"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Природа прямых и обратных токов насыщения в контактах металл-полупроводник с барьером Шоттки
Торхов Н.А.1
1Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов, Томск, Россия
Поступила в редакцию: 20 октября 2009 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2010 г.

Сильная зависимость токов насыщения прямых и обратных вольт-амперных характеристик высокобарьерных (>0.6 В) контактов металл-полупроводник с барьером Шоттки от их диаметра D определяется встроенным и сонаправленным с собственным электрическим полем контакта дополнительным электрическим полем, которое образуется под влиянием периферии контакта. Это поле препятствует движению электронов через контакт при подаче на него прямого смещения. Увеличение диаметра контактов от 5 до 700 мкм приводит к уменьшению различия прямых и обратных токов насыщения с пяти порядков практически до нуля. Увеличение диаметра контакта, таким образом, приводит к уменьшению влияния периферии и уменьшению абсолютного значения встроенного электрического поля. Уменьшение высоты барьера (=<q0.6 В для D=5 мкм) также приводит практически к полному совпадению прямых и обратных токов насыщения. На обратных ветвях вольт-амперных характеристик влияние встроенного поля проявляется в значительном уменьшении эффективной высоты потенциального барьера вследствие уменьшения его ширины вблизи вершины и значительного увеличения полевой эмиссии электронов через барьер при более низких значениях энергии. На прямых ветвях это проявляется практически в полном отсутствии прямых токов при малых смещениях.
  1. W.O. Barnard, G. Myburg, F.D. Auret, S.A. Goodman, W.E. Meyer. J. Electron. Mater., 25 (11), 1695 (1996)
  2. S.J. Eglash, M. Newman, S. Pan, W.E. Spicer, D.M. Collins, M.P. Zurakowski. IEEE IEDM, 83, 119 (1983)
  3. S.J. Eglash, M. Newman, S. Pan, D. Mo, K. Shenal, W.E. Spicer, F.A. Ponce, D.M. Collins. J. Appl. Phys., 81 (11), 5158 (1987)
  4. В.И. Шашкин, А.В. Мурель, В.М. Данильцев, О.И. Хрыкин. ФТП, 36 (5), 537 (2002)
  5. В.Г. Божков, С.Е. Зайцев. Изв. вузов. Радиофизика, 47 (9), 769 (2004)
  6. Н.А. Торхов. Деп. в ВИНИТИ N 334-D2008 от 18.04.2008
  7. Н.А. Торхов, В.Г. Божков, И.В. Ивонин, В.А. Новиков. Поверхность, N 11, 1 (2009)
  8. Н.А. Торхов. ФТП, 44 (5), 615 (2009)
  9. Р.К. Мамедов. Контакты металл--полупроводник с электрическим полем пятен (Баку, БГУ, 2003)
  10. H.O. Jacobs, P. Leuchtmann, O.J. Homan, A. Stemmer. J. Appl. Phys., 84 (3), 1168 (1998)
  11. В.Г. Божков, Н.А. Торхов, И.В. Ивонин, В.А. Новиков. ФТП, 42 (5), 546 (2008)
  12. А.В. Анкудинов, В.П. Евтихиев, К.С. Ладутенко, А.Н. Титков, R. Laiho. ФТП, 40 (8), 1009 (2006)
  13. Н.М. Коровкина. Автореф. канд. дис. (СПб. гос. электротехнический ун-т "ЛЭТИ", 2006)
  14. В.Л. Миронов. Основы сканирующей зондовой микроскопии (Н. Новгород, Ин-т физики микроструктур РАН, 2004)
  15. Н.А. Торхов. Поверхность, N 1, 1 (2010)
  16. Н.А. Торхов, В.Г. Божков, И.В. Ивонин, В.А. Новиков. ФТП, 43 (1), 38 (2009)
  17. Н.А. Торхов. Тр 19 Межд. Крымской конф. "СВЧ техника и телекоммуникационные технологии", "КрыМико-2009" (Украина, Севастополь, 2009) с. 544
  18. R.T. Tung. Phys. Rev. B, 45 (23), 13 509 (1992)
  19. G. Myburg, F.D. Auret. Appl. Phys. Lett., 60 (5), 604 (1992)
  20. M. Biber, O. Gullu, S. Forment, R.L. Van Meirhaeghe, A. Turut. Semicond. Sci. Technol., 21, 1 (2006)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.