Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Исследование тепловых процессов в мощных InGaN/GaN флип-чип светодиодах с использованием инфракрасной тепловизионной микроскопии

Закгейм А.Л.¹, Курышев Г.Л.², Мизеров М.Н.¹, Половинкин В.Г.², Рожанский И.В.³, Черняков А.Е.¹

¹Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия Submicron Heterostructures for Microelectronics, Research and Engineering Center, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

Submicron Heterostructures for Microelectronics, Research and Engineering Center, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

²Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

³Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 30 июля 2009 г.

Выставление онлайн: 17 февраля 2010 г.

PDF версия

Представлены результаты экспериментального исследования температурных полей, возникающих в мощных AlGaInN-гетеросветодиодах в результате саморазогрева при больших рабочих токах. Использованный метод инфракрасной тепловизионной микроскопии позволил провести непосредственное измерение распределения температуры по площади p-n-перехода с высоким пространственным разрешением ~3 мкм при абсолютной погрешности измерений ~2 K. Показано, что в мощных светодиодах при высоких уровнях возбуждения могут возникать значительные температурные градиенты, обусловленные неоднородностью в распределении плотности тока по площади активной области. Этот эффект необходимо учитывать как при конструировании излучающих кристаллов, так и при оценке допустимых режимов эксплуатации. Метод инфракрасной тепловизионной микроскопии позволяет также выявлять микродефекты, вызывающие каналы токовой утечки и снижающие надежность работы приборов.

M.G. Craford. Proc. 1st Int. Conf. on White LEDs and Solid State Lighting: White LEDs-07 (Tokyo, Japan, Nov. 26--30, 2007) p. 5
Phlatlight PT120 Projection Chipset. Website: http://www.luminus.com/content1092
O.B. Shchekin, J.E. Epler, T.A. Trottier, T. Margalith, D.A. Steigerwald, M.O. Holcomb, P.S. Martin, M.R. Kramers. Appl. Phys. Lett., 89 (7), 1109 (2006)
X. Guo, E.F. Shubert. Appl. Phys. Lett., 78 (21), 3337 (2001)
M. Shatalov, G. Simin, V. Avidarahan, A. Chitnis, S. Wu, R. Pachipulusu, V. Mandavilli, K. Simin, J. Zhang, J. Yang, A. Khan. Jpn. J. Appl. Phys., 41 (8), 5083 (2002)
Y. Xi, E.F. Schubert. Appl. Phys. Lett., 85 (12), 2163 (2004)
Y. Xi, J.-Q. Xi, Th. Gessmann, J.M. Shah, J.K. Kim, E.F. Schubert, A.J. Fischer, M.H. Crawford, K.H.A. Bogart, A.A. Allerman. Appl. Phys. Lett., 86 (3), 1907 (2005)
А.Л. Закгейм, Д.А. Закгейм, И.П. Смирнова, И.В. Рожанский, С.А. Гуревич, Е.Д. Васильева, Г.В. Иткинсон. Тез. докл. 4-й Всерос. конф. "Нитриды галлия, индия, алюминия --- структуры и приборы" (СПб, Россия, 2005) с. 128
G.A. Onushkin, A.L. Zakgeim, D.A. Zakgeim, I.V. Rozhansky, A.F. Tsatsulnikov, W.V. Lundin, D.S. Sizov. Phys. Status Solidi C, 3 (6), 2149 (2006)
V.K. Malyutenko, O.Yu. Malyutenko, A.V. Zinovchuk, A.L. Zakgeim, D.A. Zakgeim, I.P. Smirnova, S.A. Gurevich. Proc. SPIE, 5941, 59411K-1 (2005)
D.A. Zakgeim, I.P. Smirnova, E.M. Arakcheeva, M.M. Kulagina, V.W. Lundin, A.F. Tsatsulnikov, A.V. Sakharov, A.V. Fomin, A.L. Zakgeim, E.D. Vasil'eva, G.V. Itkinson. Phys. Status Solidi C, 1 (10), 2401 (2004).
Д.А. Закгейм, И.П. Смирнова, И.В. Рожанский, С.А. Гуревич, М.М. Кулагина, Е.М. Аракчеева, Г.А. Онушкин, А.Л. Закгейм, Е.Д. Васильева, Г.В. Иткинсон. ФТП, 39 (7), 885 (2005)
В.М. Базовкин, А.А. Гузев, А.П. Ковчавцев, Г.Л. Курышев, А.С. Ларшин, В.Г. Половинкин. Прикл. физика, 2, 97 (2005)
T.A. Davis. UMFPACK User Guide, Website: http://www.cise.ufl.edu/research/sparse/umfpack/(1994--2009)
А.А. Ефимов, Н.И. Бочкарева, Р.И. Горбунов, Д.А. Лавринович, Ю.Т. Ребане, Д.В. Тархин, Ю.Г. Шретер. ФТП, 40 (5), 656 (2006)
И.В. Рожанский, Д.А. Закгейм. ФТП, 40 (7), 861 (2006)
Y.C. Shen, G.O. Mueller, S. Watanabe, N.F. Gardner, A. Munkholm, M.R. Krames. Appl. Phys. Lett., 91 (14), 1101 (2007)
J. Xu, M.F. Schubert, A.N. Noemaun, D. Zhu, J.K. Kim, E.F. Schubert, M.H. Kim, H.J. Chung, S. Yoon, C. Sone, Y. Park. Appl. Phys. Lett., 94 (1), 113 (2009)
S.S. Chhajed, Y. Xi, Y.-L. Li, Th. Gessman, E.F. Shubert. J. Appl. Phys., 97 (05), 4506 (2005)
Luxeon Reliability. Application Brief AB25. Website: http://www.philipslumileds.com/pdfs/RD25.pdf.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель