Перенос носителей зарядов в пленках халькогенидного стеклообразного полупроводника состава Ge20As20S60
Казакова Л.П.1, Цэндин К.Д.1, Лебедев Э.А.1, Арсова Д.2, Обухова И.А.3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Институт физики твердого тела Болгарской академии наук, София, Болгария
3Санкт-Петербургская государственная лесотехническая академия им. С.М. Кирова, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 9 июня 2009 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2009 г.
Проведено исследование переноса носителей заряда в пленках состава Ge20As20S60 методом измерения времени пролета в режиме слабой инжекции при комнатной температруре. Получено, что значения дрейфовых подвижностей электронов и дырок в пленках Ge20As20S60 близки: mue~muh~ 2·10-3 см2В-1с-1 при T=295 K и F=5· 104 В/см. Показано, что характер зависимости фототока от времени при дрейфе носителей заряда и зависимости дрейфовой подвижности от напряжения позволяют использовать представления об аномальном дисперсионном переносе. Экспериментальные данные объяснены в модели переноса, контролируемого захватом носителей на локализованные состояния, распределение которых по энергии вблизи краев зоны проводимости и валентной зоны описывается экспоненциальным законом с характеристической энергией ~0.05 эВ.
- D. Strand. J. Opt. Electron. Adv. Mater., 7, 1679 (2005)
- D. Arsova, E. Skordeva, V. Pamukchieva, E. Vateva. J. Optoelectron. Adv. Mater. 7, 1250 (2005)
- W.E. Spear. J. Non-Cryst. Sol., 1, 197 (1969)
- Э.А. Лебедев, Л.П. Казакова. В сб.: Электронные явления в халькогенидных стеклообразных полупроводниках, под ред. К.Д. Цэндина (СПб., Наука, 1996) с. 141
- G. Pfister, H. Scher. Adv. Phys., 27, 747 (1978)
- Н.Ф. Мотт, Э.А. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах (М., Мир, 1982) [Пер. с англ.: N. Mott, E. Davis. Electronic Processes in Non-Cryst. Solids]
- В.И. Архипов, Э.А. Лебедев, А.И. Руденко. ФТП, 15, 712 (1981)
- С.Д. Барановский, Г.А. Бордовский, Л.П. Казакова, Э.А. Лебедев, В.М. Любин, Н.А. Савинова. ФТП, 18, 1016 (1984)
- D. Vanderbilt, J.D. Joannopoulos. Phys. Rev. B, 23, 2596 (1981)
- I. Chen. Phys. Rev. B, 8, 1440 (1973)
- С.Д. Шутов, М.А. Иову, М.С. Иову. ФТП, 13, 956 (1979)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
