Методом направленной кристаллизации близкого к стехиометрии расплава впервые синтезировано новое тройное соединение и выращены объемные монокристаллы CuIn₅Te₈. Из дифрактограмм выращенных кристаллов установлено, что им свойственна структура дефектного халькопирита с параметрами элементарной ячейки CuIn₅Te₈, которые оказались близкими к известным для тройного соединения CuInTe₂ с индексом состава n=0. На кристаллах CuIn₅Te₈ созданы первые фоточувствительные структуры, для которых получены спектры фоточувствительности и продемонстрирована возможность достижения широкополосной фоточувствительности при их освещении со стороны барьера. Из анализа спектров фоточувствительности структур определены характер межзонных переходов и отвечающие им значения энергий этих переходов в CuIn₅Te₈, которые открыли перспективы применения нового полупроводника в фотопреобразователях солнечного излучения.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.