Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2010, выпуск 6 » Статья стр. 775
<<<>>>
Влияние микроволновой обработки на механизмы протекания тока в омических контактах Au-TiBx-Al-Ti-n+-n-n+-GaN-Al2O3
Беляев А.Е.1, Болтовец Н.С.2, Витусевич С.А.1, Иванов В.Н.2, Конакова Р.В.1, Кудрик Я.Я.1, Лебедев А.А.3, Миленин В.В.1, Свешников Ю.Н.4, Шеремет В.Н.1
1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2Государственное предприятие НИИ "Орион", Киев, Украина
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4ЗАО "Элма-Малахит", Зеленоград, Россия
Поступила в редакцию: 3 ноября 2009 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2010 г.
PDF версия
Исследованы температурные зависимости удельного контактного сопротивления rhoc омических контактов Au-TiBx-Al-Ti-n+-n-n+-GaN-Al2O3 до и после микроволновой обработки и последующего хранения образцов в течение 9 месяцев при комнатной температуре. Температурные зависимости rhoc исходных образцов измерялись дважды. При первом измерении rhoc обнаружена типичная для омических контактов температурная зависимость rhoc, при повторном измерении в области температур >270 K обнаружен рост rhoc, обсусловленный металлической проводимостью. После микроволновой обработки металлическая проводимость в омическом контакте не наблюдается, что предположительно связано с локальным разогревом металлических включений Ga при воздействии микроволнового излучения и формированием, вследствие большой химической активности жидкого галлия, его соединений с другими компонентами металлизации. Температурная зависимость rhoc в этом случае определяется обычными механизмами токопереноса. После 9 месяцев хранения при комнатной температуре температурная зависимость rhoc описывается туннельным механизмом токопереноса.
  1. Hadis Morkov c. Nitride Semiconductors and Devices (Berlin, Springer, 1999)
  2. В.Н. Данилин, Ю.П. Докучаев, Т.А. Жукова, М.А. Комаров. Обзоры по электрон. техн. Сер. 1. СВЧ техника (М., ГУП НПП "Пульсар", 2001) вып. 1
  3. Ю.Г. Шретер, Ю.Т. Ребане, В.А. Зыков, В.Г. Сидоров. Широкозонные полупроводники (СПб., Наука, 2001)
  4. S. Noor Mohammad. J. Appl. Phys., 95 (12), 7940 (2004)
  5. J. Wurfl, V. Abrosimova, J. Hilsenbeck, E. Nebauer, W. Rieger, G. Trankle. Microelectron. Reliab., 39 (10), 1737 (1999)
  6. O.Z. Lin, S.S. Lan. Sol. St. Electron., 42 (5), 677 (1998)
  7. Hadis Morkov c. Handbook of Nitride Semiconductors and Devices (Wiley-VCH Verlag, 2008) v. 2
  8. В.Н. Бессолов, Т.В. Бланк, Ю.А. Гольдберг, О.В. Константинов, Е.А. Поссе. ФТП, 42 (11), 1345 (2008)
  9. R. Khanna. PhD Thesis (University of Florida, Florida, USA, 2007)
  10. Т.В. Бланк, Ю.А. Гольдберг. ФТП, 41 (11), 1281 (2007)
  11. N. Ramesha Reddy, V. Rajagopal Reddy, Chel-Jong Choi. Microelectron. Eng., 83 (10), 1981 (2006)
  12. R. Khanna, S.J. Pearton, F. Ren, I.I. Kravchenko. Appl. Surf. Sci., 253 (4), 2340 (2006)
  13. M.A. Miller, S.-K. Lin, S. Mohneya. J. Appl. Phys., 104 (6), 064 508 (2008)
  14. E.D. Atanassova, A.E. Belyaev, R.V. Konakova, P.M. Lytvyn, V.V. Milenin, V.F. Mitin, V.V. Shynkarenko. Preprint NTC (Institute for Single Crystals, Kharkiv, 2007)
  15. А.Е. Беляев, Н.С. Болтовец, В.Н. Иванов, Р.В. Конакова, Е.Ю. Колядина, Я.Я. Кудрик, Л.А. Матвеева, В.В. Миленин, В.Н. Шеремет. Тр. 18-й Крымской конф. по СВЧ технике и телекоммуникационным технологиям (Севастополь, Вебер, 2008)
  16. А.Н. Андреев, М.Г. Растегаева, В.П. Растегаев, С.А. Решанов. ФТП, 32 (7), 832 (1998)
  17. F. Incolano, F. Roccaforte, A. Alberti, C. Bongiorno, S. Di Franco, V. Raineri. J. Appl. Phys., 100 (12), 123 706 (2006)
  18. Chuan Xu, Jinuan Wang, Haiyan Jin, J. Zhou, P. Wen Cheng. Rare Metals, 26 (5), 463 (2007)
  19. A.N. Bright, P.J. Thomas, M. Weyland, D.M. Tricker, C.J. Humphreys. J. Appl. Phys., 89 (6), 3143 (2001)
  20. L. Wang, F.M. Mohammad, I. Adesida. Appl. Phys. Lett., 87 (14), 141 915 (2005)
  21. L. Wang, F.M. Mohammad, I. Adesida. Appl. Phys., 101 (1), 013 702 (2007)
  22. C. Lu, H. Chen, X. Lu, X. Xie, S. Noor Mahammad. J. Appl. Phys., 91 (11), 9218 (2002)
  23. Т.В. Бланк, Ю.А. Гольдберг, О.В. Константинов, В.Г. Никитин, Е.А. Поссе. ФТП, 40 (10), 1204 (2006)
  24. J.D. Guo, M.S. Feng, R.J. Guo, F.M. Pan, C.Y. Chang. Appl. Phys. Lett., 67 (3), 2657 (1995)
  25. Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц. Квантовая механика (М., Наука, 1972)
  26. Н.С. Болтовец, А.Б. Камалов, Е.Ю. Колядина, Р.В. Конакова, П.М. Литвин, О.С. Литвин, Л.А. Матвеева, В.В. Миленин, А.Е. Ренгевич. Письма ЖТФ, 28 (4), 57 (2002)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme