"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Быстрые оптические регистрирующие среды на полупроводниковых наноструктурах для записи изображений на зарядах свободных фотоносителей О б з о р
Кашерининов П.Г.1, Томасов А.А.1, Берегулин Е.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 26 мая 2010 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2010 г.

Приведен обзор литературных данных по свойствам оптических регистрирующих сред на полупроводниковых структурах. Рассмотрены принципы работы, конструкция, параметры, области применения оптических регистрирующих сред на: MIS-структурах на фоторефрактивных кристаллах с толстым слоем диэлектрика; MIS-структурах с жидким кристаллом в качестве диэлектрика (модуляторы МДП-ЖК); на эффекте оптической бистабильности в полупроводниковых структурах --- на полупроводниковых MIS-структурах с наноразмерным слоем диэлектрика (TI); M(TI)S-наноструктурах. Особое внимание уделено регистрирующим средам на M(TI)S-наноструктурах, перспективным для быстрой обработки высокоинформативных изображений и создания оптоэлектронных корреляторов изображений некогерентного света.
  • G.E. Moore. IEEE IEDM Tech. Dig, N 1, 11 (1975)
  • J.D. Meindl. Proc. IEEE, 83, 619 (1995)
  • А.Ф. Васильев, Д. Касасент, И.Н. Кампанеец, А.В. Парфенов. Пространственные модуляторы света (М., Радио и связь, 1987)
  • М.П. Петров, С.И. Степанов, А.В. Хоменко. Фоточувствительные электрооптические среды в голографии и оптической обработке информации (Л., Наука, 1983)
  • К.К. Шварц, В.И. Готлиб, Я.Ж. Кристапсон. Оптические регистрирующие среды (Рига, Зинатне, 1976)
  • Ю.Д. Думаревский, Н.Ф Ковтонюк, А.И. Савин. Преобразование изображений в структурах полупроводник--диэлектрик (М., Наука, 1987)
  • Н.Ф. Ковтонюк, Е.Н. Сальников. Фоточувствительные МДП приборы для преобразования изображений (М., Радио и связь, 1990)
  • Н.Ф. Ковтонюк, Е.Н. Сальников. Фоточувствительные МДП-ЖК структуры для преобразования изображений (М., Радио и связь, 1990)
  • А.В. Борошнев, Н.Ф. Ковтонюк. Прикл. физика, 6, 5 (2000)
  • Физические свойства жидкокристаллических веществ (М., Мир, 1982)
  • В.В. Беляев, Н.Ф. Ковтонюк, В.С. Купрейченко, С.Б. Одиновов, А.И. Савин, В.Г. Чигринов. ДАН СССР, 306 (6), 1372 (1989)
  • Ю.Д. Думаревский, К.И. Земсков, М.А. Казарян, Н.Ф. Ковтонюк, Г.Г. Петраш, А.И. Савин. ДАН СССР, 292 (3), 604 (1987)
  • Н.Ф. Ковтонюк, А.В. Костюк. ДАН СССР, 306 (3), 609 (1993)
  • Н.Ф. Ковтонюк, А.В. Борошнев, А.Л. Клюкин, А.В. Соколов. Оптический журн., N 7, 74 (1993)
  • Х. Гиббс. Оптическая бистабильность (М., Мир, 1988)
  • H.M. Gibbs, S.S. Tarng, J.L. Jewell et al. Proc. Workshop on Optoelrctronics (La Jolla California, March 23, 1982)
  • Б.С. Рывкин. ФТП, 19 (1), 3 (1985)
  • D.S. Chemla, D.A.B. Niller, P.W. Smith et al. Proc. Conf. on Lasers \& Electrooptics. Technical Digest, IEEE (N. Y., 1982)
  • В.С. Днепровский. УФН, вып. 7, 18 (2008)
  • M.A. Green, J. Shewchun. Sol. St. Electron., 17 (4), 349 (1974)
  • M.A. Green, V.A.U. Temple, J. Shewchun. Sol. St. Electron., 18, 745 (1975)
  • M.A. Green, F.D. King, J. Shewchun. Sol. St. Electron., 17, 55 (1974)
  • J. Shewchun, R.A. Clarce. Sol. St. Electron., 16, 213 (1973)
  • T. Yamamoto, M. Morimoto. Appl. Phys. Lett., 20, 269 (1972)
  • A.El. Badry, J.G. Simmons. Sol. St. Electron., 20, 963 (1977)
  • А.Я. Вуль, Ю.С. Зинчик, С.В. Козырев, К.В. Санин, В.И. Федоров, Ю.В. Шмарцев. Письма в ЖТФ, N 5, 1274 (1979)
  • Б.А. Малахов, В.И. Покалякин, Г.В. Степанов. Микроэлектроника, 9, 131 (1980)
  • А.Я. Вуль, С.В. Козырев, В.И. Федоров. ФТП, 15 (1), 142 (1981)
  • А.Я. Вуль, В.И. Федоров, Ю.Ф. Бирюлин, Ю.С. Зинчик, С.В. Козырев, И.И. Сайдашев, К.В. Санин. ФТП, 15, 525 (1981)
  • А.В. Саченко, И.В. Крупнова. ФТП, 15, 73 (1981)
  • А.В. Саченко, В.И. Крупнова, О.В. Снитко. Поверхность, 8, 41 (1982)
  • А.Д. Герасимов, А.А. Гуткин, В.Е. Седов. ФТП, 14, 26 (1980)
  • А.Д. Герасимов, А.А. Гуткин, В.Е. Седов. ФТП, 14, 550 (1980)
  • А.Я. Вуль, А.Т. Дидейкин, Ю.С. Зинчик, К.В. Санин. Письма ЖТФ, N 9 (1983)
  • А.Я. Вуль, К.В. Санин, В.И. Федоров, Р.Ю. Хансеваров, Ю.В. Шмарцев. Письма ЖТФ, N 5, 930 (1983)
  • В.А. Зуев, А.В. Саченко, К.Б. Толпыго. Неравновесные приповерхностные процессы в полупроводниках и полупроводниковых приборах (М., Сов. радио, 1977)
  • А.А. Гуткин, В.Е. Седов. ФТП, 9 (9), 1761 (1975)
  • V. Kumar, W.E. Dahlke. Sol. St. Electron., 20, 143 (1977)
  • R.A. Clarke, J. Shewchun. Sol. St. Elrctron., 14, 957 (1971)
  • R. Singh, J. Shewchun. Appl. Phys. Lett., 28, 512 (1976)
  • Свойства структур металл--диэлектрик--полупроводник, под ред. А.В. Ржанова (М., Наука, 1976)
  • К. Секен, М. Томпсет. Приборы с переносом заряда (M., Мир, 1978)
  • Проблемы физики поверхности полупроводников, под ред. О.В. Снитко (Киев, Наук. думка, 1981)
  • П.Г. Кашерининов, А.В. Кичаев, В.Е. Харциев, С.Л. Кузьмин, И.Д. Ярошецкий. Письма ЖТФ, 19 (9), 55 (1993)
  • А.А. Гуткин, В.Е. Седов. ФТП, 10 (8), 1589 (1976)
  • П.Г. Кашерининов, А.В. Кичаев, С.Л. Кузьмин, И.Д. Ярошецкий. Письма ЖТФ, 19 (9), 51 (1993)
  • П.Г. Кашерининов, А.В. Кичаев, А.А. Томасов, И.Д. Ярошецкий. Письма ЖТФ, 20 (18), 16 (1994)
  • П.Г. Кашерининов, А.В. Кичаев, И.Д. Ярошецкий. ЖТФ, 65 (9), 193 (1995)
  • П.Г. Кашерининов, А.В. Кичаев, А.А. Томасов. ФТП, 29 (11), 2092 (1995)
  • П.Г. Кашерининов, А.А. Томасов. Письма ЖТФ, 34 (8), 68 (2008)
  • П.Г. Кашерининов, А.А. Томасов. ФТП, 42 (11), 1391 (2008)
  • M.A. Green, J. Shewchun. Sol. St. Electron., 17 (4), 349 (1974)
  • G. Cawalleri, E. Gatti, G. Fabri, V. Svelto. Nucl. Instrum. Meth., 92, 137 (1971)
  • P.G. Kasherininov, A.V. Kichaev, A.N. Lodygin, A.A. Tomasov, V.K. Sokolov. Proc. of SPIE, 6251, 625 112 (1999)
  • P.G. Kasherininov, F.V. Kichaev, A.N. Lodygin, V.K. Sokolov. Proc. of SPIE, 5381, 292 (2004)
  • M.R. Hage-Ali, R. Stuck, C. Scharager, P. Siffert. IEEE Trans. Nucl. Sci., NS-26, 281 (1979)
  • П.Г. Кашерининов, А.В. Кичаев, Ю.Н. Перепелицын, В.Е. Харциев, И.Д. Ярошецкий. Препринт ФТИ, 1570 (СПб.,1991)
  • А.В. Кичаев. Автореф. канд. дис. Специальность 01.04.10 (СПб., ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, 1995)
  • P.G. Kasherininov, A.N. Lodygin, V.K. Sokolov. Proc. of SPIE, 5066, 273 (2003)
  • П.Г. Кашерининов, А.В. Кичаев, В.И. Корольков, А.Н. Лодыгин, Ф.Ю. Солдатенков. Письма ЖТФ, 32 9 998 (2006)
  • P.G. Kasherininov, A.N. Lodygin, V.K. Sokolov. Proc. 12th Intern. Symp. on Nanostructures: Physics and Technology (2003) p. 184
  • P.G. Kasherininov, A.V. Kichaev, A.A. Tomasov, V.K. Sokolov. Proc. of SPIE, 6594, 65941 G (2007)
  • P.G. Kasherininov, A.V. Kichaev. Proc. of SPIE, 2779, 266 (1996)
  • W.E. Dahlke, S.M. Sze. Sol. St. Electron., 10 (8), 865 (1967).
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.