Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние дефектов, образованных быстрыми реакторными нейтронами, на экситонные спектры люминесценции монокристаллов сульфида кадмия
1Волынский национальный университет им. Леси Украинки, Луцк, Украина
2Институт физики Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
3Институт прикладных исследований, Вильнюсский университет (факультет физики полупроводников), Вильнюс, Литва
2Институт физики Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
3Институт прикладных исследований, Вильнюсский университет (факультет физики полупроводников), Вильнюс, Литва
Поступила в редакцию: 15 февраля 2010 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2010 г.
Изучалось влияние кластеров дефектов, образованных нейтронной радиацией в CdS-монокристаллах, на параметры спектров экситонной фотолюминесценции при T~ 4.2 K. Экспериментально установлено, что облучение образцов быстрыми реакторными нейтронами с энергией частиц E~ 1 МэВ и дозой Phi=3· 1018 см-2 ведет к уменьшению в ~50 раз интенсивности линий экситонной фотолюминесценции I1 (lambdam=488.7 нм), I2 (lambdam=486.9 нм), I3 (lambdam=486.3 нм) с перераспределением излучения в пользу линий I1 и I3, к увеличению их полуширины от 2 до 5-6 Angstrem без изменения положения максимумов в спектре излучения. Наблюдаемые экспериментальные факты объяснены на основании модели двухфазной системы, состоящей из малоповрежденной области CdS-монокристалла, в которую вкраплены кластеры дефектов (образованные нейтронной радиацией), представляющие собой наноразмерные зерна с сильно разупорядоченной структурой.
- А.А. Андреев. Сб. тр. VI Междунар. конф. Аморфные и микрокристаллические полупроводники (СПб., Изд-во СПбГПУ, 2008) с. 3
- Г.Е. Давидюк, А.П. Галушка, В.С. Манжара, Н.С. Богданюк. Изв. вузов. Физика, N 7, 37 (1980)
- Г.Ю. Давидюк, Н.С. Богданюк. Изв. вузов. Физика, N 2, 19 (1984)
- Физика и химия соединений AIIBVI, под ред. С.А. Медведева (М., Мир, 1970)
- Н.Е. Корсунская, И.В. Маркевич, М.Д. Моин, М.А. Танатар, И.Ю. Шаблий. ФТТ, 9, 3223 (1982)
- E.T. Handelman, D.G. Thomas. J. Phys. Chem. Sol. B, 10, 1261 (1965)
- Н.Е. Корсунская, И.В. Маркевич, И.Ю. Шаблий, М.К. Шейнкман. ФТП, 15, 279 (1981)
- М.С. Бродин, И.Я. Городецкий, Н.Е. Корсунская, И.Ю. Шаблий. Укр. физ. журн., 24, 1539 (1979)
- Р.Ф. Коноплева, В.Л. Литвинов, Н.А. Ухин. Особенности радиационных повреждений полупроводников частицами высоких энергий (М., Атомиздат, 1971)
- В.Л. Винецкий, Г.А. Холодарь. Радиационная физика полупроводников (Киев, Наук. думка, 1979)
- A.P. Galushka, G.E. Davidyuk. J. Phys. D: Appl. Phys. B, 10, 933 (1977)
- Ж. Панков. Оптические процессы в полупроводниках (М., Мир, 1973)
- В.Л. Бонч-Бруевич, И.П. Звягин, Р. Кайпер, А.Г. Миронов, Р. Эндерлайн, Б. Эссер. Электронная теория неупорядоченных полупроводников (М., Наука, 1981)
- Б. Келли. Радиационное повреждение твердых тел (М., Атомиздат, 1970)
- Точечные дефекты в твердых телах, под ред. Б.И. Болтакса, Т.В. Машовец, А.Н. Орлова (М., Мир, 1979)
- Г.Е. Давидюк, В.В. Божко, Л.В. Булатецкая. Вестн. Волын. нац. ун-та. Физ. науки, N 6, 13 (2007)
- Г.Е. Давидюк, Н.С. Богданюк, А.П. Шаварова. ФТП, 28, 2056 (1994)
- Н.С. Богданюк, Г.Е. Давидюк, А.П. Шаварова. ФТП, 29, 357 (1995)
- Г.Е. Давидюк, Н.С. Богданюк, А.П. Шаварова, А.А. Федонюк. ФТП, 31, 1013 (1997)
- Г.Е. Давидюк, В.С. Манжара, Н.С. Богданюк, А.П. Шаварова, В.В. Булатецкий. Неорг. матер., 33, 20 (1997)
- Г.Е. Давидюк, В.С. Манжара, Н.С. Богданюк, А.П. Шаварова, В.В. Булатецкий. ФТП, 31, 390 (1997).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
