Комбинационное рассеяние света в органических полупроводниках на основе молекул дифталоцианина эрбия и хлорсодержащих молекул трифталоцианина лютеция и европия
Белогорохов И.А.1, Мамичев Д.А.2, Дронов М.А.2, Пушкарев В.Е.2, Томилова Л.Г.2, Хохлов Д.Р.2
1Государственный научный центр "Гиредмет", Москва, Россия
2Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 9 декабря 2009 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2010 г.
Проведено исследование спектров комбинационного рассеяния света в полупроводниковых структурах на основе молекул дифталоцианина эрбия и хлорзамещенных молекул трифталоцианина европия и лютеция при возбуждении Ar+-лазером с длиной волны 514 нм. Получена информация о спектральном положении максимумов интенсивности комбинационного рассеяния, характеризующих вибронные состояния основных молекулярных групп, образующих полупроводник. Обнаружены спектральные линии комбинационного рассеяния, не соответствующие известным вибронным состояниям основных молекулярных групп фталоцианина, в диапазонах 100-500 и 500-900 см-1. Показано, что в спектрах трифталоцианина некоторые линии комбинационного рассеяния имеют сложную структуру и смещены на несколько обратных сантиметров относительно характерных линий молекулярных групп.
- J. Wood. Materials Today, 9, 15 (2006)
- J. Wood. Materials Today, 11, 9 (2008)
- M.E. Green. Materials Today, 11, 15 (2008)
- M.E. Green. Materials Today, 11, 16 (2008)
- M.M. Stevens. Materials Today, 11, 18 (2008)
- S. MacNeil. Materials Today, 11, 26 (2008)
- M.Y.Yu. Laura, N.D. Leipzig, S. Molly. Materials Today, 11, 36 (2008)
- L. Moroni, J.H. Elisseeff. Materials Today, 11, 44 (2008)
- L. Wang, D. Fine, A. Dobadalapur. Appl. Phys. Lett., 85, 6386 (2004)
- A. Salleo. Materials Today, 10, 38 (2007)
- C.D. Dimitrakopoulos, D.J. Mascaro. IBM J. Res. Develop., 45, 11 (2001)
- A. Facchetti. Materials Today, 10, 28 (2007)
- C. Reese, B. Zhenan. Materials Today, 10, 20 (2007)
- A. Balazs. Materials Today, 10, 18 (2007)
- M.J. Buehler, T. Ackbarow. Materials Today, 10, 46 (2007)
- J.-C. Eloi, L. Chabanne, G.R. Whittell, I. Manners. Materials Today, 11, 28 (2008)
- V.E. Pushkarev, M.O. Breusova, E.V. Shulishov, Yu.V. Tomilov. Russian Chem. Bull. Int. Ed., 54, 2087 (2005)
- V.E. Pushkarev, E.V. Shulishov, Yu.V. Tomilov, L.G. Tomilova. Tetrahedron Lett., 48, 5269 (2007)
- M. Bao, Y. Bian, L. Rintoul, R. Wang, D.P. Arnold, C. Ma, J. Jiang. Vibrational Spectroscopy, 34, 283 (2004)
- Y. Bian, L. Rintoul, D.P. Arnold, R. Wang, J. Jiang. Vibrational Spectroscopy, 31, 173 (2003)
- M. Bao, R. Wang, L. Rintoul, Q. Liu, D.P. Arnold, C. Ma, J. Jiang. Polyhedron, 25, 1195 (2006)
- F. Lu, Q. Yang, J. Cui, X. Yan. Spectrochim. Acta pt A, 65, 221 (2006)
- M. Bao, R. Wang, L. Rintoul, D.P. Arnold, J. Jiang. Vibrational Spectroscopy, 40, 47 (2006)
- И.А. Белогорохов, М.Н. Мартышов, Е.В. Тихонов, М.О. Бреусова, В.Е. Пушкарев, П.А. Форш, А.В. Зотеев, Л.Г. Томилова, Д.Р. Хохлов. Письма ЖЭТФ, 85, 791 (2007). Т.А. Полянская Raman scattering in organic semiconductor structures based on erbium bisphthalocyanine and clorine contained molecules of triphthalocyanine with lutetium and europium I.A. Belogorokhov, D.A. Mamichev *, M.A. Dronov *, V.E. Pushkarev *, L.G. Tomilova *, D.R. Khokhlov * Institute of Rare Metals, 119017 Moscow, Russia * Moscow State University, 119991 Moscow, Russia Optical properties of semiconductor structures based on erbium bisphthalocyanine molecules and triphthalocyanine molecules with non-symmetric distribution of electrical charge density have been studied. Raman spectra of semiconductor structures based on erbium bisphthalocyanine and triphthalocyanine molecules with non-symmetric distribution of electrical charge density under the excitation with 514 nm were obtained and investigated. Investigation of Raman spectra revealed total dynamic of main Raman peaks, which characterize vibronic states of all molecular groups comprises organic semiconductor. Several new Raman peaks with middle internsity were found in spectral regions from 100 cm-1 to 500 cm-1 and 500--900 cm-1. It has been shown that in Raman spectra of triphthalocyanine structures a number of peaks may be shifted and spitted. 21
- Ж.И. Алфёров, А.Л. Асеев, С.В. Гапонов и др. Нано- и микросистемная техника, (8), 3 (2003)
- Ж.И. Алфёров. ФТП, 32 (1), 3 (1998)
- J.P. Sun, G.I. Haddad, P. Mazumder, S. Member, J.N. Schulman. Proc. IEEE, 86 (4), 641 (1998)
- M. Asada, S. Suzuki, N. Kishimoto. Jpn. J. Appl. Phys., 47, 4375 (2008)
- M. Tonouchi. Nature Photonics, 1, 97 (2007)
- H. Kim and K. Seo. Jpn. J. Appl. Phys., 47 (5), 3340 (2008)
- J.P.A. Van Der Wagt. Proc. IEEE, 87 (4), 571 (1999)
- E.R. Brown, T.C.L. Sollner, C.D. Parker, W.D. Goodhue, C.L. Chen. Appl. Phys. Lett., 55 (17), 1777 (1989)
- S. Muto, T. Inata, H. Ohnishi, N. Yakoyama, S. Hiyamizu. Jpn. J. Appl. Phys., 25 (7), L577 (1986)
- А.А. Белоушкин, Ю.А. Ефимов, А.С. Игнатьев, А.Л. Карузский, В.Н. Мурзин, А.В. Пересторонин, Г.К. Расулова, А.М. Цховребов, Е.Г. Чижевский. ФТП, 32 (1), 124 (1998)
- N. Shimizu, T. Waho, T. Ishibashi. Jpn. J. Appl. Phys., 36 (3B), L330 (1997)
- H. Ohnishi, T. Inata, S. Muto, N. Naoki, A. Shibatomi. Appl. Phys. Lett., 49 (19), 1248 (1986)
- I. Mehdi, R. Mains, G. Haddad. Appl. Phys. Lett., 57 (9), 899 (1990)
- T. Wei, S. Stapleton. J.. Appl. Phys., 76 (2), 1287 (1994)
- Zang Yang, Han Chun-Lin, Gao Jian-Feng, Zhu Zhan-Ping, Wang Bao-Qiang, Zeng Yi-Ping. Chinese Physics B, 17 (4), 1472 (2008)
- T. Daniels-Race, S. Yu. Sol. St. Electron., 38 (7), 1347 (1995)
- H.M. Yoo, S.M. Goodnick, J.R. Arthur. Appl. Phys. Lett., 56 (1), 84 (1990)
- В.Ф. Елесин. ЖЭТФ, 119 (4), 816 (2001)
- O. Pinaud. J. Appl. Phys., 92 (4), 1987 (2002)
- Gyungok Kim, Kwang Man Koh, Chong Hoon Kim. J. Korean Phys. Soc., 39, S279 (2001)
- Yashiyuki Suda, Hajime Koyama. Appl. Phys. Lett., 79 (14), 2273 (2001)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.