"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Формирование полупроводниковых 3D наноструктур на основе ZnSe
Алышев С.В.1, Забежайлов А.О.1, Миронов Р.А.1, Козловский В.И.2, Дианов Е.М.1
1Научный центр волоконной оптики Российской академии наук, Москва, Россия
2Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 20 мая 2009 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2009 г.

Методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках GaAs выращены наноструктуры, содержащие жертвенный слой ZnMgSSe толщиной 10 нм и напряженный бислой ZnSSe/ZnSe толщиной 20 нм. Жертвенный слой был удален селективным травлением, в результате чего были сформированы микротрубки ZnSSe/ZnSe с многослойными стенками.
  1. V.Ya. Prinz, V.A. Seleznev, A.K. Gutakovsky et al. Physica E, 6, 828 (2000)
  2. V.Ya. Prinz, A.V. Chehovskiy, V.V. Preobrazenskii, B.R. Semyagin, A.K. Gutakovsky. Nanotechnology, 13, 231 (2002)
  3. V.Ya. Prinz. Microelectron. Eng., 69, 466 (2003)
  4. S.V. Golod, V.Y. Prinz, V.I. Mashanov, A.K. Gutakovsky. Semicond. Sci. Technol., 16, 181 (2001)
  5. Y.V. Nastaushev, V.Y. Prinz, S.N. Svitasheva. Nanotechnology, 16, 908 (2005)
  6. V. Luchnikov, M. Stamm. Physica E, 37, 236 (2007)
  7. V.M. Fomin, A.N. Shiplyuk, V.M. Aniskin, A.A. Maslov, V.V. Pa, V.Ya. Prinz, V.A. Seleznev. Doklady Physics, 51, 132 (2006)
  8. O.G. Schmidt, N. Schmarje, C. Deneke, C. Muller, N.Y. Jin-Phillipp. Adv. Mater., 13, 756 (2001)
  9. O. Schumacher, S. Mendach, H. Welsch, A. Schramm, C. Heyn, W. Hansen. Appl. Phys. Lett., 86, 143 109 (2005)
  10. V.Y. Prinz, S.V. Golod. J. Appl. Mech. Tech. Phys., 47, 867 (2006)
  11. S.V. Golod, V.Y. Prinz, P. Wagli, L. Zhang, O. Kirfel, E. Deckhardt, F. Glaus, C. David, D. Grutzmacher. Appl. Phys. Lett., 84, 3391 (2004)
  12. A.O. Zabezhaylov, S.V. Alishev, R.A. Mironov, S.A. Vasiliev, M.V. Grekov, E.M. Dianov. Proc. 16th Int. Symp. Nanostructures: Physics and Technology (Vladivostok, Russia, 2008) p. 23
  13. S.V. Alyshev, A.O. Zabezhaylov, R.A. Mironov, V.I. Kozlovsky, E.M. Dianov. Proc. 16th Int. Symp. Nanostructures: Physics and Technology (Vladivostok, Russia, 2008) p. 19
  14. A. Balocchi, A. Curran, T.C.M. Graham, C. Bradford, K.A. Prior, R.J. Warburton. Appl. Phys. Lett., 86, 763 (2005)
  15. А.О. Забежайлов. Автореф. канд. дис. (М., НЦВО РАН, 2008)
  16. C. Bradford, C.B. O'Donnell, B. Urbaszek, A. Balocchi, C. Morhain, K.A. Prior, B.C. Cavenett. Appl. Phys. Lett., 76, 3929 (2000)
  17. G.G. Stoney. Proc. Royal. Soc. A, 82, 172 (1999)
  18. Y.C. Tsui, T.W. Clyne. Thin. Sol. Films, 306, 23 (1997)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.