Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2011, выпуск 1 » Статья стр. 3
>>>
Быстрые оптические регистрирующие среды на полупроводниковых наноструктурах для записи изображений на зарядах свободных фотоносителей О б з о р
Кашерининов П.Г.1, Томасов А.А.1, Берегулин Е.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 26 мая 2010 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2010 г.
PDF версия
Приведен обзор литературных данных по свойствам оптических регистрирующих сред на полупроводниковых структурах. Рассмотрены принципы работы, конструкция, параметры, области применения оптических регистрирующих сред на: MIS-структурах на фоторефрактивных кристаллах с толстым слоем диэлектрика; MIS-структурах с жидким кристаллом в качестве диэлектрика (модуляторы МДП-ЖК); на эффекте оптической бистабильности в полупроводниковых структурах - на полупроводниковых MIS-структурах с наноразмерным слоем диэлектрика (TI); M(TI)S-наноструктурах. Особое внимание уделено регистрирующим средам на M(TI)S-наноструктурах, перспективным для быстрой обработки высокоинформативных изображений и создания оптоэлектронных корреляторов изображений некогерентного света.
  1. G.E. Moore. IEEE IEDM Tech. Dig, N 1, 11 (1975)
  2. J.D. Meindl. Proc. IEEE, 83, 619 (1995)
  3. А.Ф. Васильев, Д. Касасент, И.Н. Кампанеец, А.В. Парфенов. Пространственные модуляторы света (М., Радио и связь, 1987)
  4. М.П. Петров, С.И. Степанов, А.В. Хоменко. Фоточувствительные электрооптические среды в голографии и оптической обработке информации (Л., Наука, 1983)
  5. К.К. Шварц, В.И. Готлиб, Я.Ж. Кристапсон. Оптические регистрирующие среды (Рига, Зинатне, 1976)
  6. Ю.Д. Думаревский, Н.Ф Ковтонюк, А.И. Савин. Преобразование изображений в структурах полупроводник--диэлектрик (М., Наука, 1987)
  7. Н.Ф. Ковтонюк, Е.Н. Сальников. Фоточувствительные МДП приборы для преобразования изображений (М., Радио и связь, 1990)
  8. Н.Ф. Ковтонюк, Е.Н. Сальников. Фоточувствительные МДП-ЖК структуры для преобразования изображений (М., Радио и связь, 1990)
  9. А.В. Борошнев, Н.Ф. Ковтонюк. Прикл. физика, 6, 5 (2000)
  10. Физические свойства жидкокристаллических веществ (М., Мир, 1982)
  11. В.В. Беляев, Н.Ф. Ковтонюк, В.С. Купрейченко, С.Б. Одиновов, А.И. Савин, В.Г. Чигринов. ДАН СССР, 306 (6), 1372 (1989)
  12. Ю.Д. Думаревский, К.И. Земсков, М.А. Казарян, Н.Ф. Ковтонюк, Г.Г. Петраш, А.И. Савин. ДАН СССР, 292 (3), 604 (1987)
  13. Н.Ф. Ковтонюк, А.В. Костюк. ДАН СССР, 306 (3), 609 (1993)
  14. Н.Ф. Ковтонюк, А.В. Борошнев, А.Л. Клюкин, А.В. Соколов. Оптический журн., N 7, 74 (1993)
  15. Х. Гиббс. Оптическая бистабильность (М., Мир, 1988)
  16. H.M. Gibbs, S.S. Tarng, J.L. Jewell et al. Proc. Workshop on Optoelrctronics (La Jolla California, March 23, 1982)
  17. Б.С. Рывкин. ФТП, 19 (1), 3 (1985)
  18. D.S. Chemla, D.A.B. Niller, P.W. Smith et al. Proc. Conf. on Lasers \& Electrooptics. Technical Digest, IEEE (N. Y., 1982)
  19. В.С. Днепровский. УФН, вып. 7, 18 (2008)
  20. M.A. Green, J. Shewchun. Sol. St. Electron., 17 (4), 349 (1974)
  21. M.A. Green, V.A.U. Temple, J. Shewchun. Sol. St. Electron., 18, 745 (1975)
  22. M.A. Green, F.D. King, J. Shewchun. Sol. St. Electron., 17, 55 (1974)
  23. J. Shewchun, R.A. Clarce. Sol. St. Electron., 16, 213 (1973)
  24. T. Yamamoto, M. Morimoto. Appl. Phys. Lett., 20, 269 (1972)
  25. A.El. Badry, J.G. Simmons. Sol. St. Electron., 20, 963 (1977)
  26. А.Я. Вуль, Ю.С. Зинчик, С.В. Козырев, К.В. Санин, В.И. Федоров, Ю.В. Шмарцев. Письма в ЖТФ, N 5, 1274 (1979)
  27. Б.А. Малахов, В.И. Покалякин, Г.В. Степанов. Микроэлектроника, 9, 131 (1980)
  28. А.Я. Вуль, С.В. Козырев, В.И. Федоров. ФТП, 15 (1), 142 (1981)
  29. А.Я. Вуль, В.И. Федоров, Ю.Ф. Бирюлин, Ю.С. Зинчик, С.В. Козырев, И.И. Сайдашев, К.В. Санин. ФТП, 15, 525 (1981)
  30. А.В. Саченко, И.В. Крупнова. ФТП, 15, 73 (1981)
  31. А.В. Саченко, В.И. Крупнова, О.В. Снитко. Поверхность, 8, 41 (1982)
  32. А.Д. Герасимов, А.А. Гуткин, В.Е. Седов. ФТП, 14, 26 (1980)
  33. А.Д. Герасимов, А.А. Гуткин, В.Е. Седов. ФТП, 14, 550 (1980)
  34. А.Я. Вуль, А.Т. Дидейкин, Ю.С. Зинчик, К.В. Санин. Письма ЖТФ, N 9 (1983)
  35. А.Я. Вуль, К.В. Санин, В.И. Федоров, Р.Ю. Хансеваров, Ю.В. Шмарцев. Письма ЖТФ, N 5, 930 (1983)
  36. В.А. Зуев, А.В. Саченко, К.Б. Толпыго. Неравновесные приповерхностные процессы в полупроводниках и полупроводниковых приборах (М., Сов. радио, 1977)
  37. А.А. Гуткин, В.Е. Седов. ФТП, 9 (9), 1761 (1975)
  38. V. Kumar, W.E. Dahlke. Sol. St. Electron., 20, 143 (1977)
  39. R.A. Clarke, J. Shewchun. Sol. St. Elrctron., 14, 957 (1971)
  40. R. Singh, J. Shewchun. Appl. Phys. Lett., 28, 512 (1976)
  41. Свойства структур металл--диэлектрик--полупроводник, под ред. А.В. Ржанова (М., Наука, 1976)
  42. К. Секен, М. Томпсет. Приборы с переносом заряда (M., Мир, 1978)
  43. Проблемы физики поверхности полупроводников, под ред. О.В. Снитко (Киев, Наук. думка, 1981)
  44. П.Г. Кашерининов, А.В. Кичаев, В.Е. Харциев, С.Л. Кузьмин, И.Д. Ярошецкий. Письма ЖТФ, 19 (9), 55 (1993)
  45. А.А. Гуткин, В.Е. Седов. ФТП, 10 (8), 1589 (1976)
  46. П.Г. Кашерининов, А.В. Кичаев, С.Л. Кузьмин, И.Д. Ярошецкий. Письма ЖТФ, 19 (9), 51 (1993)
  47. П.Г. Кашерининов, А.В. Кичаев, А.А. Томасов, И.Д. Ярошецкий. Письма ЖТФ, 20 (18), 16 (1994)
  48. П.Г. Кашерининов, А.В. Кичаев, И.Д. Ярошецкий. ЖТФ, 65 (9), 193 (1995)
  49. П.Г. Кашерининов, А.В. Кичаев, А.А. Томасов. ФТП, 29 (11), 2092 (1995)
  50. П.Г. Кашерининов, А.А. Томасов. Письма ЖТФ, 34 (8), 68 (2008)
  51. П.Г. Кашерининов, А.А. Томасов. ФТП, 42 (11), 1391 (2008)
  52. M.A. Green, J. Shewchun. Sol. St. Electron., 17 (4), 349 (1974)
  53. G. Cawalleri, E. Gatti, G. Fabri, V. Svelto. Nucl. Instrum. Meth., 92, 137 (1971)
  54. P.G. Kasherininov, A.V. Kichaev, A.N. Lodygin, A.A. Tomasov, V.K. Sokolov. Proc. of SPIE, 6251, 625 112 (1999)
  55. P.G. Kasherininov, F.V. Kichaev, A.N. Lodygin, V.K. Sokolov. Proc. of SPIE, 5381, 292 (2004)
  56. M.R. Hage-Ali, R. Stuck, C. Scharager, P. Siffert. IEEE Trans. Nucl. Sci., NS-26, 281 (1979)
  57. П.Г. Кашерининов, А.В. Кичаев, Ю.Н. Перепелицын, В.Е. Харциев, И.Д. Ярошецкий. Препринт ФТИ, 1570 (СПб.,1991)
  58. А.В. Кичаев. Автореф. канд. дис. Специальность 01.04.10 (СПб., ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, 1995)
  59. P.G. Kasherininov, A.N. Lodygin, V.K. Sokolov. Proc. of SPIE, 5066, 273 (2003)
  60. П.Г. Кашерининов, А.В. Кичаев, В.И. Корольков, А.Н. Лодыгин, Ф.Ю. Солдатенков. Письма ЖТФ, 32 9 998 (2006)
  61. P.G. Kasherininov, A.N. Lodygin, V.K. Sokolov. Proc. 12th Intern. Symp. on Nanostructures: Physics and Technology (2003) p. 184
  62. P.G. Kasherininov, A.V. Kichaev, A.A. Tomasov, V.K. Sokolov. Proc. of SPIE, 6594, 65941 G (2007)
  63. P.G. Kasherininov, A.V. Kichaev. Proc. of SPIE, 2779, 266 (1996)
  64. W.E. Dahlke, S.M. Sze. Sol. St. Electron., 10 (8), 865 (1967).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme