Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2025
- 1
2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Оптические свойства четверных полупроводниковых твердых растворов GaN_xAs_yP_1-x-y

Егоров А.Ю.^1,2, Крыжановская Н.В.^1,2, Пирогов Е.В.², Павлов М.М.³

¹Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
²Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

³Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия Peter the Great Saint-Petersburg Polytechnic University, St. Petersburg, Russia

Peter the Great Saint-Petersburg Polytechnic University, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 7 декабря 2009 г.

Выставление онлайн: 19 июня 2010 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследования оптических свойств четверных полупроводниковых твердых растворов GaN_xAs_yP_1-x-y, выращенных на поверхности подложки GaP(100), проведены методами спектроскопии фотолюминесценции в температурном диапазоне 20-300 K и возбуждения люминесценции при температуре жидкого азота. В ходе выполнения работы исследовались твердые растворы GaN_xAs_yP_1-x-y с величинами мольных долей азота x и мышьяка y в диапазонах 0.006-0.012 и 0.00-0.18 соответственно. Проведен сравнительный анализ полученных данных и установлены зависимости энергетического положения максимума линии фотолюминесценции от элементного состава четверного твердого раствора. При исследовании фотолюминесценции в диапазоне 20-300 K наблюдалось существенное отличие температурной зависимости положения максимума фотолюминесценции от закономерности, описываемой выражением Варшни.

D.G. Thomas, J.J. Hopfield, C.J. Frosch. Phys. Rev. Lett., 15, 857 (1965)
А.Ю. Егоров, Е.С. Семенова, В.М. Устинов, Y.G. Hong, C. Tu. ФТП, 36(9), 1056 (2002)
H.Ch. Alt, A.Yu. Egorov, H. Riechert, B. Wiedemann, J.D. Meyer. Physica B 308--310, 877 (2001)
P.R.C. Kent, A. Zunger. Phys. Rev. B, 64, 115 208 (2001)
W. Shan, W. Walukiewicz, J.W. Ager III, E.E. Haller, J.F. Geisz, D.J. Friedman, J.M. Olson, S.R. Kurtz. Phys. Rev. Lett., 82, 1221 (1999)
C. Skierbiszewski, P. Perlin, E. Wisniewski, W. Knap, T. Suski, W. Walukiewicz, W. Shan, K.M. Yu, J.W. Ager III, E.E. Haller, J.F. Geisz, J.M. Olson. Appl. Phys. Lett., 76, 2409 (2002)
W. Shan, W. Walukiewicz, K.M. Yu, J. Wu, J.W. Ager III, E.E. Haller, H.P. Xin, C.W. Tu. Appl. Phys. Lett., 76, 325 (2000)
V.A. Odnoblyudov, C.W. Tu. Appl. Phys. Lett., 89, 11 192 (2006)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель