"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Лазерные диоды с несколькими излучающими областями (lambda=800-1100 нм) на основе эпитаксиально-интегрированных гетероструктур
Мармалюк А.А.1, Давыдова Е.И.1, Зверков М.В.1, Коняев В.П.1, Кричевский В.В.1, Ладугин М.А.1, Лебедева Е.И.1, Петров С.В.1, Сапожников С.М.1, Симаков В.А.1, Успенский М.Б.1, Яроцкая И.В.1, Пихтин Н.А.2, Тарасов И.С.2
1Научно-исследовательский институт "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха, Москва, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 20 сентября 2010 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2011 г.

Обобщены результаты серии исследований по созданию эпитаксиально-интегрированных гетероструктур InGaAs/AlGaAs и AlGaAs/AlGaAs с несколькими излучающими областями и изучению свойств лазерных диодов на их основе, работающих в спектральных диапазонах lambda=800-810, 890-910 и 1040-1060 нм. Продемонстрировано, что предложенный подход по интеграции отдельных лазерных структур методом МОС-гидридной эпитаксии успешно работает при создании лазерных диодов широкого спектрального диапазона на основе различных типов гетероструктур. Он позволил эффективно увеличить выходную мощность лазерных диодов практически без изменения их массогабаритных характеристик. Описаны основные достоинства данного подхода, а также его ограничения. Эпитаксиальная интеграция двух лазерных гетероструктур позволила увеличить дифференциальную квантовую эффективность в 1.7-2.0 раза, а интеграция трех лазерных гетероструктур --- в 2.5-3.0 раза.
  1. J.P. Van der Ziel, W.T. Tsang. Appl. Phys. Lett., 41, 499 (1982)
  2. Ch. Garcia, E. Rosencher, Ph. Collot, N. Laurent, J.L. Guyaux, B. Vinter, J. Nagle. Appl. Phys. Lett., 71, 3752 (1997)
  3. S.G. Patterson, G.S. Pertich, R.J. Ram, L.A. Kolidziejski. Electron. Lett., 35 (5), 395 (1999)
  4. М.В. Зверков, В.П. Коняев, В.В. Кричевский, М.А. Ладугин, А.А. Мармалюк, А.А. Падалица, В.А. Симаков, А.В. Сухарев. Квант. электрон., 38, 989 (2008)
  5. Д.А. Винокуров, В.П. Коняев, М.А. Ладугин, А.В. Лютецкий, А.А. Мармалюк, А.А. Падалица, А.Н. Петрунов, Н.А. Пихтин, В.А. Симаков, С.О. Слипченко, А.В. Сухерев, Н.В. Фетисова, В.В. Шамахов, И.С. Тарасов. ТФП, 44, 251 (2009)
  6. Е.И. Давыдова, М.В. Зверков, В.П. Коняев, В.В. Кричевский, М.А. Ладугин, А.А. Мармалюк, А.А. Падалица, В.А. Симаков, А.В. Сухарев, М.Б. Успенский. Квант. электрон., 39, 723 (2009)
  7. C. Hanke, L. Korte, B.D. Acklin, M. Behringer, G. Herrmann, J. Luft, B. DeOdorico, M. Marchiano, J. Wilhelmi. Proc. SPIE, 3947, 50 (2000)
  8. G. Shen, P. Lian, X. Guo, T. Yin, C. Chen, T. Wang, J. Du, B. Cui, J. Li, J. Liu, G. Gao, D. Zou, L. Chen. Proc. SPIE, 4225, 327 (2000)
  9. R.Q. Yang, Y. Qiu. Appl. Phys. Lett., 83, 599 (2003)
  10. M. Behringer, F. Eberhard, G. Herrmann, J. Luft, J. Maric, S. Morgott, M.C. Philippens, W. Teich. Proc. SPIE, 4831, 4 (2003)
  11. G.B. Stringfellow. Organometallic vapor-phase epitaxy: theory and practice, 2nd ed. (San Diego Academic Press, 1999)
  12. Д.А. Винокуров, М.А. Ладугин, А.А. Мармалюк, А.А. Падалица, Н.А. Пихтин, В.А. Симаков, А.В. Сухарев, Н.В. Фетисова, В.В. Шамахов, И.С. Тарасов. ФТП, 43, 1253 (2009)
  13. П.Б. Булаев, А.А. Мармалюк, А.А. Падалица, Д.Б. Никитин, А.В. Петровский, И.Д. Залевский, В.П. Коняев, В.В. Оськин, М.В. Зверков, В.А. Симаков, Г.М. Зверев. Квант. электрон., 32, 213 (2002)
  14. С.О. Слипченко, Н.А. Пихтин, Н.В. Фетисова, М.А. Хомылев, А.А. Мармалюк, Д.Б. Никитин, А.А. Падалица, П.В. Булаев, И.Д. Залевский, И.С. Тарасов. Письма ЖТФ, 29 26 (2003)
  15. С.О. Слипченко, Д.А. Винокуров, Н.А. Пихтин, З.Н. Соколова, А.Л. Станкевич, И.С. Тарасов, Ж.И. Алфёров. ФТП, 38 (12), 1477 (2004)
  16. А.Ю. Андреев, А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, А.А. Мармалюк, Т.А. Налет, А.А. Падалица, Н.А. Пихтин, Д.Р. Сабитов, В.А. Симаков, С.А. Слипченко, М.А. Хомылев, И.С. Тарасов. ФТП, 40, 628 (2006).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.