Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Фотопроводимость многослойных структур Si/Ge с квантовыми точками Ge, псевдоморфными к Si-матрице
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия 
Поступила в редакцию: 30 ноября 2010 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2011 г.
Исследованы спектры продольной фотопроводимости многослойных структур Si/Ge с квантовыми точками Ge, полученными псевдоморфно к Si-матрице. Наблюдались линии оптических переходов между дырочными уровнями квантовых точек и электронными состояниями Si. Это позволило построить подробную энергетическую диаграмму электронно-дырочных уровней структуры. Показано, что дырочные уровни псевдоморфных квантовых точек Ge хорошо описываются с помощью простейшей модели "квантового ящика" с использованием реальных размеров островков Ge. Установлена возможность управления положением длинноволновой границы фоточувствительности с помощью изменения параметров роста структур Si/Ge с квантовыми точками Ge.
- O.G. Schmidt, K. Eberl. Phys. Rev. B, 61, 1372 (2000)
- J. Wan, G.L. Jin, Z.M. Luo, J.L. Lio, K.L. Wang. Appl. Phys. Lett., 78, 1763 (2001)
- K. Brunner. Rep. Progr. Phys., 65, 27 (2002)
- U. Denker, M. Stoffel, O.G. Schmidt. Appl. Phys. Lett., 82, 454 (2003)
- S. Tong, J.L. Liu, J. Wan, Kang L. Wang. Appl. Phys. Lett., 80, 1189 (2002)
- S.K. Zhang, H.J. Zhu, F. Lu, Z.M. Jiang, Xun Wang. Phys. Rev. Lett., 80, 3340 (1998)
- C. Miesner, T. Asperger, K. Brunner, G. Abstreiter. Appl. Phys. Lett., 77, 2704 (2000)
- H. Zou, S. Huang, Y. Rao, Z. Jiang, F. Lu. Sol. St. Commun., 125, 161 (2003)
- A.B. Talochkin, I.B. Chistokhin, V.A. Markov. Nanotechnology, 20, 175 401 (2009)
- A.V. Baranov, A.V. Fedorov, T.S. Perova, R.A. Moore, V. Yam, D. Bouchier, V. Le Thanh, K. Berwick. Phys. Rev. B, 73, 075 322 (2006)
- A.B. Talochkin, V.A. Markov, V.I. Mashanov. Appl. Phys. Lett., 91, 093 127 (2007)
- C.G. Van de Walle, M.R. Martin. Phys. Rev. B, 34, 5621 (1986)
- S.V. Kondratenko, A.S. Nikolenko, O.V. Vakulenko, M.Ya. Valakh, V.O. Yukhymchuk, A.V. Dvurechenskii, A.I. Nikiforov. Nanotechnology, 19, 145 703 (2008)
- A.B. Talochkin, A.G. Cherkov. Nanotechnology, 20, 345 702 (2009)
- B. Voiglander. Surf. Sci. Rep., 43, 127 (2001)
- M.W. Dashiell, U. Denker, C. Muller, G. Costantini, C. Manzano, K. Kern, O.G. Schmidt. Appl. Phys. Lett., 80, 1279 (2002)
- G. Costantini, A. Rastelli, C. Manzano, R. Songmuang, O.G. Schmidt, K. Kern, Y. Von Kanel. Appl. Phys. Lett., 85, 5673 (2004)
- V.A. Markov, H.H. Cheng, Chih-ta Chia, A.I. Nikiforov, V.A. Cherepanov, O.P. Pchelyakov, K.S. Zhuravlev, A.B. Talochkin, E. Mc Glynn, M.O. Henry. Thin Sol. Films, 369, 79 (2000)
- А.Б. Талочкин, И.Б. Чистохин, В.А. Марков. ФТП. 43 (8), 1034 (2009)
- M. Kastner, B. Voigtlander. Phys. Rev. Lett., 82, 2745 (1999)
- Z. Jian, H. Zhu, F. Lu, J. Qin, D. Huang, X. Wang, C. Hu, Y. Chen, Z. Zhu, T. Yao. Thin Sol. Films, 321, 60 (1998)
- T.I. Kamins, G. Medeiros-Ribeiro, D.A.A. Ohlberg, R. Stanley Williams. J. Appl. Phys., 85, 1159 (1999).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
