Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Исследование нанокристаллов кремния в слоях субоксида кремния методом комбинационного рассеяния света
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия 
2Институт проблем лазерных и информационных технологий Российской академии наук, Троицк, Россия
2Институт проблем лазерных и информационных технологий Российской академии наук, Троицк, Россия
Поступила в редакцию: 16 декабря 2009 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2010 г.
Методом спектроскопии комбинационного рассеяния света исследованы слои субоксида кремния SiOx (x~1), подвергнутые термическому отжигу при температурах от 950 до 1200oC для формирования в них нанокристаллов кремния. Сравнением полученных экспериментальных данных с моделью пространственного ограничения фононов найдены объемные доли кристаллической и аморфной фаз кремния в исследуемых слоях. Установлено, что средний размер нанокристаллов кремния увеличивается с 4 до 6.5 нм с ростом температуры отжига, что объясняется укрупнением нанокристаллов за счет кристаллизации аморфной фазы кремния, а также процессами слияния соседних нанокристаллов, происходящими при максимальных температурах отжига.
- M.E. Castanga, S. Coffa, M. Monaco, L. Caristia, A. Messina, R. Mangano, C. Bongiorno. Physica E, 16, 547 (2003)
- M. Xie, Z. Yuan, B. Qian, L. Pavesi. Chin. Opt. Lett., 7, 319 (2009)
- V.A. Belyakov, V.A. Burdov, R. Lockwood, A. Meldrum. Adv. Opt. Technol., 2008, 279 502 (2008)
- Z.A.K. Durrani, M.A. Rafic. Microelectron. Eng., 86, 456 (2009)
- H. Richter, Z.P. Wang, L. Ley. Sol. St. Commun., 39, 625 (1981)
- L.H. Campbell, P.M. Fauchet. Sol. St. Commun., 58, 739 (1986)
- С.В. Гайслер, О.И. Семенова, Р.Г. Шарафутдинов, Б.А. Колесов. ФТТ, 46, 1484 (2004)
- J. Zi, H. Buscher, C. Falter, W. Ludwig, K. Zhang, X. Xie. Appl. Phys. Lett., 69, 200 (1996)
- G. Faraci, S. Gibilisco, P. Russo, A.R. Pennisi, S.L. Rosa. Phys. Rev. B, 73, 033 307 (2006)
- D.M. Zhigunov, V.N. Seminogov, V.Yu. Timoshenko, V.I. Sokolov, V.N. Glebov, A.M. Malyutin, N.E. Maslova, O.A. Shalygina, S.A. Dyakov, A.S. Akhmanov, V.Ya. Panchenko, P.K. Kashkarov. Phys. E., 41, 1006 (2009)
- F. Iacona, C. Bongiorno, C. Spinella, S. Boninelli, F. Priolo. J. Appl. Phys., 95, 3723 (2004)
- В.И. Емельянов, В.Н. Семиногов. Письма ЖТФ, 32, 18 (2006)
- В.Г. Голубев, В.Ю. Давыдов, А.В. Медведев, А.Б. Певцов, Н.А. Феоктистов. ФТТ, 39, 1348 (1997)
- A.T. Voutsas, M.K. Hatalis, J. Boyce, A. Chiang. J. Appl. Phys., 78, 6999 (1995)
- E. Bustarred, M.A. Hachicha. Appl. Phys. Lett., 52, 1675 (1988)
- V. Paillard, P. Puech, M.A. Laguna, R. Carles. J. Appl. Phys., 86, 1921 (1999)
- R. Tsu, J. Gonzalez-Hernandez, S.S. Chao, S.C. Lee, K. Tanaka. Appl. Phys. Lett., 40, 534 (1982)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
