Вышедшие номера
Легирование полупроводников AIVBVI и энергетический спектр дырок с учетом резонансных состояний
Прокофьева Л.В.1, Равич Ю.И.2, Пшенай-Северин Д.А.1, Константинов П.П.1, Шабалдин А.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 3 ноября 2009 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2010 г.

В широких концентрационном и температурном диапазонах проведены исследования кинетических явлений в твердом растворе Pb0.5Sn0.5Te при двух видах акцепторного легирования: сверхстехиометрическим теллуром и совокупностью равных количеств атомов Na и Te, в последнем случае использовались две добавки с 1.0 и 1.5 ат% каждого компонента; достигнутные при этом плотности дырок существенно превосходили максимум значений, соответствующих образцам Pb0.5Sn0.5Te<Te>. При обоих видах акцепторов концентрация дырок в твердом растворе оказывается в 2 раза выше, чем в PbTe при том же уровне легирования. Особенности поведения коэффициентов Холла, термоэдс и электропроводности интерпретируются в рамках модели однозонного спектра с широкой полосой резонансных уровней. Обсуждается механизм их образования в PbTe и Pb0.5Sn0.5Te.