Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Состояния Ваннье-Штарка в сверхрешетке квантовых точек InAs/GaAs
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 22 октября 2009 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2010 г.
Представлены результаты экспериментальных исследований эмиссии электронов и дырок из состояний 10-слойной системы туннельно-связанных вертикально-коррелированных квантовых точек InAs/GaAs, проведенные с помощью методов вольт-фарадных характеристик и нестационарной емкостной спектроскопии глубоких уровней (DLTS). Толщина прослойки GaAs между слоями квантовых точек InAs, определенная с помощью просвечивающей электронной микроскопии, была ~3 нм. Установлено, что изменение мультимодального периодического DLTS-спектра этой структуры находится в сильной линейной зависимости от величины приложенного к структуре напряжения обратного смещения Ur. Выявлено, что исследуемая структура характеризуется проявлением эффекта Ваннье-Штарка в сверхрешетке InAs/GaAs, в которой наличие внешнего электрического поля приводит к подавлению связывания волновых функций состояний электронов мини-зон и к образованию серии дискретных уровней, называемых состояниями лестницы Ваннье-Штарка.
- N.N. Ledentsov, V.A. Shchukin, M. Grundmann, N. Kirstaedter, J. Bohrer, O. Schmidt, D. Bimberg, V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, A.E. Zhukov, P.S. Kop'ev, S.V. Zaitsev, N.Yu. Gordeev, Zh.I. Alferov, A.I. Borovkov, A.O. Kosogov, S.S. Ruvimov, P. Werner, U. Gosele, J. Heydenrech. Phys. Rev. B, 54, 8743 (1996)
- М.М. Соболев, Е.Л. Портной, И.М. Гаджиев, И.М. Бакшаев, В.С. Михрин, В.Н. Неведомский, М.С. Буяло, Ю.М. Задиранов. ФТП, 43, 512 (2009)
- I.N. Stranski, L. Krastanow. Sitzungsberichte d. Acad. d. Wissenschaften in Wien, Abt. lib, 1937, Band 146, p. 797
- B. Partoens, F.M. Peeters. Phys. Rev. Lett., 84, 4433 (2000)
- М.М. Соболев, Г.Э. Цырлин, Ю.Б. Самсоненко, Н.К. Поляков, А.А. Тонких, Ю.Г. Мусихин. ФТП, 39, 131 (2005)
- М.М. Соболев, А.Е. Жуков, А.П. Васильев, Е.С. Семенова, В.С. Михрин, Г.Э. Цырлин, Ю.Г. Мусихин. ФТП, 40, 84 (2006)
- V.G. Talalaev, G.E. Cirlin, A.A. Tonkikh, N.D. Zakharov, J.W. Tomm, P. Werner, U. Gosele. Nanoscale Res. Lett., 1 (2), 137 (2006)
- M.M. Sobolev, G.E. Cirlin, A.A. Tonkikh. Physica B: Condens. Matter, 401- 402, 576 (2007)
- М.М. Соболев, Г.Э. Цырлин, А.А. Тонких, Н.Д. Захаров. ФТП, 42, 311 (2008)
- C. Hamaguchi, M. Yamaguchi, M. Morifuji, H. Kubo, K. Taniguchi, C. Gmachl, E. Gornik. Semicond. Sci. Technol., 9, 1994 (1994)
- D.M. Whittaker, M.S. Skolnick, G.W. Smith, C.R. Whitehouse. Phys. Rev. B, 42, 3591 (1990)
- H.G. Grimmeiss, V. Nagesh, H. Presting, H. Kibbel, E. Kasper. Phys. Rev. B, 45, 1236 (1992)
- M. Helm. Semicond. Sci. Technol., 10, 557 (1995)
- М.М. Соболев, А.Р. Ковш, В.М. Устинов, А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, М.В. Максимов, Н.Н. Леденцов. ФТП, 31, 1249 (1997)
- М.М. Соболев, А.Р. Ковш, В.М. Устинов, А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, Ю.Г. Мусихин. ФТП, 33, 184 (1999)
- М.М. Соболев, А.Е. Жуков, А.П. Васильев, Е.С. Семенова, В.С. Михрин. Письма ЖТФ, 33, 68 (2007)
- М.М. Соболев, Г.Э. Цырлин, Ю.Б. Самсоненко, Н.К. Поляков, А.А. Тонких, Ю.Г. Мусихин. ФТП, 39, 1088 (2005)
- М.М. Соболев, А.В. Гитцович, М.И. Папенцев, И.В. Кочнев, Б.С. Явич. ФТП, 26 (10), 1760 (1992)
- Д.В. Давыдов, А.Л. Закгейм, Ф.М. Снегов, М.М. Соболев, А.Е. Черняков, А.С. Усиков, Н.М. Шмидт. Письма ЖТФ, 33, 11 (2007)
- F. Adler, M. Geiger, A. Bauknecht, F. Scholz, H. Schweizer, M.H. Pilkuhn, B. Ohnesorge, A. Forchel. J. Appl. Phys., 80, 4019 (1996)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
