Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Гетеропереходы полисалицилиденазометины/Si (GaAs): создание и свойства

Николаев Ю.А.¹, Рудь В.Ю.², Рудь Ю.В.¹, Теруков Е.И.¹, Геллер Н.М.³, Иванов А.Г.³, Шаманин В.В.³

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия Peter the Great Saint-Petersburg Polytechnic University, St. Petersburg, Russia

Peter the Great Saint-Petersburg Polytechnic University, St. Petersburg, Russia

³Институт высокомолекулярных соединений Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия Institute of Macromolecular Compounds, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

Institute of Macromolecular Compounds, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 9 июля 2009 г.

Выставление онлайн: 17 февраля 2010 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Предложена и реализована атермическая безвакуумная технология и впервые созданы гетеропереходы неклассически полисопряженные полисалицилиденазометины/Si (GaAs). Установлено, что максимальная фоточувствительность полученных гетеропереходов достигается при их освещении со стороны тонких пленок полимеров в спектральном диапазоне 1-3.5 эВ. Сделан вывод о возможности применения новых гетеропереходов в качестве широкополосных фотопреобразователей оптического излучения.

Ж.И. Алфёров. ФТП, 32, 8 (1998)
В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь, В.Х. Шпунт. ЖТФ, 70, 114 (2000)
Н.В. Блинова, Е.Л. Краснопеева, Ю.А. Николаев, А.Ю. Осадчев, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь, Е.И. Теруков, В.В. Шаманин. ФТП, 37, 53 (2003)
Г.А. Ильчук, Н.В. Климова, О.И. Коньков, С.Е. Никитин, Ю.А. Николаев, Л.И. Рудая, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь, Е.И. Теруков, Т.А. Юрре, В.В. Шаманин. ФТП, 38, 1056 (2004)
Е.Л. Александрова, А.Г. Иванов, Н.М. Геллер, Л.Б. Надеждина, В.В. Шаманин. ФТП, 42, 1367 (2008)
С. Зи. Физика полупроводников приборов: В 2-x кн. Пер. с англ. под ред. Р.А. Суриса (М.: Мир, 1984) [S.M. Sze. Physics of Semiconductors Devices (N.Y., Willey Interscience Publ., 1981)]
E. Hernandes. Cryst. Res. Technol., 33, 385 (1998)
Г. Ламперт, П. Марк. Инжекционные токи в твердых телах (М., Мир, 1973)
Физико-химические свойста полупроводниковых веществ. Справочник, под ред. А.В. Новоселовой (М., Наука, 1979)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель