"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Закон дисперсии и механизм рассеяния носителей заряда в p-In0.5Ga0.5Sb, легированных Zn
Зейналов С.А.1, Алиев Ф.Ф.1, Дамирова С.З.1, Таиров Б.А.1
1Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
Поступила в редакцию: 13 января 2010 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2010 г.

Исследованы температурные зависимости электропроводности, коэффициента Холла, термоэдс твердых растворов эквимолярного состава In0.5Ga0.5Sb, легированных Zn. Определены концентрационная и температурная зависимости эффективной массы дырок. Установлено, что дисперсия дырок в In0.5Ga0.5Sb подчиняется квадратичному закону. Показано, что во всех легированных образцах при температурах T<200 K носители заряда рассеиваются на ионах примеси, а при T>200 K значительный вклад вносит и рассеяние на колебаниях решетки.
  1. Б.М. Аскров. Электронные явления переноса в полупроводниках (М., Наука, 1985)
  2. Ф.Ф. Алиев, Г.Г. Гусейнов, Г.П. Пашаев, Г.М. Агамирзоева, А.Б. Магеррамов. Неорг. матер., 44 (2), 156 (2008)
  3. S.A. Zeynalov, S.A. Aliyev. Turk. J. Phys., 20 (5), 477 (1996)
  4. W.M. Coderre, J.C. Woolley. Canadian J. Phys., 47 (22), 2553 (1969)
  5. M.J. Aubin, M.B. Tomas, E.H. Van Tongerloo, J.C. Wolley. Canadian J. Phys., 47, 631 (1969)
  6. D. Auvergne, J. Camassel, H. Mathien, A. Joullie. J. Phys. Chem. Sol., 35 (2), 133 (1974)
  7. П.И. Баранский, В.П. Клочков, И.В. Потыкевич. Полупроводниковая электроника. Справочник (Киев, Наук. думка, 1975)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.