"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Состояния Ваннье-Штарка в сверхрешетке квантовых точек InAs/GaAs
Соболев М.М.1, Васильев А.П.1, Неведомский В.Н.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 22 октября 2009 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2010 г.

Представлены результаты экспериментальных исследований эмиссии электронов и дырок из состояний 10-слойной системы туннельно-связанных вертикально-коррелированных квантовых точек InAs/GaAs, проведенные с помощью методов вольт-фарадных характеристик и нестационарной емкостной спектроскопии глубоких уровней (DLTS). Толщина прослойки GaAs между слоями квантовых точек InAs, определенная с помощью просвечивающей электронной микроскопии, была ~3 нм. Установлено, что изменение мультимодального периодического DLTS-спектра этой структуры находится в сильной линейной зависимости от величины приложенного к структуре напряжения обратного смещения Ur. Выявлено, что исследуемая структура характеризуется проявлением эффекта Ваннье-Штарка в сверхрешетке InAs/GaAs, в которой наличие внешнего электрического поля приводит к подавлению связывания волновых функций состояний электронов мини-зон и к образованию серии дискретных уровней, называемых состояниями лестницы Ваннье-Штарка.
  1. N.N. Ledentsov, V.A. Shchukin, M. Grundmann, N. Kirstaedter, J. Bohrer, O. Schmidt, D. Bimberg, V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, A.E. Zhukov, P.S. Kop'ev, S.V. Zaitsev, N.Yu. Gordeev, Zh.I. Alferov, A.I. Borovkov, A.O. Kosogov, S.S. Ruvimov, P. Werner, U. Gosele, J. Heydenrech. Phys. Rev. B, 54, 8743 (1996)
  2. М.М. Соболев, Е.Л. Портной, И.М. Гаджиев, И.М. Бакшаев, В.С. Михрин, В.Н. Неведомский, М.С. Буяло, Ю.М. Задиранов. ФТП, 43, 512 (2009)
  3. I.N. Stranski, L. Krastanow. Sitzungsberichte d. Acad. d. Wissenschaften in Wien, Abt. lib, 1937, Band 146, p. 797
  4. B. Partoens, F.M. Peeters. Phys. Rev. Lett., 84, 4433 (2000)
  5. М.М. Соболев, Г.Э. Цырлин, Ю.Б. Самсоненко, Н.К. Поляков, А.А. Тонких, Ю.Г. Мусихин. ФТП, 39, 131 (2005)
  6. М.М. Соболев, А.Е. Жуков, А.П. Васильев, Е.С. Семенова, В.С. Михрин, Г.Э. Цырлин, Ю.Г. Мусихин. ФТП, 40, 84 (2006)
  7. V.G. Talalaev, G.E. Cirlin, A.A. Tonkikh, N.D. Zakharov, J.W. Tomm, P. Werner, U. Gosele. Nanoscale Res. Lett., 1 (2), 137 (2006)
  8. M.M. Sobolev, G.E. Cirlin, A.A. Tonkikh. Physica B: Condens. Matter, 401- 402, 576 (2007)
  9. М.М. Соболев, Г.Э. Цырлин, А.А. Тонких, Н.Д. Захаров. ФТП, 42, 311 (2008)
  10. C. Hamaguchi, M. Yamaguchi, M. Morifuji, H. Kubo, K. Taniguchi, C. Gmachl, E. Gornik. Semicond. Sci. Technol., 9, 1994 (1994)
  11. D.M. Whittaker, M.S. Skolnick, G.W. Smith, C.R. Whitehouse. Phys. Rev. B, 42, 3591 (1990)
  12. H.G. Grimmeiss, V. Nagesh, H. Presting, H. Kibbel, E. Kasper. Phys. Rev. B, 45, 1236 (1992)
  13. M. Helm. Semicond. Sci. Technol., 10, 557 (1995)
  14. М.М. Соболев, А.Р. Ковш, В.М. Устинов, А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, М.В. Максимов, Н.Н. Леденцов. ФТП, 31, 1249 (1997)
  15. М.М. Соболев, А.Р. Ковш, В.М. Устинов, А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, Ю.Г. Мусихин. ФТП, 33, 184 (1999)
  16. М.М. Соболев, А.Е. Жуков, А.П. Васильев, Е.С. Семенова, В.С. Михрин. Письма ЖТФ, 33, 68 (2007)
  17. М.М. Соболев, Г.Э. Цырлин, Ю.Б. Самсоненко, Н.К. Поляков, А.А. Тонких, Ю.Г. Мусихин. ФТП, 39, 1088 (2005)
  18. М.М. Соболев, А.В. Гитцович, М.И. Папенцев, И.В. Кочнев, Б.С. Явич. ФТП, 26 (10), 1760 (1992)
  19. Д.В. Давыдов, А.Л. Закгейм, Ф.М. Снегов, М.М. Соболев, А.Е. Черняков, А.С. Усиков, Н.М. Шмидт. Письма ЖТФ, 33, 11 (2007)
  20. F. Adler, M. Geiger, A. Bauknecht, F. Scholz, H. Schweizer, M.H. Pilkuhn, B. Ohnesorge, A. Forchel. J. Appl. Phys., 80, 4019 (1996)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.