Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Диодные структуры Si : Er/Si для наблюдения электролюминесценции на длине волны 1.5 мкм при 300 K
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия 
2Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 15 июля 2009 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2010 г.
Анализируются диодные структуры Si : Er/Si для наблюдения при 300 K электролюминесценции на длине волны 1.5 мкм. Структуры выращивались методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии. Обсуждаются пути повышения интенсивности свечения.
- G. Franzo, S. Coffa, F. Priolo, C. Spinella. J. Appl. Phys., 81 (6), 2784 (1997); S. Coffa, G. Franzo, F. Priolo, A. Pacelli, A. Lacaita. Appl. Phys. Lett., 73 (1), 93 (1998)
- Н.А. Соболев. ФТП, 29, 1153 (1995)
- M. Markmann, E. Neufeld, A. Sticht, K. Brunner, G. Abstreiter. Appl. Phys. Lett., 78, 210 (2001)
- A. Reittinger, G. Stimmer, G. Abstreiter. Appl. Phys. Lett., 70 (18), 2431 (1997)
- В.П. Кузнецов, Д.Ю. Ремизов, В.Н. Шабанов, Р.А. Рубцова, М.В. Степихова, Д.И. Крыжков, А.Н. Шушунов, О.В. Белова, З.Ф. Красильник, Г.А. Максимов. ФТП, 40, 868 (2006)
- J.F. Nutzel, G. Abstreiter. J. Appl. Phys., 78, 937 (1995)
- О.В. Белова, В.Н. Шабанов, А.П. Касаткин, О.А. Кузнецов, А.Н. Яблонский, М.В. Кузнецов, В.П. Кузнецов, А.В. Корнаухов, Б.А. Андреев, З.Ф. Красильник. ФТП, 42, 136 (2008)
- В.П. Кузнецов, Р.А. Рубцова. ФТП, 34, 519 (2000); В.П. Кузнецов, Н.А. Алябина, В.А. Боженкин, О.В. Белова, М.В. Кузнецов. ФТП, 42, 257 (2008); В.П. Кузнецов, З.Ф. Красильник. ФТП, 44 (3), 6055 (2010)
- В.Б. Шмагин, Д.Ю. Ремизов, З.Ф. Красильник, В.П. Кузнецов, В.Н. Шабанов, Л.В. Красильникова, Д.И. Крыжков, М.Н. Дроздов. ФТТ, 46, 110 (2004)
- И.В. Грехов, Ю.Н. Сережкин. Лавинный пробой p-n-перехода в полупроводниках (Л., Энергия, 1980)
- С. Зи. Физика полупроводниковых приборов, пер. с англ. под ред. Р.А. Суриса (М., Мир, 1984) кн. 1
- Ю. Пожела. Физика быстродействующих частиц (Вильнюс, Мокслас, 1989)
- В.П. Кузнецов, Д.Ю. Ремизов, В.Б. Шмагин. К.Е. Кудрявцев, В.Н. Шабанов, С.В. Оболенский, О.В. Белова, М.В. Кузнецов, А.В. Корнаухов, Б.А. Андреев, З.В. Красильник. ФТП, 41, 1329 (2007)
- В.П. Кузнецов, Р.А. Рубцова, В.Н. Шабанов, А.П. Касаткин, С.В. Седова, Г.А. Максимов, З.Ф. Красильник, Е.В. Демидов. ФТП, 47, 99 (2005)
- А. Милнс. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках, пер. с англ. под ред. М.К. Шейнкмана (М., Мир, 1977) гл. 13
- Д.Ю. Ремизов, В.Б. Шмагин, А.В. Антонов, В.П. Кузнецов, З.Ф. Красильник. ФТТ, 47, 95 (2005)
- Б.А. Андреев, З.Ф. Красильник, Д.И. Крыжков, А.Н. Яблонский, В.П. Кузнецов, T. Grigorkiewicz, M.A.J. Klik. ФТТ, 46, 98 (2004)
- Д.Ю. Ремизов, З.Ф. Красильник, В.П. Кузнецов, С.В. Оболенский, В.Б. Шмагин. Матер. X симп. "Нанофизика и наноэлектроника" (2006) c. 348; Матер. XI симп. "Нанофизика и наноэлектроника" (2007) с. 422
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
