Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Уровень локальной электронейтральности и электронные свойства GaSe под давлением

Брудный В.Н.¹, Кособуцкий А.В.², Саркисов С.Ю.¹

¹Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия Tomsk State University, Tomsk, Russia

²Кемеровский государственный университет, Кемерово, Россия Kemerovo State University, Kemerovo, Russia

Поступила в редакцию: 15 февраля 2010 г.

Выставление онлайн: 20 августа 2010 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Из первых принципов выполнены расчеты структурных параметров решетки и электронных зонных спектров GaSe. Рассмотрена их зависимость от гидростатического сжатия до 5 ГПа и однородного двухосного напряжения растяжения и сжатия (от -3 до 3 ГПа) в базальной плоскости элементарной ячейки. Расчеты хорошо воспроизводят известные из эксперимента особенности поведения важнейших межзонных переходов в GaSe под гидростатическим давлением и в отсутствие экспериментальных данных дают прогноз зависимости структурных и электронных свойств GaSe при приложении двухосного напряжения. На основе вычисленных зонных спектров определено энергетическое положение уровня локальной зарядовой нейтральности CNL E_v+0.8 эВ, проанализированы электронные свойства ростового материала и энергетические диаграммы межфазных границ в GaSe.

J. Tersoff. Phys. Rev. Lett., 53, 465 (1984)
V.N. Brudnyi, S.N. Grinyaev, V.E. Stepanov. Physica B, 212, 429 (1995)
V.N. Brudnyi, S.N. Grinyaev, N.G. Kolin. Physica B, 348, 213 (2004)
Н.В. Агринская, Т.В. Машовец. ФТП, 28 (9), 1505 (1994)
X. Gonze, J.-M. Beuken, R. Caracas, F. Detraux, M. Fuchs, G.-M. Rignanese, L. Sindic, M. Verstraete, G. Zerah, F. Jollet, M. Torrent, A. Roy, M. Mikami, Ph. Ghosez, J>-Y. Raty, D.C. Allan. Comput. Mater. Sci., 25, 478 (2002)
N. Troullier, J.L. Martins. Phys. Rev. B, 43, 1993 (1991)
S. Nagel, A. Baldereschi, K. Maschke. J. Phys. C.: St. Phys., 12, 1625 (1979)
K. Cenzual, L. Louise, M. Gelato, M. Penzo, E. Parthe. Acta Crystallogr. B, 47, 433 (1991)
D.-W. Zhang, F.-T. Jin, J.-M. Yuan. Chin. Phys. Lett., 23, 1876 (2006)
L. Plucinski, R.L. Johnson, B.J. Kowalski, K. Kopalko, B.A. Orlowski, Z.D. Kovalyuk, G.V. Lashkarev. Phys. Rev. B, 68, 125 304 (2003)
E. Aulich, J.L. Brebner, E. Mooser. Phys. Status Solidi B, 31, 129 (1969)
M. Gauthier, A. Polian, J.M. Besson, A. Chevy. Phys. Rev. B, 40, 3837 (1989)
R. Sporken, R. Hafsi, F. Coletti, J.M. Debever, P.A. Thiry, A. Chevy. Phys. Rev. B, 49, 11 093 (1994)
V.V. Panfilov, S.I. Subbotin, L.F. Vereshchagin, I.I. Ivanov, R.T. Molchanova. Phys. Status Solidi B, 72, 823 (1975)
А.Ю. Завражнов, В.И. Сидей, Д.Н. Турчен, В.М. Чукичев. Конденсированные среды и межфазные границы, 9 (4), 322 (2007)
S. Shigitomi, T. Ikari. J. Appl. Phys., 94 (8), 5399 (2003)
Zs. Rak, S.D. Mahanti, Krishna C. Mandal, N.C. Fernelius. J. Phys. Chem. Sol., 70, 344 (2009)
V.L. Cardetta, A.M. Manchini, C. Manfredoti, A. Rizzo. J. Cryst. Growth, 17, 155 (1972)
G. Micocci, A. Serra, A. Tepore. J. Appl. Phys., 82 (5), 2365 (1997)
J. Robertson, B. Falabretti. J. Appl. Phys., 100, 014 111 (2006)
I. Mahboob, T.D. Veal, L.F.J. Piper, C.F. McConville, Hai Lu, W.J. Schaff, J. Furthmuller, F. Bechstedt. Phys. Rev. B, 69, 201 307 (2004)
В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь. Письма ЖТФ, 23 (11), 1 (1997)
С.И. Драпак, В.Б. Орлецкий, З.Д. Ковалюк. ФТП, 38 (5), 566 (2004)
O. Lang, A. Klein, C. Pettenkofer, W. Jaegermann. J. Appl. Phys., 80 (7), 3817 (1996)
В.Л. Бакуленко, З.Д. Ковалюк, Ф.И. Курбатов, В.Г. Тагаев, В.Ф. Чишко. ФТП, 12, 374 (1978)
P.C. Leung, G. Andermana, W.G. Spitzer, C.A. Mead. J. Phys. Chem. Sol., 27, 849 (1966)
S. Kurtin, C.A. Mead. J. Chem. Sol., 30, 2007 (1969)
S.L. Kurtin, T.C. McGill, C.A. Mead. Phys. Rev. B 3, 3368 (1971)
А.Г. Кязым-заде, А.О. Губиев, В.И. Тагиров. ФТП, 15, 173 (1981)
Wen-Chang Hyang, Chia-Tsung Horng, Tu-Min Chen, Yu-Kuei Hsu, Chen-Shiung Chang. Phys. Status Solidi C, 5 (10), 3405 (2008)
Wen-Chang Hyang, Shui-Hsiang Su, Yu-Kuei Hsu, Chih-Chia Wang, Chen-Shiung Chang. Superlat. Microstruct., 40, 644 (2006)
W. Monch. Phys. Rev. Lett., 58, 1899 (1987)
W. Monch. Appl. Phys. Lett., 72 (15), 1899 (1998)
H. Raqqass, J.-P. Lachme, C.A. Sebenne, M. Eddrief, V. Le. Than. Appl. Phys. Lett., 92, 357 (361)
K. Amimer, M. Eddrief, C.A. Sebenne. J. Cryst. Growth, 217, 371 (2000)
Н.М. Мехтиев, Ю.В. Рудь, Э.Ю. Салаев. Микроэлектроника, 3, 271 (1985)
В.Н. Брудный. ФТТ, 43 (9), 1187 (2009)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель