, Б.В. Царенков. ФТП, 19, 2113 (1985)
  3. В.И. Стафеев. ФТП, 44, 577 (2010)
  4. I.M. Tiginyanu, V.V. Ursaki, F.J. Manjon, V.E. Tezlevan. J. Phys. Chem. Sol., 64, 1603 (2003)
  5. Н.Н. Нифтиев, О.Б. Тагиев. ФТП, 38, 164 (2004)
  6. А.В. Ведяев. УФН, 172, 1458 (2002)
  7. E. Agostinelli, D. Fiorani, A.M. Testa. Fundamental and Applicative Aspects of Disordered Magnetism (World Scientific Publ. Co, Singapore 30, 1988)
  8. V. Sagredo, M.C. Moron, L. Betancouri, G.E. Delgado. J. Magn. Mater., 312, 294 (2007)
  9. И.В. Боднарь, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь, Е.И. Теруков. ФТП, 44, 39 (2010)
  10. В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь, М.А. Осипова, И.В. Боднарь. ФТП, 44, 48 (2010)
  11. S.M. Sze. Physics of Semiconductor Devices (N.Y., Willey Interscience Publ., 1981)
  12. H.D. Lutz, M. Feher. Spectrochim. Acta, 27A, 357 (1971)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.