"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние gamma-облучения на электрические свойства CuGaSe2
Касумоглу И.1, Керимова Т.Г.1, Мамедова И.А.1
1Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
Поступила в редакцию: 30 марта 2010 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2010 г.

Исследовано влияние gamma-облучения на проводимость низкоомных (102-104 Ом·см) и высокоомных (105-107 Ом·см) монокристаллов CuGaSe2 в интервале температур 77-330 K. Обнаружено, что удельное сопротивление низкоомных образцов увеличивается с увеличением дозы gamma-облучения, а высокоомных образцов практически не зависит от дозы облучения. Предполагается, что уменьшение проводимости в низкоомных образцах происходит за счет рассеяния свободных носителей на дефектах (заряженных центрах), созданных при облучении gamma-квантами. Обнаружено, что доза gamma-облучения не влияет на температурную зависимость удельного сопротивления низкоомных и высокоомных образцов в интервале 77-330 K.
  • D.C. Chemla, P.J. Kupecek, D.C. Robertson, R.C. Smith. Optics Commun., 3, 29 (1971)
  • В.Ф. Гременок, Г.А. Ильчук, С.Е. Никитин, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь. ФТП, 39 (2), 218 (2005)
  • В.В. Емцев, Ю.А. Николаев, Д.С. Полоскин, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь, Е.И. Теруков, М.В. Якушев. ФТП, 39 (12), 1455 (2005)
  • В.Л. Винецкий, Л.С. Смирнов. ФТП, 1 (5), 176 (1971)
  • Н.В. Агринская, Т.В. Машовец. ФТП, 28 (9), 1505 (1994).
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.