"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Исследование нанокристаллов кремния в слоях субоксида кремния методом комбинационного рассеяния света
Маслова Н.Е.1, Антоновский А.А.1, Жигунов Д.М.1, Тимошенко В.Ю.1, Глебов В.Н.2, Семиногов В.Н.2
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
2Институт проблем лазерных и информационных технологий Российской академии наук, Троицк, Россия
Поступила в редакцию: 16 декабря 2009 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2010 г.

Методом спектроскопии комбинационного рассеяния света исследованы слои субоксида кремния SiOx (x~1), подвергнутые термическому отжигу при температурах от 950 до 1200oC для формирования в них нанокристаллов кремния. Сравнением полученных экспериментальных данных с моделью пространственного ограничения фононов найдены объемные доли кристаллической и аморфной фаз кремния в исследуемых слоях. Установлено, что средний размер нанокристаллов кремния увеличивается с 4 до 6.5 нм с ростом температуры отжига, что объясняется укрупнением нанокристаллов за счет кристаллизации аморфной фазы кремния, а также процессами слияния соседних нанокристаллов, происходящими при максимальных температурах отжига.
  1. M.E. Castanga, S. Coffa, M. Monaco, L. Caristia, A. Messina, R. Mangano, C. Bongiorno. Physica E, 16, 547 (2003)
  2. M. Xie, Z. Yuan, B. Qian, L. Pavesi. Chin. Opt. Lett., 7, 319 (2009)
  3. V.A. Belyakov, V.A. Burdov, R. Lockwood, A. Meldrum. Adv. Opt. Technol., 2008, 279 502 (2008)
  4. Z.A.K. Durrani, M.A. Rafic. Microelectron. Eng., 86, 456 (2009)
  5. H. Richter, Z.P. Wang, L. Ley. Sol. St. Commun., 39, 625 (1981)
  6. L.H. Campbell, P.M. Fauchet. Sol. St. Commun., 58, 739 (1986)
  7. С.В. Гайслер, О.И. Семенова, Р.Г. Шарафутдинов, Б.А. Колесов. ФТТ, 46, 1484 (2004)
  8. J. Zi, H. Buscher, C. Falter, W. Ludwig, K. Zhang, X. Xie. Appl. Phys. Lett., 69, 200 (1996)
  9. G. Faraci, S. Gibilisco, P. Russo, A.R. Pennisi, S.L. Rosa. Phys. Rev. B, 73, 033 307 (2006)
  10. D.M. Zhigunov, V.N. Seminogov, V.Yu. Timoshenko, V.I. Sokolov, V.N. Glebov, A.M. Malyutin, N.E. Maslova, O.A. Shalygina, S.A. Dyakov, A.S. Akhmanov, V.Ya. Panchenko, P.K. Kashkarov. Phys. E., 41, 1006 (2009)
  11. F. Iacona, C. Bongiorno, C. Spinella, S. Boninelli, F. Priolo. J. Appl. Phys., 95, 3723 (2004)
  12. В.И. Емельянов, В.Н. Семиногов. Письма ЖТФ, 32, 18 (2006)
  13. В.Г. Голубев, В.Ю. Давыдов, А.В. Медведев, А.Б. Певцов, Н.А. Феоктистов. ФТТ, 39, 1348 (1997)
  14. A.T. Voutsas, M.K. Hatalis, J. Boyce, A. Chiang. J. Appl. Phys., 78, 6999 (1995)
  15. E. Bustarred, M.A. Hachicha. Appl. Phys. Lett., 52, 1675 (1988)
  16. V. Paillard, P. Puech, M.A. Laguna, R. Carles. J. Appl. Phys., 86, 1921 (1999)
  17. R. Tsu, J. Gonzalez-Hernandez, S.S. Chao, S.C. Lee, K. Tanaka. Appl. Phys. Lett., 40, 534 (1982)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.