"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Адсорбция хлора на поверхности InAs (001)
Бакулин А.В.1,2, Еремеев С.В.1,2,3, Терещенко О.Е.4,5, Кулькова С.Е.1,2,3
1Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск, Россия
2Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
3Donostia International Physics Center (DIPC), San Sebastian, Donostia, Spain
4Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
5Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 13 января 2010 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2010 г.

В рамках теории функционала электронной плотности проведено изучение адсорбции хлора на In-стабилизированной поверхности InAs(001) с реконструкциями zeta-(4x2) и beta3'-(4x2), а также на Ga-стабилизированной поверхности zeta-GaAs(001)-(4x2). Определены равновесные структурные параметры рассмотренных реконструкций, положения атомов поверхностных слоев, длины связей в димерах, а также их изменение при адсорбции хлора. Рассчитаны электронные характеристики чистой поверхности и с адсорбированным хлором. Показано, что наиболее энергетически выгодными позициями для адсорбции хлора являются вершинные позиции над димеризованными атомами индия или галлия. Объяснен механизм связи хлора с In(Ga)-стабилизированной поверхностью. Взаимодействие атомов хлора с димеризованными поверхностными атомами приводит к ослаблению связей поверхностных атомов и определяет начальную стадию в травлении поверхности.
  1. T. Meguro, Y. Aoyagi. Appl. Surf. Sci., 112, 55 (1997)
  2. О.Е. Терещенко, К.В. Торопецкий, В.Л. Альперович. Письма ЖЭТФ, 87 (1), 41 (2008)
  3. С.Е. Кулькова, С.В. Еремеев, А.В. Постников, Д.И. Бажанов, Б.В. Потапкин. ФТП, 41 (7), 832 (2007)
  4. W. Monch. Semiconductor Surfaces and Interfaces (Springer, N. Y., 1995)
  5. W.G. Schmidt. Appl. Phys. A, 75, 89 (2002)
  6. W.C. Simpson, D.K. Shuh, W.H. Hung, M.C. H kanson, J. Kanski, U.U. Karlsson, J.A. Yarmoff. J. Vac. Sci. Technol. A, 14, 1815 (1996)
  7. W.K. Wang, W.C. Simpson, J.A. Yarmoff. Phys. Rev. Lett., 81, 1465 (1998)
  8. R.G. Jones, N.K. Singh, C.F. McConville. Surf. Sci., 208, L34 (1989)
  9. F. Stepniak, D. Rioux, J.H. Weaver. Phys. Rev. B, 50, 1929 (1994)
  10. D.K. Shuh, C.W. Lo, J.A. Yarmoff, A. Santoni, L.J. Terminello, F.R. McFeely. Surf. Sci., 303, 89 (1993)
  11. А.А. Веденеев, К.Н. Ельцов. Письма ЖЭТФ, 82, 46 (2005)
  12. К.Н. Ельцов. Автореф. докт. дис. (М., 2008)
  13. J.G. McLean, P. Kruse, J. Guo-Ping, H.E. Ruda, A. Kummel. J. Chem. Phys, A, 103, 10 364 (1999)
  14. J.G. McLean, P. Kruse, J. Guo-Ping, H.E. Ruda, A. Kummel. Phys. Rev. Lett., 85, 1488 (1998)
  15. S.M. Lee, S.-H. Lee, M. Scheffler. Phys. Rev. B, 69, 125 317 (2004)
  16. C. Ratsch, W. Barvosa-Carter, F. Grosse, J.H.G. Owen, J.J. Zinck. Phys. Rev. B, 62, 7719 (2000)
  17. R.H. Miva, R. Miotto, A.C. Ferraz. Surf. Sci., 542, 101 (2003)
  18. S.-H. Lee, W. Moritz, M. Schefler. Phys. Rev. Lett., 85, 3890 (2000)
  19. D.L. Feldwinn, J.B. Clemens, J. Shen, S.R. Bishop, T.J. Grassman, A.C. Kummel, R. Droopad, M. Passlack. Surf. Sci., 603, 3321 (2009)
  20. P.E. Blochl. Phys. Rev. B, 50, 17 953 (1994)
  21. G. Kresse, J. Joubert. Phys. Rev. B, 59, 1758 (1999)
  22. G. Kresse, J. Hafner. Phys. Rev. B, 47, 558 (1993)
  23. G. Kresse, J. Furthmuller. Comput. Mater. Sci., 6, 15 (1996)
  24. J.P. Perdew, K. Burke, M. Ernzerhof. Phys. Rev. Lett., 77, 3865(1996)
  25. H.J. Monkhorst, J.D. Pack. Phys. Rev. B, 13, 5188 (1976)
  26. С.Е. Кулькова, С.В. Еремеев, А.В. Постников, И.Р. Шеин. ЖЭТФ, 131, 667 (2007).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.