Проведено исследование переноса носителей заряда в пленках состава Ge₂₀As₂₀S₆₀ методом измерения времени пролета в режиме слабой инжекции при комнатной температруре. Получено, что значения дрейфовых подвижностей электронов и дырок в пленках Ge₂₀As₂₀S₆₀ близки: mu_e~mu_h~ 2·10^-3 см²В^-1с^-1 при T=295 K и F=5· 10⁴ В/см. Показано, что характер зависимости фототока от времени при дрейфе носителей заряда и зависимости дрейфовой подвижности от напряжения позволяют использовать представления об аномальном дисперсионном переносе. Экспериментальные данные объяснены в модели переноса, контролируемого захватом носителей на локализованные состояния, распределение которых по энергии вблизи краев зоны проводимости и валентной зоны описывается экспоненциальным законом с характеристической энергией ~0.05 эВ.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.