"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние радиационных дефектов на электрические потери в кремниевых диодах, облученных электронами
Поклонский Н.А.1, Горбачук Н.И.1, Шпаковский С.В.2, Ластовский С.Б.3, Wieck A.4
1Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
2Унитарное предприятие "Завод Транзистор" Научно-производственного объединения "Интеграл", Минск, Республика Беларусь
3Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению, Минск, Беларусь
4Ruhr--Universitat Bochum, Bochum, Deutschland
Поступила в редакцию: 30 июля 2009 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2010 г.

Исследованы кремниевые диоды с p+-n-переходом, облученные электронами энергией 3.5 МэВ, флюенсами от 1015 до 4·1016 см-2. Установлено, что зависимость тангенса угла электрических потерь tgdelta от частоты f переменного тока в интервале f=102-106 Гц является немонотонной функцией с двумя экстремумами: минимумом и максимумом. Трансформация зависимостей tgdelta(f) при увеличении флюенса облучения и увеличении температуры отжига диодов обусловлена изменением сопротивления n-Si (базовой области диодов), вызванным накоплением (при увеличении флюенса) или исчезновением и перестройкой (при отжиге) радиационных дефектов. Роль инерционности процесса перезарядки дефектов в формировании tgdelta(f) невелика.
  1. Л.С. Берман. Емкостные методы исследования полупроводников (Л., Наука, 1972)
  2. M. McPherson. Physica B, 344 (1-4), 52 (2004)
  3. A. Saadoune, L. Dehimi, N. Sengouga, M. McPherson, B.K. Jones. Sol. St. Electron., 50 (7--8), 1178 (2006)
  4. А.А. Лебедев, Н.А. Соболев, Б.М. Урунбаев. ФТП, 16 (10), 1874 (1982)
  5. А.М. Емельянов, Н.А. Соболев, А.Н. Якименко. ФТП, 35 (3), 330 (2001)
  6. Н.Н. Прибылов, Е.И. Прибылова. ФТП, 30 (4), 635 (1996)
  7. А.А. Лебедев, А.А. Лебедев, Д.В. Давыдов. ФТП, 34 (1), 113 (2000)
  8. J. Dreсhsel, M. Pfeiffer, X. Zhou, A. Nollau, K. Leo. Synth. Met., 127 (1--3), 201 (2002)
  9. В.И. Мурыгин. ФТП, 38 (6), 702 (2004)
  10. В.И. Мурыгин, А.У. Фаттахдинов, Д.А. Локтев, В.Б. Гундырев. ФТП, 41 (10), 1207 (2007)
  11. L. Dehimi, N. Sengouga, B.K. Jones. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. A, 519 (3), 532 (2004)
  12. L. Dehimi, N. Sengouga, B.K. Jones. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. A, 517 (1--3), 109 (2004)
  13. A. Straub, R. Gebs, H. Habenicht, S. Trunk, R.A. Bardos, A.B. Sproul, A.G. Aberle. J. Appl. Phys., 97 (8), 083 703 (2005)
  14. E. Barsoukov, J.R. Macdonald. Impedance spectroscopy: Theory experiment and applications (N.Y., Wiley, 2005)
  15. Н.П. Богородицкий, Ю.М. Волокобинский, А.А. Воробьев, Б.М. Тареев. Теория диэлектриков (Л., Энергия, 1965)
  16. A. Tataroglu. Microelectron. Eng., 83 (11--12), 2551 (2006)
  17. A. Tataroglu, S. Alti ndal. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B, 252 (2), 257 (2006)
  18. A. Tataroglu, S. Alti ndal. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B, 254 (1), 113 (2007)
  19. I.V. Afandiyeva, I. Dokme, S. Alti ndal, M.M. Bullbul, A. Tataroglu. Microelectron. Eng., 85 (2), 247 (2008)
  20. A. Tataroglu, I. Yucedag, S. Alti ndal. Microelectron. Eng., 85 (7), 1518 (2008)
  21. P. Vitanov, K. Ivanova, A. Harizanova. Vacuum, 76 (2--3), 207 (2004)
  22. S. Kochowski, K. Nitsch. Thin Sol. Films, 415 (1--2), 133 (2002)
  23. S. Kochowski, K. Nitsch, B. Paszkiewicz, R. Paszkiewicz. Thin Sol. Films, 444 (1--2), 208 (2003)
  24. S. Kochowski, K. Nitsch, B. Paszkiewicz, R. Paszkiewicz. Thin Sol. Films, 467 (1--2), 190 (2004)
  25. S. Kochowski, K. Nitsch, B. Paszkiewicz, R. Paszkiewicz, M. Szyd owski. Appl. Surf. Sci., 235 (3), 389 (2004)
  26. J. Drechsel, M. Pfeiffer, X. Zhou, A. Nollau, K. Leo. Synth. Met., 127 (1--3), 201 (2002)
  27. A. Rihani, N. Boutabba, L. Hassine, S. Romdhane, H. Bouchriha. Synth. Met., 145 (2--3), 129 (2004)
  28. A.K. Jonscher, M.N. Robinson. Sol. St. Electron., 31 (8), 1277 (1988)
  29. A.S. Kavasoglu, N. Kavasoglu, S. Oktik. Sol. St. Electron., 52 (6), 990 (2008)
  30. S. Ozden, H. Bayhan, A. Donmez, M. Bayhan. ФТП, 42 (7), 852 (2008)
  31. R.A. Kumar, M.S. Suresh, J. Nagaraju. Sol. Energy Mater. Solar Cells, 85 (3), 397 (2005)
  32. D.V. Singh, K. Rim, T.O. Mitchel, J.L. Hoyt, J.F. Gibbons. J. Appl. Phys., 85 (2), 985 (1999)
  33. В.С. Вавилов, Н.П. Кекелидзе. Л.С. Смирнов. Действие излучений на полупроводники (М., Наука, 1988)
  34. А. Милнс. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках (М., Мир, 1977)
  35. Ф.П. Коршунов, Ю.В. Богатырёв, С.Б. Ластовский, В.И. Кульгачев, Л.П. Ануфриев, И.И. Рубцевич, В.В. Глухманчук, Н.Ф. Голубев, С.В. Шпаковский. Матер. 6-й Межд. конф. "Взаимодействие излучений с твердым телом" (Минск, Беларусь, 2005) с. 380
  36. Ф.П. Коршунов, Ю.В. Богатырёв, П.М. Гурин, С.Б. Ластовский, С.В. Шведов, С.В. Шпаковский. Известия НАН Беларуси. Сер. физ.-мат, наук, N 3, 92 (2007)
  37. Л.С. Берман, В.Г. Данильченко, В.И. Корольков, Ф.Ю. Солдатенков. ФТП, 34 (5), 558 (2000)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.