"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние магнитного поля на электрофизические свойства поверхностно-барьерных структур Bi-Si-Al
Павлык Б.В.1, Грыпа А.С.1, Слободзян Д.П.1, Лыс Р.М.1, Шикоряк И.А.1, Дидык Р.И.1
1Львовский национальный университет им. Ивана Франко, Львов, Украина
Поступила в редакцию: 30 ноября 2009 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2011 г.

Обнаружены вызванные действием магнитного поля эффекты перестройки структурных дефектов на границе раздела полупроводник-металл. Анализ вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик свидетельствует о магнитостимулированном увеличении положительного заряда в диэлектрической прослойке, а также указывает на изменение плотности поверхностных состояний в зависимости от степени легирования исследуемых полупроводников.
  1. В.А. Макара, М.А. Васильев, Л.П. Стебленко, О.В. Коплак, А.Н. Курилюк, Ю.Л. Кобзарь, С.Н. Науменко. ФТП, 42 (9), 1061 (2008)
  2. Ш. Махкамов, Н.А. Турсунов, М. Ашуров, Р.П. Сандов, С.В. Мартынченко. ЖТФ, 69 (1), 121 (1999)
  3. А.А. Скворцов, А.М. Орлов, А.А. Соловьев, Д.И. Белов. ФТТ, 51 (12), 2304 (2009)
  4. Д.В. Николаев, И.В. Антонова, О.В. Наумова, В.П. Попов, С.А. Смагулова. ФТП, 37 (4), 443 (2003)
  5. R.E. Stahlbush, G.J. Campisi, J.B. McKitterick, W. Maszara, P. Roitman. IEEE Trans. Nucl. Sci., 39, 2086 (1992)
  6. M. Bruel. Electron. Lett., 31, 1201 (1995)
  7. П.В. Мельник, М.Г. Находкин, М.И. Федорченко. УФЖ, 44 (9), 1142 (1999)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.