Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Зависимость спектров фотолюминесценции эпитаксиальных слоев твердого раствора Pb_1-xEu_xTe (0=<q x=<q0.1) от условий выращивания

Пашкеев Д.А.¹, Селиванов Ю.Г.¹, Felder F.², Засавицкий И.И.¹

¹Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия Lebedev Physical Institute, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Lebedev Physical Institute, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

²Thin Film Physics Group, Laboratory for Solid State Physics, Swiss Federal Institute of Technology (ETH), C Zurich, Switzerland

Поступила в редакцию: 8 декабря 2009 г.

Выставление онлайн: 19 июня 2010 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Изучались спектры фотолюминесценции твердого раствора Pb_1-xEu_xTe (0=<q x=<q0.1) при низких температурах. Эпитаксиальные слои выращивались методом молекулярно-лучевой эпитаксии при различных температурах. В спектрах помимо основной линии, соответствующей межзонной излучательной рекомбинации, с низкоэнергетической стороны наблюдались дополнительные линии излучения. На поверхности образцов (менее 1% от общей площади) обнаружены неоднородности, концентрация и размер (1-10 мкм) которых уменьшаются с увеличением температуры роста. Дополнительные линии излучения связываются с локальными неоднородностями в слое. Определена зависимость ширины запрещенной зоны Pb_1-xEu_xTe (0=<q x=<q0.1) от состава при 77.4 K, которая является нелинейной и выражается соотношением E_g[эВ]=0.213+4.8x-18.4x².

D.L. Partin. IEEE J. Quant. Electron., QE-24, 1716 (1988)
T. Schwarzl, W. Heib, G. Springholz. Appl. Phys. Lett., 75, 1246 (1999)
Z. Shi, G. Xu, P.J. McCann, X.M. Fang, N. Dai, C.L. Felix, W.W. Bewley, I. Vurgaftman, J.R. Meyer. Appl. Phys. Lett., 76, 3688 (2000)
W. Heiss, T. Schwarzl, J. Roither, G. Springholz, M. Aigle, H. Pascher, K. Biermann, K. Reimann. Prog. Quant. Electron., 25, 193 (2001)
M. Rahim, A. Khiar, F. Felder, M. Fill, H. Zogg. Appl. Phys. Lett., 94, 201 112 (2009)
И.И. Засавицкий, А.В. Мазурин, Ю.Г. Селиванов, Г. Цогг, А.В. Юрушкин. Письма ЖЭТФ, 87, 584 (2008)
G. Springholz, G. Bauer. J. Cryst. Growth, 144, 157 (1994)
A. Gruneis, K. Hummer, M. Marsman, G. Kresse. Phys. Rev. B, 78, 165 103 (2008)
Shu Yuan, H. Krenn, G. Springholz, G. Bauer. Phys. Rev. B, 47, 7213 (1993)
Shu Yuan, H. Krenn, G. Springholz, Yukio Ueta, G. Bauer, P.J. McCann. Phys. Rev. B, 55, 4607 (1997)
A. Ishida, S. Matsuura, M. Mizuno, Y. Sase, H. Fujiasu. Jpn. J. Appl. Phys., 63, 4572 (1988)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель