Вышедшие номера
Влияние дефектов, образованных быстрыми реакторными нейтронами, на экситонные спектры люминесценции монокристаллов сульфида кадмия
Давидюк Г.Е.1, Богданюк Н.С.1, Божко В.В.1, Кевшин А.Г.1, Манжара В.С.2, Кажукаускас В.3
1Волынский национальный университет им. Леси Украинки, Луцк, Украина
2Институт физики Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
3Институт прикладных исследований, Вильнюсский университет (факультет физики полупроводников), Вильнюс, Литва
Поступила в редакцию: 15 февраля 2010 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2010 г.

Изучалось влияние кластеров дефектов, образованных нейтронной радиацией в CdS-монокристаллах, на параметры спектров экситонной фотолюминесценции при T~ 4.2 K. Экспериментально установлено, что облучение образцов быстрыми реакторными нейтронами с энергией частиц E~ 1 МэВ и дозой Phi=3· 1018 см-2 ведет к уменьшению в ~50 раз интенсивности линий экситонной фотолюминесценции I1 (lambdam=488.7 нм), I2 (lambdam=486.9 нм), I3 (lambdam=486.3 нм) с перераспределением излучения в пользу линий I1 и I3, к увеличению их полуширины от 2 до 5-6 Angstrem без изменения положения максимумов в спектре излучения. Наблюдаемые экспериментальные факты объяснены на основании модели двухфазной системы, состоящей из малоповрежденной области CdS-монокристалла, в которую вкраплены кластеры дефектов (образованные нейтронной радиацией), представляющие собой наноразмерные зерна с сильно разупорядоченной структурой.