"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Туннельно-инжекционные структуры InGaAs с наномостиками: перенос возбуждения и кинетика люминесценции
Талалаев В.Г.1,2, Сеничев А.В.1, Новиков Б.В.1, Tomm J.W.3, Elsaesser T.3, Захаров Н.Д.4, Werner P.4, Gosele U., Самсоненко Ю.Б.5, Цырлин Г.Э.5
1Научно-исследовательский институт физики им. В.А. Фока Санкт-Петербургского государственного университета, Санкт-Петербург, Петергоф, Россия
2Martin--Luther--Universitat, ZIK "SiLi-nano", Halle, Deutschland
3Max--Born--Institut fur Nichtlineare Optik und Kurzzeitspektroskopie, Berlin, Deutschland
4Max--Planck--Institut fur Mikrostrukturphysik, Halle (Saale), Deutschland
5Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 28 декабря 2009 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2010 г.

Методами оптической спектроскопии и электронной микроскопии исследованы туннельно-нижекционные наноструктуры, активная область которых состояла из верхнего слоя квантовой ямы In0.15Ga0.85As в качестве инжектора носителей и нижнего слоя квантовых точек In0.6Ga0.4As в качестве эмиттера света, разделенных слоем барьера GaAs. В зависимости времени туннелирования от толщины барьера обнаружены отклонения от полуклассической модели Вентцеля--Крамерса--Бриллюэна. Сокращение времени переноса до единиц пикосекунд при толщине барьера менее 6 нм объясняется формированием между вершинами квантовых точек и слоем квантовой ямы наномостиков InGaAs, в том числе с собственным дырочным состоянием. Учтено влияние наведенного туннелированием электрического поля на время переноса носителей в туннельно-инжекционной наноструктуре.
  1. Z. Mi, P. Bhattacharya, S. Fathpour. Appl. Phys. Lett., 86, 153 109 (2005)
  2. В.П. Евтихиев, О.В. Константинов, А.В. Матвеенцев, А.Е. Романов. ФТП, 36, 79 (2002)
  3. G. Sek, P. Poloczek, P. Podemski, R. Kudrawiec, J. Misiewicz. Appl. Phys. Lett., 90, 081 915 (2007)
  4. L.F. Register, C. Wanqiang, X. Zheng, M. Stroscio. Int. J. High Speed Electron. Syst., 12, 239 (2002)
  5. V.G. Talalaev, J.W. Tomm, N.D. Zakharov, P. Werner, U. Gosele, B.V. Novikov, A.S. Sokolov, Yu.B. Samsonenko, V.A. Egorov, G.E. Cirlin. Appl. Phys. Lett., 93, 031 105 (2008)
  6. V.G. Talalaev, J.W. Tomm, A.S. Sokolov, I.V. Shtrom, B.V. Novikov, A. Winzer, R. Goldhahn, G. Gobsch, N.D. Zakharov, P. Werner, U. Gosele, G.E. Cirlin, A.A. Tonkikh, V.M. Ustinov, G.G. Tarasov. J. Appl. Phys., 100, 083 704 (2006)
  7. Yu.I. Mazur, Zh.M. Wang, G.G. Tarasov, M. Xiao, G.J. Salamo, J.W. Tomm, V. Talalaev, H. Kissel. Appl. Phys. Lett., 86, 063 102 (2005)
  8. Ч.С. Ким, А.М. Сатанин, В.Б. Штенберг. ФТП, 36, 569 (2002)
  9. Ю.А. Алещенко, И.П. Казаков, В.В. Капаев, Ю.В. Копаев. Письма ЖЭТФ, 67, 207 (1998)
  10. С.И. Губарев, И.В. Кукушкин, С.В. Товстоног, М.Ю. Акимов, И. Смет, К. фон Клитцинг, В. Вегшайдер. Письма ЖЭТФ, 72, 469 (2000)
  11. L.V. Asryan, S. Luryi. Sol. St. Electron., 47, 205 (2003)
  12. D.-S. Han, L.V. Asryan. Appl. Phys. Lett., 92, 251 113 (2008)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.