Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Адсорбция хлора на поверхности InAs (001)

Бакулин А.В.^1,2, Еремеев С.В.^1,2,3, Терещенко О.Е.^4,5, Кулькова С.Е.^1,2,3

¹Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск, Россия Institute of Strength Physics and Materials Science of Siberian Branch of Russian Academy of Sciences, Tomsk, Russia

Institute of Strength Physics and Materials Science of Siberian Branch of Russian Academy of Sciences, Tomsk, Russia

²Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия Tomsk State University, Tomsk, Russia

³Donostia International Physics Center (DIPC), San Sebastian, Donostia, Spain
⁴Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

⁵Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия Novosibirsk State University, Novosibirsk, Russia

Поступила в редакцию: 13 января 2010 г.

Выставление онлайн: 20 декабря 2010 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

В рамках теории функционала электронной плотности проведено изучение адсорбции хлора на In-стабилизированной поверхности InAs(001) с реконструкциями zeta-(4x2) и beta3'-(4x2), а также на Ga-стабилизированной поверхности zeta-GaAs(001)-(4x2). Определены равновесные структурные параметры рассмотренных реконструкций, положения атомов поверхностных слоев, длины связей в димерах, а также их изменение при адсорбции хлора. Рассчитаны электронные характеристики чистой поверхности и с адсорбированным хлором. Показано, что наиболее энергетически выгодными позициями для адсорбции хлора являются вершинные позиции над димеризованными атомами индия или галлия. Объяснен механизм связи хлора с In(Ga)-стабилизированной поверхностью. Взаимодействие атомов хлора с димеризованными поверхностными атомами приводит к ослаблению связей поверхностных атомов и определяет начальную стадию в травлении поверхности.

T. Meguro, Y. Aoyagi. Appl. Surf. Sci., 112, 55 (1997)
О.Е. Терещенко, К.В. Торопецкий, В.Л. Альперович. Письма ЖЭТФ, 87 (1), 41 (2008)
С.Е. Кулькова, С.В. Еремеев, А.В. Постников, Д.И. Бажанов, Б.В. Потапкин. ФТП, 41 (7), 832 (2007)
W. Monch. Semiconductor Surfaces and Interfaces (Springer, N. Y., 1995)
W.G. Schmidt. Appl. Phys. A, 75, 89 (2002)
W.C. Simpson, D.K. Shuh, W.H. Hung, M.C. H kanson, J. Kanski, U.U. Karlsson, J.A. Yarmoff. J. Vac. Sci. Technol. A, 14, 1815 (1996)
W.K. Wang, W.C. Simpson, J.A. Yarmoff. Phys. Rev. Lett., 81, 1465 (1998)
R.G. Jones, N.K. Singh, C.F. McConville. Surf. Sci., 208, L34 (1989)
F. Stepniak, D. Rioux, J.H. Weaver. Phys. Rev. B, 50, 1929 (1994)
D.K. Shuh, C.W. Lo, J.A. Yarmoff, A. Santoni, L.J. Terminello, F.R. McFeely. Surf. Sci., 303, 89 (1993)
А.А. Веденеев, К.Н. Ельцов. Письма ЖЭТФ, 82, 46 (2005)
К.Н. Ельцов. Автореф. докт. дис. (М., 2008)
J.G. McLean, P. Kruse, J. Guo-Ping, H.E. Ruda, A. Kummel. J. Chem. Phys, A, 103, 10 364 (1999)
J.G. McLean, P. Kruse, J. Guo-Ping, H.E. Ruda, A. Kummel. Phys. Rev. Lett., 85, 1488 (1998)
S.M. Lee, S.-H. Lee, M. Scheffler. Phys. Rev. B, 69, 125 317 (2004)
C. Ratsch, W. Barvosa-Carter, F. Grosse, J.H.G. Owen, J.J. Zinck. Phys. Rev. B, 62, 7719 (2000)
R.H. Miva, R. Miotto, A.C. Ferraz. Surf. Sci., 542, 101 (2003)
S.-H. Lee, W. Moritz, M. Schefler. Phys. Rev. Lett., 85, 3890 (2000)
D.L. Feldwinn, J.B. Clemens, J. Shen, S.R. Bishop, T.J. Grassman, A.C. Kummel, R. Droopad, M. Passlack. Surf. Sci., 603, 3321 (2009)
P.E. Blochl. Phys. Rev. B, 50, 17 953 (1994)
G. Kresse, J. Joubert. Phys. Rev. B, 59, 1758 (1999)
G. Kresse, J. Hafner. Phys. Rev. B, 47, 558 (1993)
G. Kresse, J. Furthmuller. Comput. Mater. Sci., 6, 15 (1996)
J.P. Perdew, K. Burke, M. Ernzerhof. Phys. Rev. Lett., 77, 3865(1996)
H.J. Monkhorst, J.D. Pack. Phys. Rev. B, 13, 5188 (1976)
С.Е. Кулькова, С.В. Еремеев, А.В. Постников, И.Р. Шеин. ЖЭТФ, 131, 667 (2007).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель