"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние gamma-облучения на электрические свойства CuGaSe2
Касумоглу И.1, Керимова Т.Г.1, Мамедова И.А.1
1Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
Поступила в редакцию: 30 марта 2010 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2010 г.

Исследовано влияние gamma-облучения на проводимость низкоомных (102-104 Ом·см) и высокоомных (105-107 Ом·см) монокристаллов CuGaSe2 в интервале температур 77-330 K. Обнаружено, что удельное сопротивление низкоомных образцов увеличивается с увеличением дозы gamma-облучения, а высокоомных образцов практически не зависит от дозы облучения. Предполагается, что уменьшение проводимости в низкоомных образцах происходит за счет рассеяния свободных носителей на дефектах (заряженных центрах), созданных при облучении gamma-квантами. Обнаружено, что доза gamma-облучения не влияет на температурную зависимость удельного сопротивления низкоомных и высокоомных образцов в интервале 77-330 K.
  1. D.C. Chemla, P.J. Kupecek, D.C. Robertson, R.C. Smith. Optics Commun., 3, 29 (1971)
  2. В.Ф. Гременок, Г.А. Ильчук, С.Е. Никитин, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь. ФТП, 39 (2), 218 (2005)
  3. В.В. Емцев, Ю.А. Николаев, Д.С. Полоскин, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь, Е.И. Теруков, М.В. Якушев. ФТП, 39 (12), 1455 (2005)
  4. В.Л. Винецкий, Л.С. Смирнов. ФТП, 1 (5), 176 (1971)
  5. Н.В. Агринская, Т.В. Машовец. ФТП, 28 (9), 1505 (1994).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.