"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Фотопроводимость многослойных структур Si/Ge с квантовыми точками Ge, псевдоморфными к Si-матрице
Талочкин А.Б.1, Чистохин И.Б.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 30 ноября 2010 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2011 г.

Исследованы спектры продольной фотопроводимости многослойных структур Si/Ge с квантовыми точками Ge, полученными псевдоморфно к Si-матрице. Наблюдались линии оптических переходов между дырочными уровнями квантовых точек и электронными состояниями Si. Это позволило построить подробную энергетическую диаграмму электронно-дырочных уровней структуры. Показано, что дырочные уровни псевдоморфных квантовых точек Ge хорошо описываются с помощью простейшей модели "квантового ящика" с использованием реальных размеров островков Ge. Установлена возможность управления положением длинноволновой границы фоточувствительности с помощью изменения параметров роста структур Si/Ge с квантовыми точками Ge.
  1. O.G. Schmidt, K. Eberl. Phys. Rev. B, 61, 1372 (2000)
  2. J. Wan, G.L. Jin, Z.M. Luo, J.L. Lio, K.L. Wang. Appl. Phys. Lett., 78, 1763 (2001)
  3. K. Brunner. Rep. Progr. Phys., 65, 27 (2002)
  4. U. Denker, M. Stoffel, O.G. Schmidt. Appl. Phys. Lett., 82, 454 (2003)
  5. S. Tong, J.L. Liu, J. Wan, Kang L. Wang. Appl. Phys. Lett., 80, 1189 (2002)
  6. S.K. Zhang, H.J. Zhu, F. Lu, Z.M. Jiang, Xun Wang. Phys. Rev. Lett., 80, 3340 (1998)
  7. C. Miesner, T. Asperger, K. Brunner, G. Abstreiter. Appl. Phys. Lett., 77, 2704 (2000)
  8. H. Zou, S. Huang, Y. Rao, Z. Jiang, F. Lu. Sol. St. Commun., 125, 161 (2003)
  9. A.B. Talochkin, I.B. Chistokhin, V.A. Markov. Nanotechnology, 20, 175 401 (2009)
  10. A.V. Baranov, A.V. Fedorov, T.S. Perova, R.A. Moore, V. Yam, D. Bouchier, V. Le Thanh, K. Berwick. Phys. Rev. B, 73, 075 322 (2006)
  11. A.B. Talochkin, V.A. Markov, V.I. Mashanov. Appl. Phys. Lett., 91, 093 127 (2007)
  12. C.G. Van de Walle, M.R. Martin. Phys. Rev. B, 34, 5621 (1986)
  13. S.V. Kondratenko, A.S. Nikolenko, O.V. Vakulenko, M.Ya. Valakh, V.O. Yukhymchuk, A.V. Dvurechenskii, A.I. Nikiforov. Nanotechnology, 19, 145 703 (2008)
  14. A.B. Talochkin, A.G. Cherkov. Nanotechnology, 20, 345 702 (2009)
  15. B. Voiglander. Surf. Sci. Rep., 43, 127 (2001)
  16. M.W. Dashiell, U. Denker, C. Muller, G. Costantini, C. Manzano, K. Kern, O.G. Schmidt. Appl. Phys. Lett., 80, 1279 (2002)
  17. G. Costantini, A. Rastelli, C. Manzano, R. Songmuang, O.G. Schmidt, K. Kern, Y. Von Kanel. Appl. Phys. Lett., 85, 5673 (2004)
  18. V.A. Markov, H.H. Cheng, Chih-ta Chia, A.I. Nikiforov, V.A. Cherepanov, O.P. Pchelyakov, K.S. Zhuravlev, A.B. Talochkin, E. Mc Glynn, M.O. Henry. Thin Sol. Films, 369, 79 (2000)
  19. А.Б. Талочкин, И.Б. Чистохин, В.А. Марков. ФТП. 43 (8), 1034 (2009)
  20. M. Kastner, B. Voigtlander. Phys. Rev. Lett., 82, 2745 (1999)
  21. Z. Jian, H. Zhu, F. Lu, J. Qin, D. Huang, X. Wang, C. Hu, Y. Chen, Z. Zhu, T. Yao. Thin Sol. Films, 321, 60 (1998)
  22. T.I. Kamins, G. Medeiros-Ribeiro, D.A.A. Ohlberg, R. Stanley Williams. J. Appl. Phys., 85, 1159 (1999).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.