Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Природа краевой люминесценции диффузионных слоев CdTe : Mg

Махний В.П.¹, Косоловский В.В.¹, Слётов М.М.¹, Скрипник Н.В.¹, Слётов А.М.¹

¹Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича, Черновцы, Украина Fed’kovich Chernovtsy National University, Chernovtsy, Ukraine

Поступила в редакцию: 14 января 2010 г.

Выставление онлайн: 20 августа 2010 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследовано влияние изовалентной примеси Mg на люминесценцию CdTe. Легирование методом диффузии позволяет получать слои CdTe : Mg с эффективной краевой люминесценцией. Данное излучение обусловлено межзонной рекомбинацией и аннигиляцией экситонов, связанных на изовалентной примеси Mg.

Арсенид галлия. Получение, свойства и применение, под ред. Ф.П. Кесаманлы, Д.Н. Наследова (М., Наука, 1973)
П.И. Баранский, В.П. Клочков, И.В. Потыкевич. Полупроводниковая электроника. Справочник (Киев, Наук. думка, 1975)
В.П. Махник. Автореф. канд. дис. (Черновцы, Черновиц. гос. ун-т им. Ю. Федьковича, 1980)
O.M. Slyotov, V.V. Kosolovskiy, K.S. Ulyanitskiy, I.V. Tkachenko. International Conference on the Physics and Technology of Thin Films and Nanosystems ICPTTFN XII (Ivano-Frankivsk, Ukraine, 2009) v. 2, p. 274
В.П. Махний. Принципи та методи модуляцi йноi спектроскопi i (Чернiвцi, Рута, 2001)
В.П. Грибковский. Теория поглощения и испускания света в полупроводниках (Минск, Наука и техника, 1975)
E. Koh, D.W. Langer. J. Luminesc., 1--2, 514 (1970)
Физика и химия соединений A²B⁶, пер с англ. под ред. С.А. Медведева (М., Мир, 1970)
Л.Г. Суслина, А.Г. Плюхин, Д.Л. Федоров, А.Г. Арешкин. ФТП, 12 (11), 2238 (1978)
В.И. Фистуль. Атомы легирующих примесей в полупроводниках (М., Физматлит, 2004)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель