"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Электрофизические и газочувствительные свойства полупроводниковых наноструктурированных пленок SnO2 : ZrO2
Рембеза С.И.1, Кошелева Н.Н.1, Рембеза Е.С.1, Свистова Т.В.1, Шматова Ю.В.1, Xu Gang2
1Воронежский государственный технический университет, Воронеж, Россия
2Университет Цинхуа, Пекин, КНР
Поступила в редакцию: 10 ноября 2010 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2011 г.

Представлены результаты исследований влияния атомного состава металлооксидных полупроводников композитов SnO2 : ZrO2 на морфологию поверхности, размер зерен поликристаллов, электросопротивление, концентрацию, подвижность свободных носителей заряда и газочувствительные свойства тонких пленок (0.5-2.5 мкм). Пленки SnO2 с добавками ZrO2 (содержание Zr менялось от 0.5 до 4.6 ат%) изготавливались методом реактивного ионно-лучевого распыления металлических мишеней разного состава в контролируемой атмосфере Ar + O2. С помощью просвечивающей электронной микроскопии, атомно-силовой микроскопии и просвечивающей электронной микроскопии высокого разрешения экспериментально показано, что при увеличении содержания Zr в составе пленки SnO2 : ZrO2 размер зерен поликристаллов уменьшается от 45 до 10 нм, концентрация свободных носителей зарядов уменьшается почти на 4 порядка, а подвижность увеличивается примерно в 9 раз. С ростом количества Zr с пленках SnO2 : ZrO2 от 0.5 до 4.6 ат% температура максимальной газовой чувствительности пленок к таким газам, как этиловый спирт, изопропиловый спирт и ацетон, снижается на 100-190oC.
  1. Ф.Ф. Волькенштейн. Электронные процессы на поверхности полупроводников при хемосорбции (М., Наука, 1987)
  2. Э.Е. Гутман. ЖФХ, LVIII (4), 801 (1984)
  3. И.Ф. Мясников, В.Я. Сухарев, Л.Ю. Куприянов, С.А. Завьялов. Полупроводниковые сенсоры в физико-химических исследованиях (М., Наука, 1991)
  4. W. Gopel, K.D. Schierbaum. Sensors Actuators B, 26--27, 1 (1995)
  5. М.Н. Румянцева, О.В. Сафонова, М.Н. Булова, Л.И. Рябова, А.М. Гаськов. Сенсор, 2, 8 (2003)
  6. Е.С. Рембеза, С.И. Рембеза, Е.А. Ермолина, М.В. Гречкина. Нано- и микросистемная техника, 6 (95), 19 (2008)
  7. C. Xu, J. Tamaki, N. Miura, N. Yamazoe. Sensors Actuators B, 3, 147 (1991)
  8. И.В. Золотухин, Ю.Е. Калинин, О.В. Стогней. Новые направления физического материаловедения (Воронеж, ВГТУ, 2000)
  9. В.С. Гриневич, В.В. Сердюк, В.А. Смынтына, Л.Н. Филевская. Журн. аналит. химии, 45 (8), 1521 (1990)
  10. Г.В. Самсонов. Физико-химические свойства полупроводниковых веществ. Справочник (М., Наука, 1978)
  11. E.S. Rembeza, O. Richard, J van Landuyt. Mater. Res. Bull., 34 (10/11), 1527 (1999)
  12. G.D. Wilk, R.M. Wallace, J.M. Anthony. J. Appl. Phys., 89 (10), 5243 (2001)
  13. А.И. Бутурлин, Г.А. Габузян, Н.А. Голованов, И.В. Бараненков, А.В. Евдокимов, М.Н. Муршудли, В.Г. Фадин, Ю.Д. Чистяков. Зарубеж. электрон. техн., 10, 3 (1983)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.