Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2025
- 1
2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Тиристоры на основе гетероструктур GaAs-AlGaAs с полностью оптической связью

Данильченко В.Г.¹, Корольков В.И.¹, Пономарев С.И.¹, Солдатенков Ф.Ю.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 15 сентября 2010 г.

Выставление онлайн: 19 марта 2011 г.

PDF версия

Рассмотрены несколько вариантов тиристоров на основе гетероструктур GaAs-AlGaAs с оптической передачей эмиттерного тока. На основе результатов исследования n-p-n- и p-n-p-оптотранзисторов, в которых эмиттерный ток преобразуется в свет с последующим преобразованием света в ток коллектора, показана принципиальная возможность создания тиристоров с полностью оптической передачей эмиттерного тока. Приведены структуры таких переключателей. С учетом особенностей технологии получения нелегированных слоев GaAs и формирования на их основе высоковольтных p⁰-n⁰-переходов с участием фоновых примесей для кардинального снижения времени задержки включения и повышения рабочих частот предложен и реализован коммутатор, имеющий три составных транзистора.

J.J. Ebers. Proc. IRE, 40, 1361 (1952)
В.И. Корольков, В.Г. Никитин, Н. Рахимов. Письма ЖТФ, 2 (20), 941 (1976)
Ж.И. Алфёров, В.М. Ефанов, Ю.М. Задиранов, А.Ф. Кардо-Сысоев, В.И. Корольков, С.И. Пономарёв, А.В. Рожков. Письма ЖТФ, 12 (21), 1281 (1986)
J.H. Hur, P. Hadizad, S.G. Hummel, K.M. Dzurko, P.D. Dapcus, H.R. Fetterman, M.A. Gundersen. IEEE Trans. Electron. Dev., 37 (12), 2520 (1990)
J.H. Zhao, T. Burke, D. Larson, M. Weiner, A. Chin, J.M. Ballingall, T. Yu. IEEE Trans. Electron. Dev., 40, (4), 817 (1993)
И.А. Жебулев, В.И. Корольков, В.Г. Никитин, Н.Ю. Орлов, Т.С. Табаров. Письма ЖТФ, 19 (15), 39 (1993)
Tsai-Sheng Liao, P. Yu, O. Zucker. Proc. 6th Int. Conf. Solid-State and Integrated Circuit Technology (Shanghai, China, 2001) p. 143
В.М. Андреев, Ю.М. Задиранов, В.И. Корольков, А.В. Рожков, А.А. Яковенко. ФТП, 17 (9), 1618 (1983)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель