"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Перенос носителей зарядов в пленках халькогенидного стеклообразного полупроводника состава Ge20As20S60
Казакова Л.П.1, Цэндин К.Д.1, Лебедев Э.А.1, Арсова Д.2, Обухова И.А.3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Институт физики твердого тела Болгарской академии наук, София, Болгария
3Санкт-Петербургская государственная лесотехническая академия им. С.М. Кирова, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 9 июня 2009 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2009 г.

Проведено исследование переноса носителей заряда в пленках состава Ge20As20S60 методом измерения времени пролета в режиме слабой инжекции при комнатной температруре. Получено, что значения дрейфовых подвижностей электронов и дырок в пленках Ge20As20S60 близки: mue~muh~ 2·10-3 см2В-1с-1 при T=295 K и F=5· 104 В/см. Показано, что характер зависимости фототока от времени при дрейфе носителей заряда и зависимости дрейфовой подвижности от напряжения позволяют использовать представления об аномальном дисперсионном переносе. Экспериментальные данные объяснены в модели переноса, контролируемого захватом носителей на локализованные состояния, распределение которых по энергии вблизи краев зоны проводимости и валентной зоны описывается экспоненциальным законом с характеристической энергией ~0.05 эВ.
  1. D. Strand. J. Opt. Electron. Adv. Mater., 7, 1679 (2005)
  2. D. Arsova, E. Skordeva, V. Pamukchieva, E. Vateva. J. Optoelectron. Adv. Mater. 7, 1250 (2005)
  3. W.E. Spear. J. Non-Cryst. Sol., 1, 197 (1969)
  4. Э.А. Лебедев, Л.П. Казакова. В сб.: Электронные явления в халькогенидных стеклообразных полупроводниках, под ред. К.Д. Цэндина (СПб., Наука, 1996) с. 141
  5. G. Pfister, H. Scher. Adv. Phys., 27, 747 (1978)
  6. Н.Ф. Мотт, Э.А. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах (М., Мир, 1982) [Пер. с англ.: N. Mott, E. Davis. Electronic Processes in Non-Cryst. Solids]
  7. В.И. Архипов, Э.А. Лебедев, А.И. Руденко. ФТП, 15, 712 (1981)
  8. С.Д. Барановский, Г.А. Бордовский, Л.П. Казакова, Э.А. Лебедев, В.М. Любин, Н.А. Савинова. ФТП, 18, 1016 (1984)
  9. D. Vanderbilt, J.D. Joannopoulos. Phys. Rev. B, 23, 2596 (1981)
  10. I. Chen. Phys. Rev. B, 8, 1440 (1973)
  11. С.Д. Шутов, М.А. Иову, М.С. Иову. ФТП, 13, 956 (1979)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.