Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Механизм компенсации донорной примеси в приповерхностном слое GaP при термообработке в парах фосфора

Крутоголов Ю.К.¹

¹Научно-исследовательский институт материалов электронной техники, Калуга, Россия

Поступила в редакцию: 10 ноября 2009 г.

Выставление онлайн: 20 мая 2010 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

С помощью вторичной ионной масс-спектрометрии и вольт-фарадных измерений изучен механизм образования приповерхностного слоя с низкой концентрацией нескомпенсированных доноров в GaP n-типа проводимости, выращенном методом газофазной эпитаксии и подвергнутом термообработке при различном давлении паров фосфора. Зависимость толщины указанного слоя от давления паров фосфора имеет минимум при давлении (1.5±0.5)·10³ Па. Показано, что при давлениях паров выше указанного подходящим кандидатом на роль компенсирующего акцептора является межузельный фосфор, образующий глубокую электронную ловушку. При низких давлениях вероятным компенсирующим центром является вакансия фосфора, создающая глубокий уровень с энергией E_c-(0.21±0.01) эВ. При 700^oC эффективный коэффициент диффузии межузельного фосфора составляет ~(3±1)·10^-15 см²/с, а вакансии фосфора ~(3±1)·10^-14 см²/с.

E.G. Seebauer, M.C. Kratzer. Mater. Sci. Engin. R, 55, 57 (2006)
E.C. Jones, E. Ishida. Mater. Sci. Engin. R, 24, 1 (1998)
А.Н. Морозов, Е.С. Добрынина, В.Т. Бублик, М.И. Воронова, В.И. Петров. ФТП, 20, 1892 (1986)
А.В. Сказочкин, Ю.К. Крутоголов, Ю.И. Кунакин, Г.Г. Бондаренко. Поверхность. Физика, химия, механика, N 5, 75 (1996)
J. Nishizawa, Y. Okuno, K. Suto, T. Sato, S. Yamokoshi. Sol. St. Commun., 14, 889 (1974)
A. Tanaka, T. Sukedawa. J. Appl. Phys., 53, 9208 (1982)
J. Nishizawa, M. Koike, K. Miura, Y. Okuno. Jpn. J. Appl. Phys., 19, 25 (1979)
A.R. Peaker, B. Hamilton. In: Deep Centers in Semiconductors, ed. by S.T. Pantelides (Gordon \& Breach Science Publisher, N.Y., 1986) p. 349
A.V. Skazochkin, Yu.K. Krutogolov, Yu.I. Kunakin. Semicond. Sci. Technol., 10, 634 (1995)
R.W. Jansen, O.F. Sankey. Phys. Rev. B, 39, 3192 (1989)
A. Hoglund, C.W.M. Castleton, S. Mirbt. Phys. Rev. B, 72, 195 213 (2005)
A.V. Skazochkin, Yu.K. Krutogolov, G.G. Bondarenko. Semicond. Sci. Technol., 11, 495 (1996)
M. Zazoui, S.L. Feng, J.C. Bourgoin. Semicond. Sci. Technol., 6, 973 (1991)
Н.А. Либо, Ю.К. Крутоголов. Физика и химия обраб. материалов, N 3, 12 (1996)
T.J. Yu, T. Tanno, K. Suto, J. Nishizawa. J. Electron. Mater., 31, 591 (2002)
M. Jaros, S. Brand. Phys. Rev. B, 14, 4494 (1976)
M.J. Puska. J. Phys.: Condens. Matter, 1, 7347 (1989)
M. Scheffler, J. Bernholc, N.O. Lipari, S.T. Pantelides. Phys. Rev. B, 29, 3269 (1984)
В.В. Новиков. Теоретические основы микроэлектроники (Высш. шк., М., 1972)
А.И. Курносов, В.В. Юдин. Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем (Высш. шк., М., 1986)
Р. Сволин. В кн.: Атомная диффузия в полупроводниках, под ред. Д. Шоу (М., Мир, 1975) с. 88 [Пер. с англ.: Atomic diffusion in semiconductors, ed.by D. Shaw (Plenum Press, London--N.Y., 1973)]
H. Bracht, S.P. Nicols, E.E. Haller, J.P. Silveira, F. Briones. J. Appl. Phys., 89, 5393 (2001)
T.D. Brown, G.S. May. IEEE Trans. Semicond. Manufact., 18, 614 (2005)
D. Wbiler, H. Mehrer. Phil. Mag., 49, 309 (1984)
Х. Кейзи. В кн.: Атомная диффузия в полупроводниках, под ред. Д. Шоу (М., Мир, 1975) с. 406 [Пер. с англ.: Atomic diffusion in semiconductors, ed. by D. Shaw (Plenum Press. London--N.Y., 1973)]
B. Goldstein. Phys. Rev., 121, 1305 (1961)
В.Б. Барков, Ю.К. Крутоголов. А.с. 1505354 (СССР). [Бюл. изобр., N 5, 45 (1987)]
Дж. Блекмор. Статистика электронов в полупроводниках, пер. с англ.: под ред. Л.Л. Коренблита (М., Мир, 1964) [Пер. с англ. J.S. Blakemore. Semiconductor statistics (Pergamon Press, Oxford--London--N.Y.--Paris, 1962)]
R. Krause--Rehberg, A. Polity, W. Siegel, G. Kuhnel. Semicond. Sci. Technol., 8, 290 (1993)
J.A. Van Vechten. J. Electrochem. Soc., 122, 423 (1975)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель