Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Спин-пайерлсовский переход в хаотической примесной подрешетке полупроводника

Вейнгер А.И.¹, Забродский А.Г.¹, Тиснек Т.В.¹, Голощапов С.И.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 21 октября 2009 г.

Выставление онлайн: 20 мая 2010 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

При исследовании электронного парамагнитного резонанса в некомпенсированном полупроводнике Ge : As вблизи фазового перехода II рода изолятор-металл обнаружено, что взаимодействие спинов, локализованных на атомах As, приводит к искажению кристаллической решетки и усиливает эффект локализации. Эффект имеет место в области электронных концентраций n=3·10¹⁷-3.7·10¹⁷ см^-3, непосредственно предшествующих критической точке фазового перехода. Он объяснен в рамках модели спинового перехода Пайерлса в хаотической примесной подрешетке полупроводника. Это позволяет понять особенности эффекта по сравнению с известными материалами, в которых наблюдается спиновый переход Пайерлса.

Н.Ф. Мотт. Переходы металл--изолятор (М., Наука, 1979) [N.F. Mott. Metal--Insulator Transitions (London, Tailor \& Francis, 1974)]
Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979)
A.G. Zabrodskii. Phil. Mag., 588, 1131 (2001)
А.И. Вейнгер, А.Г. Забродский, Т.В. Тиснек, С.И. Голощапов. ФТП, 41, 812 (2007)
А.И. Вейнгер, А.Г. Забродский, Т.В. Тиснек, С.И. Голощапов. ФТП, 42, 1301 (2008)
А.И. Вейнгер, А.Г. Забродский, Т.В. Тиснек, С.И. Голощапов. ФТП, 34, 46 (2000)
A.G. Zabrodskii, A.I. Veinger, T.V. Tisnek, S.I. Goloshchapov. Phys. Status Solidi C, 5, 824 (2008)
D.K. Wilson. Phys. Rev., 134, A265 (1964)
Р. Пайерлс. Квантовая теория твердых тел (М., ИИЛ, 1956) [R.E. Peierls. Quantum Theory of Solids (Oxford, Clarendon Press, 1955)]
Л.Н. Булаевский. УФН, 115, 263 (1975)
А.И. Буздин, Л.Н. Булаевский. УФН, 131, 495 (1980)
M. Hase, I. Terasaki, K. Uchinokura. Phys. Rev. Lett., 70, 3651 (1993)
M. Isobe, Y. Ueda. J. Phys. Soc. Jpn., 65, 1178 (1996)
A.P. Ramirez, B.S. Shastry, A. Hayashi, J.J. Krajewski, D.A. Huse, R.J. Cava. Phys. Rev. Lett., 89, 067 202 (2002)
А.Н. Васильев. Природа, N 12, 33 (1997)
Ч. Пул. Техника ЭПР спектроскопии (М., Мир, 1970) [C.P. Poole. Electron spin resonance: comprehensive treatise on experimental techniques (Wiley \& Sons, N. Y.--London--Sydney, 1967)]

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель