Вышедшие номера
Уровень локальной электронейтральности и электронные свойства GaSe под давлением
Брудный В.Н.1, Кособуцкий А.В.2, Саркисов С.Ю.1
1Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
2Кемеровский государственный университет, Кемерово, Россия
Поступила в редакцию: 15 февраля 2010 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2010 г.

Из первых принципов выполнены расчеты структурных параметров решетки и электронных зонных спектров GaSe. Рассмотрена их зависимость от гидростатического сжатия до 5 ГПа и однородного двухосного напряжения растяжения и сжатия (от -3 до 3 ГПа) в базальной плоскости элементарной ячейки. Расчеты хорошо воспроизводят известные из эксперимента особенности поведения важнейших межзонных переходов в GaSe под гидростатическим давлением и в отсутствие экспериментальных данных дают прогноз зависимости структурных и электронных свойств GaSe при приложении двухосного напряжения. На основе вычисленных зонных спектров определено энергетическое положение уровня локальной зарядовой нейтральности CNL Ev+0.8 эВ, проанализированы электронные свойства ростового материала и энергетические диаграммы межфазных границ в GaSe.