"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Диодные структуры Si : Er/Si для наблюдения электролюминесценции на длине волны 1.5 мкм при 300 K
Кузнецов В.П.1,2, Кузнецов М.В.1, Красильник З.Ф.2
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 15 июля 2009 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2010 г.

Анализируются диодные структуры Si : Er/Si для наблюдения при 300 K электролюминесценции на длине волны 1.5 мкм. Структуры выращивались методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии. Обсуждаются пути повышения интенсивности свечения.
  1. G. Franzo, S. Coffa, F. Priolo, C. Spinella. J. Appl. Phys., 81 (6), 2784 (1997); S. Coffa, G. Franzo, F. Priolo, A. Pacelli, A. Lacaita. Appl. Phys. Lett., 73 (1), 93 (1998)
  2. Н.А. Соболев. ФТП, 29, 1153 (1995)
  3. M. Markmann, E. Neufeld, A. Sticht, K. Brunner, G. Abstreiter. Appl. Phys. Lett., 78, 210 (2001)
  4. A. Reittinger, G. Stimmer, G. Abstreiter. Appl. Phys. Lett., 70 (18), 2431 (1997)
  5. В.П. Кузнецов, Д.Ю. Ремизов, В.Н. Шабанов, Р.А. Рубцова, М.В. Степихова, Д.И. Крыжков, А.Н. Шушунов, О.В. Белова, З.Ф. Красильник, Г.А. Максимов. ФТП, 40, 868 (2006)
  6. J.F. Nutzel, G. Abstreiter. J. Appl. Phys., 78, 937 (1995)
  7. О.В. Белова, В.Н. Шабанов, А.П. Касаткин, О.А. Кузнецов, А.Н. Яблонский, М.В. Кузнецов, В.П. Кузнецов, А.В. Корнаухов, Б.А. Андреев, З.Ф. Красильник. ФТП, 42, 136 (2008)
  8. В.П. Кузнецов, Р.А. Рубцова. ФТП, 34, 519 (2000); В.П. Кузнецов, Н.А. Алябина, В.А. Боженкин, О.В. Белова, М.В. Кузнецов. ФТП, 42, 257 (2008); В.П. Кузнецов, З.Ф. Красильник. ФТП, 44 (3), 6055 (2010)
  9. В.Б. Шмагин, Д.Ю. Ремизов, З.Ф. Красильник, В.П. Кузнецов, В.Н. Шабанов, Л.В. Красильникова, Д.И. Крыжков, М.Н. Дроздов. ФТТ, 46, 110 (2004)
  10. И.В. Грехов, Ю.Н. Сережкин. Лавинный пробой p-n-перехода в полупроводниках (Л., Энергия, 1980)
  11. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов, пер. с англ. под ред. Р.А. Суриса (М., Мир, 1984) кн. 1
  12. Ю. Пожела. Физика быстродействующих частиц (Вильнюс, Мокслас, 1989)
  13. В.П. Кузнецов, Д.Ю. Ремизов, В.Б. Шмагин. К.Е. Кудрявцев, В.Н. Шабанов, С.В. Оболенский, О.В. Белова, М.В. Кузнецов, А.В. Корнаухов, Б.А. Андреев, З.В. Красильник. ФТП, 41, 1329 (2007)
  14. В.П. Кузнецов, Р.А. Рубцова, В.Н. Шабанов, А.П. Касаткин, С.В. Седова, Г.А. Максимов, З.Ф. Красильник, Е.В. Демидов. ФТП, 47, 99 (2005)
  15. А. Милнс. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках, пер. с англ. под ред. М.К. Шейнкмана (М., Мир, 1977) гл. 13
  16. Д.Ю. Ремизов, В.Б. Шмагин, А.В. Антонов, В.П. Кузнецов, З.Ф. Красильник. ФТТ, 47, 95 (2005)
  17. Б.А. Андреев, З.Ф. Красильник, Д.И. Крыжков, А.Н. Яблонский, В.П. Кузнецов, T. Grigorkiewicz, M.A.J. Klik. ФТТ, 46, 98 (2004)
  18. Д.Ю. Ремизов, З.Ф. Красильник, В.П. Кузнецов, С.В. Оболенский, В.Б. Шмагин. Матер. X симп. "Нанофизика и наноэлектроника" (2006) c. 348; Матер. XI симп. "Нанофизика и наноэлектроника" (2007) с. 422

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.