Вышедшие номера
Влияние микроволновой обработки на механизмы протекания тока в омических контактах Au-TiBx-Al-Ti-n+-n-n+-GaN-Al2O3
Беляев А.Е.1, Болтовец Н.С.2, Витусевич С.А.1, Иванов В.Н.2, Конакова Р.В.1, Кудрик Я.Я.1, Лебедев А.А.3, Миленин В.В.1, Свешников Ю.Н.4, Шеремет В.Н.1
1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2Государственное предприятие НИИ "Орион", Киев, Украина
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4ЗАО "Элма-Малахит", Зеленоград, Россия
Поступила в редакцию: 3 ноября 2009 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2010 г.

Исследованы температурные зависимости удельного контактного сопротивления rhoc омических контактов Au-TiBx-Al-Ti-n+-n-n+-GaN-Al2O3 до и после микроволновой обработки и последующего хранения образцов в течение 9 месяцев при комнатной температуре. Температурные зависимости rhoc исходных образцов измерялись дважды. При первом измерении rhoc обнаружена типичная для омических контактов температурная зависимость rhoc, при повторном измерении в области температур >270 K обнаружен рост rhoc, обсусловленный металлической проводимостью. После микроволновой обработки металлическая проводимость в омическом контакте не наблюдается, что предположительно связано с локальным разогревом металлических включений Ga при воздействии микроволнового излучения и формированием, вследствие большой химической активности жидкого галлия, его соединений с другими компонентами металлизации. Температурная зависимость rhoc в этом случае определяется обычными механизмами токопереноса. После 9 месяцев хранения при комнатной температуре температурная зависимость rhoc описывается туннельным механизмом токопереноса.