Бакулин А.В.1,2, Еремеев С.В.1,2,3, Терещенко О.Е.4,5, Кулькова С.Е.1,2,3
1Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск, Россия
2Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
3Donostia International Physics Center (DIPC), San Sebastian, Donostia, Spain
4Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
5Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
